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TK30A06J3A(LBS2PQM

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TK30A06J3A(Q,M)

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TK30A06J3A(STA4,QM

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TK30A06J3A,LS2PQ(J

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TK30A06J3A,S5Q(J

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TK30A06N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK30A06N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V

auf Bestellung 1705 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
30+	1.74 EUR
100+	1.47 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.88 EUR
2500+	0.85 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 25

TK30A06N1,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm

auf Bestellung 1768 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

264+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 264

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 191 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 93

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

550+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 550

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK30A06N1S4X(S

MOSFET

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TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK30E06N1,S1X

MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS

auf Bestellung 310 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
27+	2 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.93 EUR
2500+	0.9 EUR
5000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 24

TK30E06N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

auf Bestellung 149 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 95

TK30E06N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK30E06N1,S1X(S

TK30E06N1 THT N channel transistors

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TK30J25D

MOSFET

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TK30J25D,S1F(O

TK30J25D,S1F(O

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.86 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK30J25D,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK30J25DS1F(O

MOSFET

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TK30S06K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

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TK30S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018

auf Bestellung 1939 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
22+	2.42 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.31 EUR
2000+	1.23 EUR
4000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK31

Extech

Digital Multimeters

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TK3140

Description: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3148

Description: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3160

Description: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3168

Description: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3170

Description: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3173

Description: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3178

Description: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK31A60W

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TK31A60W,S4VX

MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	17.42 EUR
10+	15.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK31A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	17.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK31A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.19 EUR

Mindestbestellmenge: 22

TK31A60WS4VX(M

MOSFET

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TK31A60WS4VX(M-X

MOSFET

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TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK31E60W,S1VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

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TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK31E60W,S1VX

MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	17.63 EUR
10+	15.39 EUR
50+	15.37 EUR
100+	12.92 EUR
250+	12.53 EUR
500+	11.54 EUR
1000+	10.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.94 EUR
28+	5.49 EUR
50+	4.29 EUR
100+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK31E60W,S1VX(S

TK31E60W THT N channel transistors

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TK31E60W,S1VX(S

Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.46 EUR
26+	5.82 EUR
50+	4.55 EUR
100+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31E60X,S1X

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

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TK31E60X,S1X

MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.91 EUR
10+	10.32 EUR
50+	9.78 EUR
100+	8.27 EUR
250+	8.01 EUR
500+	7.44 EUR
1000+	6.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31E60X,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60X,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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TK31E60X,S1X(S)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60XS1X(S

MOSFET

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TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

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TK31J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

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TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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TK31J60W,S1VQ(O

TK31J60W,S1VQ(O

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TK31J60W,S1VQ(O

TK31J60W,S1VQ(O

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.37 EUR
18+	8.68 EUR
25+	7.94 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

Produkt ist nicht verfügbar

TK31J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Produkt ist nicht verfügbar

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O

Produkt ist nicht verfügbar

TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.14 EUR
23+	6.82 EUR
25+	6.27 EUR
50+	5.71 EUR
100+	5.19 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK31N60W,S1VF
Produktcode: 129935

Transistoren > MOSFET N-CH

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TK31N60W,S1VF

MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	21.58 EUR
10+	18.49 EUR
30+	16.77 EUR
120+	15.42 EUR
270+	14.51 EUR
510+	13.62 EUR
1020+	12.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK31N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

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TK31N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK31N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.21 EUR
23+	6.7 EUR
30+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 20

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK31N60W5

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TK31N60W5,S1VF
Produktcode: 171563

Transistoren > MOSFET N-CH

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TK31N60W5,S1VF

MOSFET MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.46 EUR
10+	14.46 EUR
30+	13.73 EUR
120+	11.57 EUR
270+	11.1 EUR
510+	10.19 EUR
1020+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK31N60W5S1VF(S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60WS1VF(S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60WS1VF(S-X

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60X,S1F

MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.17 EUR
10+	12.71 EUR
120+	10.43 EUR
270+	9.18 EUR
510+	8.37 EUR
1020+	6.97 EUR
2520+	6.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK31N60X,S1F
Produktcode: 169333

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK31N60XS1F(S

MOSFET

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TK31V60W

MOSFET

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TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

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TK31V60W,LVQ

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 2466 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.96 EUR
10+	17.96 EUR
100+	14.96 EUR
500+	13.2 EUR
1000+	11.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

auf Bestellung 1033 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.48 EUR
22+	6.88 EUR
100+	6.22 EUR
500+	5.69 EUR
1000+	5.22 EUR

Mindestbestellmenge: 21

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

auf Bestellung 1033 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.37 EUR
30+	5.15 EUR
50+	4.01 EUR
100+	3.61 EUR
200+	3.45 EUR
500+	2.95 EUR
1000+	2.63 EUR
2000+	2.55 EUR
2500+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 2038 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.93 EUR
10+	8.34 EUR
100+	6.75 EUR
500+	6 EUR
1000+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK31V60W5,LVQ

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

auf Bestellung 15113 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.98 EUR
10+	8.4 EUR
25+	7.9 EUR
100+	6.79 EUR
250+	6.4 EUR
500+	6.03 EUR
1000+	5.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W5,LVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W5,LVQ(S

TK31V60W5 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.85 EUR
23+	6.65 EUR
50+	5.09 EUR
100+	4.87 EUR
200+	4.46 EUR
500+	3.83 EUR
1000+	3.57 EUR

Mindestbestellmenge: 20

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Anzahl der Pins: 5Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm

auf Bestellung 2295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm

auf Bestellung 2295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 23857 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.32 EUR
10+	10.34 EUR
100+	8.36 EUR
500+	7.43 EUR
1000+	6.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60X,LQ

MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

auf Bestellung 2214 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.4 EUR
10+	10.43 EUR
25+	10.4 EUR
100+	8.45 EUR
250+	8.42 EUR
500+	7.49 EUR
1000+	6.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	5.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.96 EUR
21+	7.32 EUR
50+	5.36 EUR
100+	5.14 EUR
200+	4.64 EUR
500+	3.93 EUR
1000+	3.65 EUR
2500+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm

auf Bestellung 3950 Stücke:

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TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm

auf Bestellung 3950 Stücke:

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TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

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TK31Z60X,S1F

MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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2+	28.89 EUR
10+	24.78 EUR
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100+	20.05 EUR
250+	19.79 EUR
500+	17.86 EUR
1000+	16.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK31Z60X,S1F

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	32.32 EUR
10+	29.18 EUR

TK31Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 19 Stücke:

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TK31Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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41+	3.88 EUR
43+	3.57 EUR
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120+	3.24 EUR

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TK32

Extech

Clamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL

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TK32-T01-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-2003-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-2103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-2203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-1103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-1253-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-403-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-2404-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.

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100+	15.05 EUR
200+	14.69 EUR
500+	12.38 EUR
1000+	11 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK32-T02-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1P-1503-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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10+	18.12 EUR
50+	14.64 EUR
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TK32-T02-MG01-B1P-553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1P-703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

auf Bestellung 100 Stücke:

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10+	18.12 EUR
50+	14.64 EUR
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200+	12.06 EUR
500+	10.17 EUR
1000+	9.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK32-T02-MG01-B1P-753-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

auf Bestellung 100 Stücke:

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3+	20.02 EUR
10+	18.12 EUR
50+	14.64 EUR
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500+	10.17 EUR
1000+	9.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK32-T02-MG01-B1P-953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK3200

Description: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3202

Description: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3206

Description: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3207

Description: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK32A12N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK32A12N1,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK32A12N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.25 EUR
21+	2.49 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.34 EUR
2500+	1.33 EUR
5000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 16

TK32A12N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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TK32E12N1

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TK32E12N1,S1X
Produktcode: 190147

Transistoren > MOSFET N-CH

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TK32E12N1,S1X

Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.72 EUR
10+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK32E12N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK32E12N1,S1X

MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

auf Bestellung 190 Stücke:

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15+	3.59 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.47 EUR
5000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Produkt ist nicht verfügbar

TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK32E12N1,S1X(S

TK32E12N1 THT N channel transistors

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TK32E12N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 1874 Stücke:

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TK32SCR.05.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

12+	5.96 EUR

Mindestbestellmenge: 12

TK32SCR.05.1,30.S.150.A

auf Bestellung 12 Stücke:

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12+	5.96 EUR

Mindestbestellmenge: 12

TK32SCR.05.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR

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TK32SCR.05.2,00.S.150.A

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TK32SCR.08.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK32SCR.08.1,30.S.150.A

Produkt ist nicht verfügbar

TK32SCR.08.2,00.S.150.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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10+	7.15 EUR
12+	5.96 EUR

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TK32SCR.08.2,00.S.150.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR

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10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK32SCR.09.1,30.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
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TK32SCR.09.1,30.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR

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TK32SCR.09.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
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TK32SCR.09.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
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TK32SCR.10.1,50.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.5mm
Mounting: screw-in
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TK32SCR.10.1,50.C.150.A

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TK32SCR.10.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
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TK32SCR.10.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
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TK32SCR.13.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
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TK32SCR.13.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
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TK33.7 -AS

Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 59mm
Version: PCB is fastened in guides
Enclosure series: TEKMAR
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
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3+	23.84 EUR
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TK33.7 -AS

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TK33.9

Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
Body colour: black
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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2+	35.75 EUR
10+	28.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK33.9

Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
Body colour: black
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides

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2+	35.75 EUR

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TK3306

Description: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3312

TAS-TK3312 Audio - Video Cables

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TK3312PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

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TK3312PSF-A

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TK3312PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2

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TK3312PSF-B

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TK3312PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

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TK3312PSF-G

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TK3312PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK3312PSF-TB

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TK3312PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: green
Number of cores: 2

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TK3312PSF-V

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TK333

TAS-TK333 Audio - Video Cables

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	25.17 EUR
5+	15.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK333PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

auf Bestellung 10 Stücke:

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4+	18.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-A

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.89 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-B

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: yellow
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

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4+	19.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-G

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	19.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	19.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-TB

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	19.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: green
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-V

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK336

TAS-TK336 Audio - Video Cables

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-A

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-B

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-G

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-TB

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: green
Number of cores: 2

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-V

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TK338M

N/A

05+ DIP8

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK339

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

Produkt ist nicht verfügbar

TK339

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; orange; 0.25mm2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-A

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-B

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; yellow; 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-G

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-TB

Produkt ist nicht verfügbar

TK339PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: green
Number of cores: 2

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TK339PSF-V

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TK33S.7

TK33S.7 Desktop Enclosures

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	44.29 EUR
3+	32.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK33S.9 -AS

Category: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.5 EUR
2+	35.75 EUR
30+	22.09 EUR

TK33S.9 -AS

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	71.5 EUR

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1L,LQ

MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.39 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.91 EUR
250+	2.68 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.09 EUR
2000+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 12

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

auf Bestellung 1497 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.37 EUR
10+	3.63 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1L,LQ(O

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 823 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	2.13 EUR
38+	1.93 EUR
50+	1.43 EUR
54+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 34

TK33S10N1L,LQ(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1L,LQ(O

auf Bestellung 823 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

34+	2.13 EUR
38+	1.93 EUR
50+	1.43 EUR
54+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 34

TK33S10N1L,LXHQ

MOSFET PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

auf Bestellung 3784 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.07 EUR
21+	2.51 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.34 EUR
2000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK33S10N1L,LXHQ

auf Bestellung 1985 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK33S10N1L,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1L,LXHQ

auf Bestellung 3849 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.04 EUR
11+	2.49 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK33S10N1L,LXHQ(O

TK33S10N1L,LXHQ(O

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	2 EUR
100+	1.84 EUR
250+	1.7 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 79

TK33S10N1LLQ(O

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

auf Bestellung 1873 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.59 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.37 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 8

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

auf Bestellung 7950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.34 EUR
126+	1.2 EUR
127+	1.15 EUR
140+	1 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 117

TK33S10N1Z,LQ

MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK

auf Bestellung 1993 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.83 EUR
22+	2.47 EUR
100+	2.08 EUR
250+	2.06 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.69 EUR
2000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

auf Bestellung 7950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.34 EUR
126+	1.2 EUR
127+	1.15 EUR
140+	1 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 117

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK33S10N1Z,LQ(O

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	1.97 EUR
88+	1.73 EUR
108+	1.35 EUR
200+	1.22 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.99 EUR
2000+	0.88 EUR
4000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 80

TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK33S10N1Z,LQ(O

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

auf Bestellung 3974 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.3 EUR
10+	2.68 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 8

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

TK33S10N1Z,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

auf Bestellung 27442 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.3 EUR
20+	2.7 EUR
100+	2.1 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.45 EUR
2000+	1.36 EUR
4000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

TK33S10N1ZLQ(O

MOSFET

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TK33SP.7 -AS

Category: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	23.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK33SP.7 -AS

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	23.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK33SP.9 -AS

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.3 EUR
4+	22.97 EUR
50+	22.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK33SP.9 -AS

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	24.3 EUR
4+	22.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK3412

TAS-TK3412 Audio - Video Cables

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TK343

TAS-TK343 Audio - Video Cables

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	28.89 EUR
4+	17.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK3434

3M (TC)

Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM

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TK346

TAS-TK346 Audio - Video Cables

Produkt ist nicht verfügbar

TK349

TAS-TK349 Audio - Video Cables

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TK34A10N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V

auf Bestellung 1158 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.67 EUR
17+	3.07 EUR
100+	2.32 EUR
250+	2.19 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.62 EUR
5000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 15

TK34A10N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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TK34E10N1,S1X

MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS

auf Bestellung 273 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.69 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.63 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.57 EUR
5000+	1.49 EUR
10000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 15

TK34E10N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK34E10N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Produkt ist nicht verfügbar

TK34E10N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK34E10N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	1.42 EUR
57+	1.26 EUR
65+	1.12 EUR
71+	1.02 EUR
75+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 51

TK34E10N1,S1X(S

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

51+	1.42 EUR
57+	1.26 EUR
65+	1.12 EUR
71+	1.02 EUR
75+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 51

TK34E10N1S1X(S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK3501B-EQ

auf Bestellung 201 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3511-EG

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK35A08N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.63 EUR
12+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK35A08N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.7 EUR
22+	2.42 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 20

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A65W,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK35A65W,S5X

MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A65W,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35A65W,S5X(M

TK35A65W,S5X(M

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A65W5,S5X

MOSFET Power MOSFET N-Channel

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.66 EUR
10+	14.12 EUR
50+	11.93 EUR
100+	10.45 EUR
250+	10.14 EUR
500+	9.2 EUR
1000+	7.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK35A65W5,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35A65W5,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK35A65W5,S5X(M

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A65W5,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35E08N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Produkt ist nicht verfügbar

TK35E08N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.02 EUR
10+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK35E08N1,S1X

MOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC

auf Bestellung 367 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.68 EUR
23+	2.28 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.12 EUR
5000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 20

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

600+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 600

TK35E08N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35E08N1,S1X(S

TK35E08N1 THT N channel transistors

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.3 EUR
92+	0.78 EUR
97+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 55

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 168

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

TK35E10K3(S1SS-Q)

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N.02.1,30.S.170.R

TK35N.02130S170R Contact Probes

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	14.3 EUR
6+	11.91 EUR
15+	4.76 EUR
30+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK35N.03.2,00.S.170.R

TK35N.03200S170R Contact Probes

auf Bestellung 2 Stücke:

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2+	35.75 EUR
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TK35N.04.2,00.S.170.R

TK35N.04200S170R Contact Probes

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15+	4.76 EUR
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TK35N.05.1,30.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 1.3mm
Related items: TK35N
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 8mm
Operational spring compression: 6.4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N.05.1,30.S.170.A

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TK35N.05.2,00.S.170.A

TK35N.05200S170A Contact Probes

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TK35N.07.1,30.S.170.R

TK35N.07130S170R Contact Probes

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5+	14.3 EUR
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25+	3.86 EUR

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TK35N.07.2,00.S.170.R

TK35N.07200S170R Contact Probes

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TK35N.08.2,00.S.170.R

TK35N.08200S170R Contact Probes

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N.12.0,80.S.170.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 0.8mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 12
Tip diameter: 0.8mm
Related items: TK35N
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 40 Stücke:

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18+	4.12 EUR
22+	3.32 EUR
23+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK35N.12.0,80.S.170.R

auf Bestellung 40 Stücke:

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18+	4.12 EUR
22+	3.32 EUR
23+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK35N.13.1,30.S.170.R

TK35N.13130S170R Contact Probes

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16+	4.63 EUR
20+	3.69 EUR
21+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 16

TK35N65W

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TK35N65W,S1F

MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N65W,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK35N65W,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK35N65W,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.35 EUR
19+	7.98 EUR
30+	7.29 EUR

Mindestbestellmenge: 14

TK35N65W5

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TK35N65W5,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 13 Stücke:

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TK35N65W5,S1F

MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

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3+	19.86 EUR
10+	17.55 EUR
120+	14.79 EUR
270+	14.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 13 Stücke:

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TK35N65W5,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK35N65W5S1F(S

MOSFET

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TK35N65WS1F(S

MOSFET

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TK35N65WS1F(S-X

MOSFET

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TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.22 EUR
10+	2.64 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK35S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

Produkt ist nicht verfügbar

TK3640448(P3640448)

PROFEC

auf Bestellung 12800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK36L.02.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

auf Bestellung 10 Stücke:

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10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36L.02.2,50.S.170.A

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10+	7.15 EUR
13+	5.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36L.02.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.02.4,00.S.170.A

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.05.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 05
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 33 Stücke:

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15+	4.89 EUR
19+	3.88 EUR
20+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 15

TK36L.05.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 05
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	4.89 EUR
19+	3.88 EUR
20+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 15

TK36L.07.2,50.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: nickel plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36L.07.2,50.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: nickel plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

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10+	7.15 EUR
14+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36L.08.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L

auf Bestellung 51 Stücke:

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22+	3.37 EUR
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TK36L.08.2,50.S.170.A

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.25 EUR
22+	3.37 EUR
23+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK36L.09.2,50.S.170.A

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TK36L.09.2,50.S.170.A

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.09.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Related items: TK36L
Current rating: 3A
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 09
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel

auf Bestellung 104 Stücke:

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17+	4.25 EUR
22+	3.37 EUR
23+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK36L.09.4,00.S.170.A

auf Bestellung 104 Stücke:

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17+	4.25 EUR
22+	3.37 EUR
23+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK36L.10.1,40.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36L
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	4.12 EUR
22+	3.27 EUR
24+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK36L.10.1,40.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36L

auf Bestellung 60 Stücke:

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18+	4.12 EUR
22+	3.27 EUR
24+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK36L.10.2,50.S.170.A

TK36L.10250S170A Contact Probes

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.11.1,80.S.170.A

TK36L.11180S170A Contact Probes

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.13.1,80.S.170.A

TK36L.13180S170A Contact Probes

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17+	4.25 EUR
21+	3.46 EUR
22+	3.27 EUR

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TK36N.02.2,50.S.170.A

TK36N.02250S170A Contact Probes

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6+	11.91 EUR
15+	4.76 EUR
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TK36N.05.2,50.S.170.A

TK36N.05250S170A Contact Probes

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TK36N.07.2,50.S.170.A

TK36N.07250S170A Contact Probes

auf Bestellung 42 Stücke:

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16+	4.76 EUR
19+	3.79 EUR
20+	3.58 EUR

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TK36N.07.3,00.S.170.A

TK36N.07300S170A Contact Probes

auf Bestellung 27 Stücke:

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17+	4.38 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK36N.08.2,50.C.170.A

TK36N.08250C170A Contact Probes

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	35.75 EUR
6+	11.91 EUR
14+	5.11 EUR
25+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK36N.08.3,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 3mm
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36N
Current rating: 5A
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 22 Stücke:

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18+	4.16 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK36N.08.3,00.S.170.A

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.16 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK36N.09.2,50.S.170.A

TK36N.09250S170A Contact Probes

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	71.5 EUR
6+	11.91 EUR
15+	4.76 EUR
25+	3.43 EUR

TK36N.09.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
Related items: TK36N
Current rating: 5A
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 09
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 5.6mm
Contact material: steel

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36N.09.4,00.S.170.A

auf Bestellung 10 Stücke:

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10+	7.15 EUR
13+	5.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36N.10.1,80.S.170.A

TK36N.10180S170A Contact Probes

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16+	4.63 EUR
20+	3.69 EUR
21+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 16

TK36N.10.2,50.S.170.A

TK36N.10250S170A Contact Probes

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31+	2.37 EUR
34+	2.16 EUR
35+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 26

TK36N.11.1,80.S.170.N

TK36N.11180S170N Contact Probes

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

16+	4.63 EUR
20+	3.69 EUR
21+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 16

TK36N.14.1,80.S.170.A

TK36N.14180S170A Contact Probes

Produkt ist nicht verfügbar

TK36SCR.02.3,00.S.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Current rating: 5A
Blade tip shape: head 02
Max. contact resistance:: 10mΩ
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 7 Stücke:

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7+	10.21 EUR
8+	8.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK36SCR.02.3,00.S.300.A

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	10.21 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK36SCR.05.2,30.C.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK36SCR.05.2,30.C.300.A

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TK36SCR.05.3,00.C.300.A

TK36SCR.05300C300A Contact Probes

auf Bestellung 29 Stücke:

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10+	7.21 EUR
13+	5.73 EUR
14+	5.42 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36SCR.07.2,30.C.300.A

TK36SCR.07230C300A Contact Probes

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5+	14.3 EUR
8+	8.94 EUR
25+	6.86 EUR

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TK36SCR.08.2,30.C.300.A

TK36SCR.08230C300A Contact Probes

auf Bestellung 4 Stücke:

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4+	17.88 EUR
8+	8.94 EUR
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TK36SCR.09.2,30.C.300.A

TK36SCR.09230C300A Contact Probes

auf Bestellung 5 Stücke:

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5+	14.3 EUR
8+	8.94 EUR
25+	6.01 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK36SCR.10.1,40.S.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36SCR.10.1,40.S.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3701X-EBG

auf Bestellung 24 Stücke:

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TK3701Y-EBG-LF

2005

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK370A60F,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3711-EBG-LF

TEKNOVUSOO

BGA

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3711-EBG-LF

06+

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3711X-EBG-LE

0037+

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3713A-EEQ-LF

TEKNDVUS

08+ SOT23

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3714A-EEQ-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

TK3714A-EEQ-LFG-KO

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

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TK3714A-ETG-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

TK3715A-EEQ-LF6

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3715A-EEQ-LFG

O728

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3715A-EEQ-LFG

Description: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD

Produkt ist nicht verfügbar

TK3715A-EEQ-LFG

04+ QFP

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3721-EBG-LF

N/A

0443

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3721-EBG-LF

0548+ BGA

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3723B-HG-LFG

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3723B-HG-LFG

Description: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA

Produkt ist nicht verfügbar

TK3723B-HG-LFG

TEKNOVUS 10+ BGA

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3723B-HG-PBG

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3723C-HG-LFG

Description: IC EPON OLT ASIC

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TK372G

Description: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK37N.05.2,30.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	4.16 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR
25+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK37N.05.2,30.M.300.A

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.16 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR
25+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK37N.06.2,30.M.300.A

TK37N.06230M300A Contact Probes

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.38 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK37N.06.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 06
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N

Produkt ist nicht verfügbar

TK37N.06.4,00.M.300.A

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TK37N.07.4,00.M.300.A

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.4 EUR
20+	3.69 EUR
21+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK37N.07.4,00.M.300.A

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.4 EUR
20+	3.69 EUR
21+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK37N.08.2,30.M.300.A

TK37N.08230M300A Contact Probes

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.15 EUR
15+	4.76 EUR
30+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK37N.09.2,30.M.300.A

TK37N.09230M300A Contact Probes

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TK37N.09.4,00.M.300.A

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	5.38 EUR
16+	4.5 EUR
17+	4.26 EUR

Mindestbestellmenge: 14

TK37N.09.4,00.M.300.A

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.38 EUR
16+	4.5 EUR
17+	4.26 EUR

Mindestbestellmenge: 14

TK37N.10.2,30.M.300.A

TK37N.10230M300A Contact Probes

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.38 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK37N.10.4,00.M.300.A

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.92 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.27 EUR
24+	3.1 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK37N.10.4,00.M.300.A

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.92 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.27 EUR
24+	3.1 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK37N.10.6,50.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 6.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 6.5mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.86 EUR
21+	3.43 EUR
24+	3.07 EUR
25+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK37N.10.6,50.M.300.A

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.86 EUR
21+	3.43 EUR
24+	3.07 EUR
25+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK380A60Y,S4X

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.1A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

TK380A60Y,S4X

Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380A60Y,S4X

MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.41 EUR
18+	3.04 EUR
100+	2.47 EUR
250+	2.2 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.64 EUR
5000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 16

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK380A60Y,S4X

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TK380A60Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380A60Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK380A65Y,S4X

MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.26 EUR
15+	3.54 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.27 EUR
1000+	1.92 EUR
5000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TK380A65Y,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.76 EUR
10+	4.27 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK380A65Y,S4X(S

TK380A65Y,S4X(S

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380A65Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P60Y,RQ

MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A

auf Bestellung 1886 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.93 EUR
17+	3.22 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.72 EUR
2000+	1.62 EUR
4000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 14

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

auf Bestellung 7735 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.39 EUR
10+	3.92 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P60Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm

auf Bestellung 714 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380P60Y,RQ(S

auf Bestellung 714 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380P60Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

auf Bestellung 2188 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.95 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.21 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 213

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 213

TK380P65Y,RQ

MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A

auf Bestellung 41 Stücke:

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13+	4 EUR
18+	3.02 EUR
100+	2.44 EUR
250+	2.34 EUR
500+	2.22 EUR
1000+	1.91 EUR
2000+	1.81 EUR

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TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

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TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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TK380P65Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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TK380P65Y,RQ(S

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TK380P65Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK39A60W

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TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK39A60W,S4VX

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

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3+	22.65 EUR
10+	19.42 EUR
50+	17.6 EUR
100+	16.17 EUR
250+	15.24 EUR
500+	14.27 EUR
1000+	12.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK39A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

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TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

auf Bestellung 50 Stücke:

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18+	9.04 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK39A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 220 Stücke:

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TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC

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3+	25.22 EUR
10+	22.8 EUR
25+	21.71 EUR
100+	18.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK39J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

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1+	27.87 EUR

TK39J60W,S1VQ(O

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK39J60W,S1VQ(O

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TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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TK39J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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18+	9.19 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK39J60W5,S1VQ

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

auf Bestellung 14 Stücke:

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2+	28.26 EUR
10+	25.14 EUR
25+	24.39 EUR
100+	19.99 EUR
250+	19.76 EUR
500+	17.91 EUR
1000+	16.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK39J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P

auf Bestellung 26 Stücke:

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1+	28.89 EUR
10+	26.09 EUR

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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13+	12.03 EUR

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TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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TK39N60W

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TK39N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

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TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK39N60W,S1VF

MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

auf Bestellung 60 Stücke:

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5+	12.82 EUR
10+	11.34 EUR
30+	9.54 EUR
120+	8.32 EUR
270+	8.19 EUR
510+	7.67 EUR
1020+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.55 EUR
22+	6.97 EUR
30+	5.48 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK39N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK39N60W5
Produktcode: 183831

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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TK39N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 3111 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	15.52 EUR
30+	12.3 EUR
120+	10.55 EUR
510+	9.37 EUR
1020+	8.03 EUR
2010+	7.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkt ist nicht verfügbar

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK39N60W5,S1VF

MOSFET Power MOSFET N-Channel

auf Bestellung 3045 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	14.56 EUR
30+	11.15 EUR
120+	10.61 EUR
270+	10.5 EUR
510+	9.46 EUR
1020+	7.62 EUR
5010+	7.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkt ist nicht verfügbar

TK39N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.92 EUR
23+	6.67 EUR
30+	6.14 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK39N60W5S1VF(S

MOSFET

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TK39N60WS1VF(S

MOSFET

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TK39N60X,S1F

MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	17.11 EUR
10+	15.47 EUR
120+	11.34 EUR
270+	11.05 EUR
510+	10.22 EUR
1020+	9.15 EUR
2520+	9.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	16.64 EUR
30+	13.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.21 EUR
330+	4.61 EUR
660+	4.15 EUR
990+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 30

TK39N60X,S1F(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	8.45 EUR
12+	6.29 EUR
13+	5.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.38 EUR
15+	10.1 EUR
30+	9.23 EUR

Mindestbestellmenge: 11

TK39N60X,S1F(S

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	8.45 EUR
12+	6.29 EUR
13+	5.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

270+	6.8 EUR

Mindestbestellmenge: 270

TK39N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1406 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60XS1F(S

MOSFET

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TK39N60XS1F(S-X

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK39Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39Z60X,S1F(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK39Z60X,S1FS

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A60DA

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3A60DA(Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A60DA(Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.81 EUR
22+	2.4 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.18 EUR
5000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3A65D

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

31+	2.3 EUR
50+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 31

TK3A65D

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 31

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.41 EUR
18+	2.94 EUR
100+	2.68 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.58 EUR
2500+	1.55 EUR
5000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 16

TK3A65D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A65DA(STA4,QM)

Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A65DA(STA4,QM)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A90E,S4X

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.86 EUR
23+	2.34 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.24 EUR
2500+	1.18 EUR
5000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK3A90E,S4X

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3A90E,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A90E,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3A90ES4X(S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK3J10

2004

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3L10

2004

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3L10Z

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3P-3.5

Traktronix

Description: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK3P-5.08

Traktronix

Description: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK3P50D

Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RDVQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RQ

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3P50D,RQ(S

MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

auf Bestellung 1265 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.73 EUR
24+	2.23 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.2 EUR
2000+	1.12 EUR
4000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 20

TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.46 EUR
132+	1.15 EUR
168+	0.87 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 107

TK3P50D,RQ(S

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

auf Bestellung 1399 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.7 EUR
12+	2.21 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3P50D,RTRIDQ(S

TK 3P50D,RTRIDQ(S

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

auf Bestellung 1859 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.63 EUR
13+	2.15 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P80E,RQ

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

auf Bestellung 4202 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.65 EUR
24+	2.19 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.18 EUR
2000+	1.1 EUR
4000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 20

TK3P80E,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3P80E,RQ(S

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P80E,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	1.27 EUR
145+	1.04 EUR
169+	0.86 EUR
200+	0.78 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 123

TK3P80E,RQ(S

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	8.83 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1A04PL,S4X

MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.94 EUR
22+	2.37 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.25 EUR
5000+	1.16 EUR
10000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK3R1A04PL,S4X

Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK3R1A04PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1A04PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 39

TK3R1A04PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1E04PL,S1X

MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1E04PL,S1X

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.3 EUR
50+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 8

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	8.83 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.16 EUR
139+	1.09 EUR
151+	0.96 EUR
200+	0.9 EUR
800+	0.86 EUR
1600+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 135

TK3R1E04PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1P04PL

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TK3R1P04PL,RQ

MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

auf Bestellung 4498 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.7 EUR
24+	2.2 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.19 EUR
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TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

auf Bestellung 22528 Stücke:

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10+	2.68 EUR
12+	2.19 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

auf Bestellung 17500 Stücke:

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2500+	1.11 EUR
5000+	1.06 EUR
12500+	1.01 EUR

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TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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TK3R1P04PL,RQ(S2

Description: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

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TK3R1P04PL,RQ(S2

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R1P04PL,RQ(S2

auf Bestellung 2000 Stücke:

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TK3R2A08QM,S4X

Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM

auf Bestellung 2 Stücke:

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TK3R2A08QM,S4X

MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

auf Bestellung 58 Stücke:

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11+	5.17 EUR
13+	4.29 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.27 EUR
5000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 11

TK3R2A08QM,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R2A10PL,S4X

MOSFET TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

auf Bestellung 675 Stücke:

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8+	6.84 EUR
10+	5.69 EUR
100+	4.63 EUR
500+	4.45 EUR
1000+	3.07 EUR
5000+	2.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8

TK3R2A10PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK3R2A10PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

auf Bestellung 50 Stücke:

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4+	6.79 EUR
50+	5.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK3R2A10PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

auf Bestellung 86 Stücke:

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25+	6.49 EUR

Mindestbestellmenge: 25

TK3R2A10PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

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TK3R2A10PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R2E06PL

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TK3R2E06PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.06 EUR
50+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK3R2E06PL,S1X

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 918 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.08 EUR
16+	3.41 EUR
100+	2.68 EUR
250+	2.49 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	1.94 EUR
2500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 13

TK3R2E06PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK3R2E06PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R2E06PL,S1X(S

Silicon N-channel MOS

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.33 EUR
74+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 68

TK3R2E06PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R3A06PL,S4X

MOSFET TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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TK3R3A06PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

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TK3R3A06PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R3A06PL,S4X(S

TK3R3A06PL,S4X(S

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.31 EUR
75+	2.02 EUR
100+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 68

TK3R3A06PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R3E08QM

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TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.7 EUR
63+	2.41 EUR
100+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 58

TK3R3E08QM,S1X

MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

auf Bestellung 1285 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.46 EUR
12+	4.55 EUR
100+	3.69 EUR
500+	3.15 EUR
1000+	2.59 EUR
2500+	2.44 EUR
5000+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3R3E08QM,S1X

Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.72 EUR
10+	5.15 EUR
100+	4.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.7 EUR
63+	2.41 EUR
100+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 58

TK3R3E08QM,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R3E08QM,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R9E10PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R9E10PL,S1X

MOSFET TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 182-196 Tag (e)

10+	5.46 EUR
14+	3.95 EUR
100+	3.54 EUR
250+	3.48 EUR
500+	3.04 EUR
1000+	2.44 EUR
5000+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3R9E10PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R9E10PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R9E10PL,S1X(S