| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BDX53BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NC7SZ66P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Analogschalter: SPST - NO MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
NC7SZ66P5X.* | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5 Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V Analogschalter: SPST-NO MSL: MSL 1 - Unlimited Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
NC7SZ66P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Analogschalter: SPST - NO MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: -30 Versorgungsspannung, min.: 2.5 Bauform - Sensor: IBGA Anzahl der Pins: 80 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: 3.1 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0221SR2C00SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2160 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0239SRSC00SUEA0-DP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0237CSSC00SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0237CSSC00SHRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0221SR2C00SUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2160 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0239SRSC00SUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0239SRSC00SUEA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0237IRSH12SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0238CSSC12SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0237ATSC12XUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0238CSSC12SHRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0238CSSC12SPRA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 152 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
AR0237ATSC12XUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NCP4354ADR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832 tariffCode: 85415000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
KSB1151YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
NCP4371AACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCP4371 Versorgungsspannung, max.: 28 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NCP4371AACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCP4371 Versorgungsspannung, max.: 28 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FQA36P15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 36 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 294 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
FQP27P06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 120W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4243 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 18386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDD4243 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 42W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
auf Bestellung 18386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| FSL538HFLYGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSL538HFLYGEVB - EVAL.BOARD, OFFLINE-REGLERProzessorkern: FSL538HPG Kit-Anwendungsbereich: Power-Management Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSL538HPG Unterart Anwendung: Industrielle Netzteile, Haushaltsgeräte Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
|
2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
2SC5569-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
2SC5569-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
TIP32AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
TIP32G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP32G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
TIP31BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
TIP31G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP31G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
TL431BCDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BCDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V Bauform - Spannungsreferenz: SOIC isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: 0°C Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Referenzspannung: 2.495V bis 36V Betriebstemperatur, max.: 70°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% |
auf Bestellung 1742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
TL431BVDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V Bauform - Spannungsreferenz: SOIC isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TL431B productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Referenzspannung: 2.495V bis 36V Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% |
auf Bestellung 5346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
TL431BVDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V Bauform - Spannungsreferenz: SOIC isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TL431B productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Referenzspannung: 2.495V bis 36V Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% |
auf Bestellung 5346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SB10-05P-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)Bauform - Diode: SOT-89 Durchlassstoßstrom: 10 Durchlassspannung Vf max.: 550 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
SB10-05P-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)Bauform - Diode: SOT-89 Durchlassstoßstrom: 10 Durchlassspannung Vf max.: 550 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
NTR4101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV Verlustleistung: 730mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 23298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTR4101PT1H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTR4101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV Verlustleistung: 730mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 23298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FDPF39N20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 37W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm |
auf Bestellung 1616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| FDPF39N20TLDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 39 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 37 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
|
BC849BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 36730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
LV5686PVC-XH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung: 16V rohsCompliant: YES Anzahl der geregelten Ausgänge: 9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - digitaler IC: SIP usEccn: EAR99 Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: - Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der LDO-Regler: 3 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
DF01S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 VDurchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
DF01S. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REELDurchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: DIP Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
DF01S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 VDurchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
NTGD4167CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTGD1100LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8 Dauer-Drainstrom Id: - Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 830 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
NTGD1100LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8 Dauer-Drainstrom Id: - Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 830 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
NTGD3148NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NTGD3148NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
NSVJ6904DSB6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V |
auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
BZX85C5V1. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85C5V1. - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °CBauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 5.1 Verlustleistung Pd: 1 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BZX85C Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 5.1 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
GBPC1510 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC1510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 300A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| BDX53BG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.82 EUR |
| 129+ | 1.81 EUR |
| 159+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| NC7SZ66P5X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NC7SZ66P5X.* |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V
Analogschalter: SPST-NO
MSL: MSL 1 - Unlimited
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V
Analogschalter: SPST-NO
MSL: MSL 1 - Unlimited
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NC7SZ66P5X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: IBGA
Anzahl der Pins: 80
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: IBGA
Anzahl der Pins: 80
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0221SR2C00SUEA0-DRBR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2160 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0239SRSC00SUEA0-DP |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0237CSSC00SPRA0-DR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0237CSSC00SHRA0-DR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0221SR2C00SUEA0-DPBR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2160 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0239SRSC00SUEA0-DPBR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0239SRSC00SUEA0-DR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0237IRSH12SPRA0-DR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0238CSSC12SPRA0-DR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0230CSSC00SUEA0-DRBR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0237ATSC12XUEA0-DPBR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0238CSSC12SHRA0-DR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0238CSSC12SPRA0-DR1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AR0237ATSC12XUEA0-DRBR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP4354ADR2G. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832
tariffCode: 85415000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832
tariffCode: 85415000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.93 EUR |
| KSB1151YS |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP4371AACDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 556+ | 0.45 EUR |
| NCP4371AACDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 556+ | 0.45 EUR |
| FQA36P15 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQP27P06 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.52 EUR |
| 73+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
| 1000+ | 2.38 EUR |
| FDD4243 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 18386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.88 EUR |
| 145+ | 1.61 EUR |
| 225+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| FDD4243 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 18386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.95 EUR |
| 142+ | 1.64 EUR |
| 223+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| FSL538HFLYGEVB |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSL538HFLYGEVB - EVAL.BOARD, OFFLINE-REGLER
Prozessorkern: FSL538HPG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSL538HPG
Unterart Anwendung: Industrielle Netzteile, Haushaltsgeräte
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: ONSEMI - FSL538HFLYGEVB - EVAL.BOARD, OFFLINE-REGLER
Prozessorkern: FSL538HPG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSL538HPG
Unterart Anwendung: Industrielle Netzteile, Haushaltsgeräte
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SC5566-TD-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 2.26 EUR |
| 178+ | 1.31 EUR |
| 273+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| 2SC5566-TD-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 2.26 EUR |
| 178+ | 1.31 EUR |
| 273+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| 2SC5569-TD-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 2.82 EUR |
| 163+ | 1.43 EUR |
| 194+ | 1.11 EUR |
| 241+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 2SC5569-TD-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.82 EUR |
| 163+ | 1.43 EUR |
| 194+ | 1.11 EUR |
| 241+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| TIP32AG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.98 EUR |
| 179+ | 1.3 EUR |
| 203+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 5000+ | 0.83 EUR |
| TIP32G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP32G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TIP32G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 3.25 EUR |
| 164+ | 1.42 EUR |
| 207+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| TIP31BG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 83+ | 3.02 EUR |
| 156+ | 1.5 EUR |
| 183+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
| TIP31G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - TIP31G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TL431BCDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BCDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOIC
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
Description: ONSEMI - TL431BCDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOIC
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 240+ | 1.05 EUR |
| 342+ | 0.68 EUR |
| 447+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| TL431BVDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOIC
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOIC
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
auf Bestellung 5346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 231+ | 1.08 EUR |
| 332+ | 0.7 EUR |
| 432+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 2500+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.38 EUR |
| TL431BVDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOIC
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOIC
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
auf Bestellung 5346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 231+ | 1.08 EUR |
| 332+ | 0.7 EUR |
| 432+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 2500+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.38 EUR |
| SB10-05P-TD-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SB10-05P-TD-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTR4101PT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 23298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 249+ | 1 EUR |
| 479+ | 0.49 EUR |
| 637+ | 0.33 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |
| 1500+ | 0.23 EUR |
| NTR4101PT1H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 194+ | 1.3 EUR |
| 313+ | 0.74 EUR |
| 445+ | 0.48 EUR |
| 527+ | 0.4 EUR |
| 1500+ | 0.36 EUR |
| NTR4101PT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 23298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 249+ | 1 EUR |
| 479+ | 0.49 EUR |
| 637+ | 0.33 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |
| 1500+ | 0.23 EUR |
| FDPF39N20 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.52 EUR |
| 71+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
| 500+ | 2.14 EUR |
| 1000+ | 2 EUR |
| FDPF39N20TLDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BC849BLT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 885+ | 0.29 EUR |
| 1743+ | 0.13 EUR |
| 2305+ | 0.093 EUR |
| 3195+ | 0.067 EUR |
| 3598+ | 0.06 EUR |
| LV5686PVC-XH |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 88+ | 2.84 EUR |
| DF01S2 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DF01S. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DF01S2 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 2.27 EUR |
| 203+ | 1.15 EUR |
| 294+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1500+ | 0.55 EUR |
| NTGD1100LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTGD1100LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NTGD3148NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 134+ | 1.87 EUR |
| 216+ | 1.07 EUR |
| 334+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1500+ | 0.44 EUR |
| NTGD3148NT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 134+ | 1.87 EUR |
| 216+ | 1.07 EUR |
| 334+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1500+ | 0.44 EUR |
| NSVJ6904DSB6T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 3.15 EUR |
| 109+ | 2.13 EUR |
| 142+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| BZX85C5V1. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C5V1. - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.1
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BZX85C5V1. - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.1
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GBPC1510 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - GBPC1510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.84 EUR |
| 33+ | 7.1 EUR |
| 100+ | 5.55 EUR |
























