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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BZX79C8V2 BZX79C8V2 ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C8V2-T50A BZX79C8V2-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX85-C5V6 BZX85-C5V6 ONSEMI 2288275.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.6
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX85-C6V8 BZX85-C6V8 ONSEMI 2284018.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 6.8
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J105 J105 ONSEMI 2304100.pdf Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84C3V3LT1G BZX84C3V3LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5404RLG 1N5404RLG ONSEMI 112069.pdf Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US1GFA US1GFA ONSEMI 2572320.pdf Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US1GFA US1GFA ONSEMI 2572320.pdf Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV1406SNT1G NCV1406SNT1G ONSEMI NCP1406-D.PDF Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C15 BZX79C15 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79-C4V7 BZX79-C4V7 ONSEMI 2303921.pdf Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C3V3 BZX79C3V3 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79-C10 BZX79-C10 ONSEMI 2303921.pdf Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 10432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79-C9V1 BZX79-C9V1 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSP13BU KSP13BU ONSEMI 2572472.pdf Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSP13TA KSP13TA ONSEMI 2572472.pdf Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUV21G BUV21G ONSEMI ONSM-S-A0013215054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD682G BD682G ONSEMI 1912207.pdf Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6322C FDG6322C ONSEMI 2298613.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114UCW1T2G NUP4114UCW1T2G ONSEMI nup4114-d.pdf Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114UCLW1T2G NUP4114UCLW1T2G ONSEMI ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9511L-F085 FDD9511L-F085 ONSEMI 2711348.pdf Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9511L-F085 FDD9511L-F085 ONSEMI 2711348.pdf Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847AWT1G BC847AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9655EDWR2G PCA9655EDWR2G ONSEMI 1878425.pdf Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHC1GT126DT1G NLVVHC1GT126DT1G ONSEMI Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHC1GT126DF1G NLVVHC1GT126DF1G ONSEMI Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHCT125ADTRG NLVVHCT125ADTRG ONSEMI mc74vhct125a-d.pdf Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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NLVVHCT126ADTR2G NLVVHCT126ADTR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHC1GT50DFT1G NLVVHC1GT50DFT1G ONSEMI Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL17VHC1GT50DF1G NL17VHC1GT50DF1G ONSEMI mc74vhc1g50-d.pdf Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCL30086BHDR2G NCL30086BHDR2G ONSEMI 2053025.pdf Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 8.2V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NCL37733BSNT1G NCL37733BSNT1G ONSEMI 3191477.pdf Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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KA78R05CTU KA78R05CTU ONSEMI 2299719.pdf Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 1
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-220FP
Betriebstemperatur, min.: -20
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 500
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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KA5H0365RTU.. KA5H0365RTU.. ONSEMI 2264799.pdf Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4
Durchlasswiderstand: 4.5
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.15
Betriebstemperatur, min.: -25
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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RB520S30T1G RB520S30T1G ONSEMI rb520s30t1-d.pdf Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB520
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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RB520S30T5G RB520S30T5G ONSEMI RB520S30T1-D.PDF Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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RB520S30 RB520S30 ONSEMI 2288423.pdf Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Durchlassspannung Vf max.: 600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523F
Diodenkonfiguration: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Produktpalette: RB520
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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NL37WZ07USG NL37WZ07USG ONSEMI 1748766.pdf Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NL37WZ07USG NL37WZ07USG ONSEMI 1748766.pdf Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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NRVB230LSFT1G ONSEMI 1876695.pdf Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NRVB230LSFT1G ONSEMI 1876695.pdf Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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PZT2907AT3G PZT2907AT3G ONSEMI 1750830.pdf Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3106 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZT2907AT3G PZT2907AT3G ONSEMI 1750830.pdf Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP54 BCP54 ONSEMI ONSM-S-A0003590079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP54 BCP54 ONSEMI ONSM-S-A0003590079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5120SDI-50GT3 CAT5120SDI-50GT3 ONSEMI CAT5121-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY SI4435DY ONSEMI 2284382.pdf Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCP-5027UB-DT TCP-5027UB-DT ONSEMI TCP-5027UB-D.PDF Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB ONSEMI ar0140at?pdf= Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGB
Prozessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0130CSSC00SPCAH-GEVB AR0130CSSC00SPCAH-GEVB ONSEMI 2723235.pdf Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB ONSEMI ONSM-S-A0003550701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB ONSEMI ar0238-d.pdf Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", Mono
Prozessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB ONSEMI AR0330CM_Rev18_Mar2017.pdf Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGB
Prozessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1JFP RS1JFP ONSEMI RS1MFP-D.pdf Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1JFP RS1JFP ONSEMI RS1MFP-D.pdf Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1JFA RS1JFA ONSEMI 2729160.pdf Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30
Durchlassspannung Vf max.: 1.3
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 250
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 250
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1JFA RS1JFA ONSEMI 2729160.pdf Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 250
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124BU 2N4124BU ONSEMI 79915.pdf Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C8V2 ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C8V2
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C8V2-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C8V2-T50A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX85-C5V6 2288275.pdf
BZX85-C5V6
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.6
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX85-C6V8 2284018.pdf
BZX85-C6V8
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 6.8
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J105 2304100.pdf
J105
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84C3V3LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C3V3LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5404RLG 112069.pdf
1N5404RLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US1GFA 2572320.pdf
US1GFA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
US1GFA 2572320.pdf
US1GFA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV1406SNT1G NCP1406-D.PDF
NCV1406SNT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C15 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C15
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79-C4V7 2303921.pdf
BZX79-C4V7
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C3V3 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C3V3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79-C10 2303921.pdf
BZX79-C10
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 10432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79-C9V1 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79-C9V1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSP13BU 2572472.pdf
KSP13BU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSP13TA 2572472.pdf
KSP13TA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUV21G ONSM-S-A0013215054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUV21G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD682G 1912207.pdf
BD682G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6322C 2298613.pdf
FDG6322C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114UCW1T2G nup4114-d.pdf
NUP4114UCW1T2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NUP4114UCLW1T2G ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP4114UCLW1T2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9511L-F085 2711348.pdf
FDD9511L-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9511L-F085 2711348.pdf
FDD9511L-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847AWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9655EDWR2G 1878425.pdf
PCA9655EDWR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHC1GT126DT1G
NLVVHC1GT126DT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHC1GT126DF1G
NLVVHC1GT126DF1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHCT125ADTRG mc74vhct125a-d.pdf
NLVVHCT125ADTRG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHCT126ADTR2G
NLVVHCT126ADTR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLVVHC1GT50DFT1G
NLVVHC1GT50DFT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL17VHC1GT50DF1G mc74vhc1g50-d.pdf
NL17VHC1GT50DF1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCL30086BHDR2G 2053025.pdf
NCL30086BHDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 8.2V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCL37733BSNT1G 3191477.pdf
NCL37733BSNT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA78R05CTU 2299719.pdf
KA78R05CTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 1
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-220FP
Betriebstemperatur, min.: -20
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 500
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5H0365RTU.. 2264799.pdf
KA5H0365RTU..
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4
Durchlasswiderstand: 4.5
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.15
Betriebstemperatur, min.: -25
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30T1G rb520s30t1-d.pdf
RB520S30T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB520
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30T5G RB520S30T1-D.PDF
RB520S30T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30 2288423.pdf
RB520S30
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Durchlassspannung Vf max.: 600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523F
Diodenkonfiguration: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Produktpalette: RB520
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL37WZ07USG 1748766.pdf
NL37WZ07USG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL37WZ07USG 1748766.pdf
NL37WZ07USG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NRVB230LSFT1G 1876695.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NRVB230LSFT1G 1876695.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZT2907AT3G 1750830.pdf
PZT2907AT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZT2907AT3G 1750830.pdf
PZT2907AT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP54 ONSM-S-A0003590079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP54
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP54 ONSM-S-A0003590079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP54
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP54 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT5120SDI-50GT3 CAT5121-D.PDF
CAT5120SDI-50GT3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY 2284382.pdf
SI4435DY
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCP-5027UB-DT TCP-5027UB-D.PDF
TCP-5027UB-DT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB ar0140at?pdf=
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGB
Prozessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0130CSSC00SPCAH-GEVB 2723235.pdf
AR0130CSSC00SPCAH-GEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB ONSM-S-A0003550701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB ar0238-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", Mono
Prozessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB AR0330CM_Rev18_Mar2017.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGB
Prozessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1JFP RS1MFP-D.pdf
RS1JFP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1JFP RS1MFP-D.pdf
RS1JFP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1JFA 2729160.pdf
RS1JFA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30
Durchlassspannung Vf max.: 1.3
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 250
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 250
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1JFA 2729160.pdf
RS1JFA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 250
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4124BU 79915.pdf
2N4124BU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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