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6N90
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF6N90-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF6N90-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQAF6N90 FQAF6N90 Fairchild Semiconductor FAIRS42345-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
182+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N90C ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90C ON-Semicoductor fqpf6n90c-d.pdf N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G6N90F G6N90F Goford Semiconductor G6N90F.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
11+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.17 EUR
10+70.42 EUR
100+68.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FAIR10A S29GL256N90FAIR10A Spansion FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+31.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: STB16N90K5
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.64 EUR
10+5.89 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.88 EUR
10+3.16 EUR
100+2.19 EUR
500+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.34 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.34 EUR
13+5.58 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.72 EUR
33+2.17 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.72 EUR
33+2.17 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.56 EUR
50+2.11 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.10 EUR
75+1.95 EUR
150+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339608.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.49 EUR
30+1.94 EUR
120+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK6N90D1B WMK6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
112+0.64 EUR
156+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML6N90D1 WML6N90D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
79+0.91 EUR
96+0.75 EUR
102+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML6N90D1B WML6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
112+0.64 EUR
183+0.39 EUR
194+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT28C256N-90
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90 FQA6N90.pdf
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C_F109 FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90 fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90 FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90 FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N90 FSC FQP6N90.pdf 09+ SOT23-..
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90 FAIRCHIL FQPF6N90.pdf 09+ SOP
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GL256N90FFIR1 SPANSION BGA 09+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFM6N90 IXY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description MODULE
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description
auf Bestellung 138 Stücke:
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MTH6N90
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S29GL256N90TEIR2
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S29GL256N90TFI01
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S29GL256N90TFI010 SPANSION 06+
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S29GL256N90TFIR1 SPANSION TSOP56
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S29GL256N90TFIR10H SPANSION 0527+
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6N90
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AOTF6N90 AOTF6N90-DTE.pdf
AOTF6N90
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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AOTF6N90 AOTF6N90-DTE.pdf
AOTF6N90
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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FQAF6N90 FAIRS42345-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF6N90
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
182+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 182
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FQP6N90C fqpf6n90c-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FQPF6N90C fqpf6n90c-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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G6N90F G6N90F.pdf
G6N90F
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.71 EUR
11+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFN56N90P
IXFN56N90P
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.17 EUR
10+70.42 EUR
100+68.40 EUR
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S29GL256N90FAIR10A FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
S29GL256N90FAIR10A
Hersteller: Spansion
Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+31.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Transistors - Unclassified
Description: STB16N90K5
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.64 EUR
10+5.89 EUR
100+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 5712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.88 EUR
10+3.16 EUR
100+2.19 EUR
500+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.34 EUR
13+5.58 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
33+2.17 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.72 EUR
33+2.17 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.56 EUR
50+2.11 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N90K5 STU6N90K5.pdf
STU6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.10 EUR
75+1.95 EUR
150+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STW6N90K5 en.DM00339608.pdf
STW6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.49 EUR
30+1.94 EUR
120+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK6N90D1B
WMK6N90D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
76+0.94 EUR
112+0.64 EUR
156+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML6N90D1
WML6N90D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 261 Stücke:
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Anzahl Preis
71+1.02 EUR
79+0.91 EUR
96+0.75 EUR
102+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML6N90D1B
WML6N90D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 791 Stücke:
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76+0.94 EUR
112+0.64 EUR
183+0.39 EUR
194+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT28C256N-90
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90 FQA6N90.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C_F109
Hersteller: FAIRCHILD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N90 FQP6N90.pdf
Hersteller: FSC
09+ SOT23-..
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90 FQPF6N90.pdf
Hersteller: FAIRCHIL
09+ SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GL256N90FFIR1
Hersteller: SPANSION
BGA 09+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFM6N90
Hersteller: IXY
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
MODULE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
07+;
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N-90L
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N-90L
09+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N-90LL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N90L
Hersteller: SHARP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N90LL
Hersteller: SHARP
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTH6N90
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTM6N90
Hersteller: MOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FFIR10
Hersteller: SPANSION
BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FFIR10
Hersteller: SPANSION
06+
auf Bestellung 300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FFIR10
Hersteller: SPANSION
06+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FFIR10A
Hersteller: SPANSION
BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FFIR10E
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TEIR2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFI01
auf Bestellung 20 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFI010
Hersteller: SPANSION
06+
auf Bestellung 800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFI010
Hersteller: SPANSION
06+
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR1
Hersteller: SPANSION
TSOP56
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR10 download
Hersteller: SPANSION
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR10 download
Hersteller: SPANSION
05+
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR10.
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR10H
Hersteller: SPANSION
0527+
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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