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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
6N90 6N90 WXDH TDH6n90_WXDH_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2.3Ohm; 6A; 120W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP6NK90Z; 6N90 DONGHAI TDH6n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6N90
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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AOTF6N90 AOTF6N90 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF6N90-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIJ006N90 DIJ006N90 DIOTEC SEMICONDUCTOR dij006n90.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37.5W
Version: ESD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 16A
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N90C FQP6N90C ON-Semiconductor info-tfqp6n90c.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90C FQPF6N90C ON-Semiconductor info-tfqpf6n90c.pdf N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G6N90F G6N90F Goford Semiconductor G6N90F.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS DS100066BIXFN56N90P.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+128.17 EUR
10+98.58 EUR
50+91.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN56N90P-Datasheet.PDF MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+128.76 EUR
10+110.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FAIR10A S29GL256N90FAIR10A Spansion FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+291.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.57 EUR
10+6.34 EUR
100+5.34 EUR
500+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.52 EUR
10+8.41 EUR
50+6.65 EUR
100+6.09 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB16N90K5 STB16N90K5 STMicroelectronics stb16n90k5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 11894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+3.77 EUR
100+2.64 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.14 EUR
2500+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N90K5 STD6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339589.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 4178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
10+3.71 EUR
50+2.84 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: MDmesh™ M6
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N90K5 STF16N90K5 STMicroelectronics stf16n90k5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.45 EUR
10+6.85 EUR
100+4.5 EUR
500+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+2.67 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.77 EUR
5000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 STF6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339599.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI6N90K5 STI6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339602.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+3.01 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP6N90K5 STP6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339586.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.62 EUR
5000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N90K5 STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+2.57 EUR
100+2.39 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.7 EUR
3000+1.64 EUR
6000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339608.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.7 EUR
30+3.65 EUR
60+3.28 EUR
120+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5 STW6N90K5 STMicroelectronics en.DM00339608.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.59 EUR
10+3.31 EUR
100+3.01 EUR
600+2.24 EUR
3000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK6N90D1B WMK6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML6N90D1 WML6N90D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 24A
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML6N90D1B WML6N90D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM6N90D1 WMM6N90D1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86.2nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 24A
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-A6N9-0204D XR-A6N9-0204D X-Microwave RF Development Tools Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+158.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT28C256N-90
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90 FQA6N90.pdf
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C_F109 FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90 FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N90 FSC FQP6N90.pdf 09+ SOT23-..
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90 FAIRCHIL FQPF6N90.pdf 09+ SOP
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GL256N90FFIR1 SPANSION BGA 09+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFM6N90
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF description 07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N-90L
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LH52256N-90LL
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LH52256N90L SHARP
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LH52256N90LL SHARP
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MTH6N90
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MTM6N90 MOTOROLA
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S29GL256N90
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S29GL256N90FFIR10 SPANSION 06+
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S29GL256N90FFIR10A SPANSION BGA
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S29GL256N90FFIR10E
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S29GL256N90TEIR2
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S29GL256N90TFI01
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S29GL256N90TFI010 SPANSION 06+
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S29GL256N90TFIR1 SPANSION TSOP56
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S29GL256N90TFIR10 SPANSION download
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S29GL256N90TFIR10.
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S29GL256N90TFIR10H SPANSION 08+ TSOP-56
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR2 SPANSION TSOP56
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR20 SPANSION
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR20H SPANSION 07+
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6N90 TDH6n90_WXDH_0001.pdf
6N90
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2.3Ohm; 6A; 120W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP6NK90Z; 6N90 DONGHAI TDH6n90
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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6N90
auf Bestellung 100 Stücke:
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AOTF6N90 AOTF6N90-DTE.pdf
AOTF6N90
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DIJ006N90 dij006n90.pdf
DIJ006N90
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 37.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 37.5W
Version: ESD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 16A
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FQP6N90C info-tfqp6n90c.pdf
FQP6N90C
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FQPF6N90C info-tfqpf6n90c.pdf
FQPF6N90C
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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G6N90F G6N90F.pdf
G6N90F
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
auf Bestellung 32 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+3.52 EUR
10+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IXFN56N90P DS100066BIXFN56N90P.pdf
IXFN56N90P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+128.17 EUR
10+98.58 EUR
50+91.14 EUR
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IXFN56N90P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN56N90P-Datasheet.PDF
IXFN56N90P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
auf Bestellung 243 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+128.76 EUR
10+110.61 EUR
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S29GL256N90FAIR10A FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
S29GL256N90FAIR10A
Hersteller: Spansion
Description: S29GL256N - PARALLEL NOR MIRRORB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+291.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.57 EUR
10+6.34 EUR
100+5.34 EUR
500+5.18 EUR
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STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.52 EUR
10+8.41 EUR
50+6.65 EUR
100+6.09 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STB16N90K5 stb16n90k5.pdf
STB16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 11894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.89 EUR
10+3.77 EUR
100+2.64 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.14 EUR
2500+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N90K5 en.DM00339589.pdf
STD6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 4178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.74 EUR
10+3.71 EUR
50+2.84 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: MDmesh™ M6
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N90K5 stf16n90k5.pdf
STF16N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.45 EUR
10+6.85 EUR
100+4.5 EUR
500+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.38 EUR
10+2.67 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.77 EUR
5000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N90K5 en.DM00339599.pdf
STF6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STI6N90K5 en.DM00339602.pdf
STI6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.19 EUR
10+3.01 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP6N90K5 en.DM00339586.pdf
STP6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.62 EUR
5000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N90K5 STU6N90K5.pdf
STU6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N90K5 STU6N90K5.pdf
STU6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.11 EUR
10+2.57 EUR
100+2.39 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.7 EUR
3000+1.64 EUR
6000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW6N90K5 en.DM00339608.pdf
STW6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.7 EUR
30+3.65 EUR
60+3.28 EUR
120+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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STW6N90K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.59 EUR
10+3.31 EUR
100+3.01 EUR
600+2.24 EUR
3000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK6N90D1B
WMK6N90D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML6N90D1
WML6N90D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 24A
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML6N90D1B
WML6N90D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM6N90D1
WMM6N90D1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86.2nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 24A
auf Bestellung 777 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XR-A6N9-0204D
XR-A6N9-0204D
Hersteller: X-Microwave
RF Development Tools Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CAT28C256N-90
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90 FQA6N90.pdf
auf Bestellung 1800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA6N90C_F109
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 2100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB6N90
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP6N90 FQP6N90.pdf
Hersteller: FSC
09+ SOT23-..
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF6N90 FQPF6N90.pdf
Hersteller: FAIRCHIL
09+ SOP
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GL256N90FFIR1
Hersteller: SPANSION
BGA 09+
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFM6N90
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN26N90 description media?resourcetype=datasheets&itemid=EFE530A2-11FA-4732-8FB0-9A3EC28D189F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN26N90-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N-90L
auf Bestellung 780 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N-90LL
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N90L
Hersteller: SHARP
auf Bestellung 700 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LH52256N90LL
Hersteller: SHARP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTH6N90
auf Bestellung 4004 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTM6N90
Hersteller: MOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FFIR10
Hersteller: SPANSION
06+
auf Bestellung 300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FFIR10A
Hersteller: SPANSION
BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90FFIR10E
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TEIR2
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFI01
auf Bestellung 20 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFI010
Hersteller: SPANSION
06+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR1
Hersteller: SPANSION
TSOP56
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S29GL256N90TFIR10 download
Hersteller: SPANSION
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR10.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR10H
Hersteller: SPANSION
08+ TSOP-56
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S29GL256N90TFIR2
Hersteller: SPANSION
TSOP56
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR20
Hersteller: SPANSION
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL256N90TFIR20H
Hersteller: SPANSION
07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH