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IRF840A IRF840A
Produktcode: 35892
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IR 91065.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 221 Stück
5 Stück - stock Köln
216 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.84 EUR
10+0.67 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 182602
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Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 398 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF840SPBF IRF840SPBF
Produktcode: 82665
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VISHAY sihf840s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 184 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF840 Vishay irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.64 EUR
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IRF84093 HARRIS IRF84093
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 325
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IRF840A Siliconix 91065.pdf description Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.57 EUR
10+2.41 EUR
100+2.32 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.26 EUR
73+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.25 EUR
73+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840APBF IRF840APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.52 EUR
33+2.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
33+2.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRF840APBF IRF840APBF Vishay Semiconductors 91065.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+2.11 EUR
100+2.02 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.94 EUR
2000+1.88 EUR
5000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF Vishay 91065.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.61 EUR
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IRF840APBF IRF840APBF VISHAY VISH-S-A0013276592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91065.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 10625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.16 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.23 EUR
5000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.35 EUR
64+2.18 EUR
100+2.03 EUR
250+1.89 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.65 EUR
47+1.54 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.97 EUR
100+1.94 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.94 EUR
98+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.95 EUR
98+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+3.08 EUR
100+2.52 EUR
500+1.94 EUR
800+1.92 EUR
2400+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.78 EUR
100+2.9 EUR
500+2.39 EUR
800+2.27 EUR
2400+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840B Vishay IRF%28S%29840B.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840B Siliconix IRF%28S%29840B.pdf description N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF IRF840BPBF VISHAY VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840HPBF IRF840HPBF VISHAY 3789918.pdf Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF Vishay Semiconductors sihf840l.pdf description MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.17 EUR
10+2.45 EUR
100+2.39 EUR
500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.79 EUR
30+2.45 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.79 EUR
30+2.45 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay Semiconductors 91067.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.84 EUR
10+1.87 EUR
100+1.69 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.41 EUR
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF840PBF IRF840PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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38+1.93 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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38+1.93 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF IRF840PBF VISHAY VISH-S-A0013329288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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90+1.62 EUR
91+1.54 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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115+1.21 EUR
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IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91070.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0002281136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 533 Stücke:
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IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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56+2.62 EUR
72+1.94 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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IRF840S Siliconix sihf840s.pdf N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF840S IR sihf840s.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=500V; Id=8A
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IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.14 EUR
38+1.92 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
38+1.92 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY VISH-S-A0013329290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 379 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840A
Produktcode: 35892
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description 91065.pdf
IRF840A
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 221 Stück
5 Stück - stock Köln
216 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF
Produktcode: 182602
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irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 398 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF840SPBF
Produktcode: 82665
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sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 184 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840 irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf
Hersteller: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.64 EUR
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IRF84093
Hersteller: HARRIS
IRF84093
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
325+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 325
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840A description 91065.pdf
Hersteller: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.57 EUR
10+2.41 EUR
100+2.32 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+2.26 EUR
73+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+2.25 EUR
73+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IRF840ALPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ALPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF840APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050
IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
33+2.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRF840APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050
IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
33+2.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.52 EUR
10+2.11 EUR
100+2.02 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.94 EUR
2000+1.88 EUR
5000+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF 91065.pdf
Hersteller: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF VISH-S-A0013276592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 10625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+2.16 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.23 EUR
5000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3 VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
62+2.35 EUR
64+2.18 EUR
100+2.03 EUR
250+1.89 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224
IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
47+1.54 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.97 EUR
100+1.94 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.94 EUR
98+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.95 EUR
98+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASTRLPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.33 EUR
10+3.08 EUR
100+2.52 EUR
500+1.94 EUR
800+1.92 EUR
2400+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.28 EUR
10+3.78 EUR
100+2.9 EUR
500+2.39 EUR
800+2.27 EUR
2400+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840BPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840HPBF 3789918.pdf
IRF840HPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
IRF840LCLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.17 EUR
10+2.45 EUR
100+2.39 EUR
500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
30+2.45 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
30+2.45 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.84 EUR
10+1.87 EUR
100+1.69 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
104+1.39 EUR
109+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+1.39 EUR
110+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF-BE3 91067.pdf
IRF840LCPBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.41 EUR
10+2.09 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.31 EUR
5000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBF sihf840l.pdf
IRF840LCSPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.34 EUR
10+3.59 EUR
100+2.99 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
48+1.52 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3850 Stücke:
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Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
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88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 10812 Stücke:
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2+2.52 EUR
10+1.76 EUR
100+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.24 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4195 Stücke:
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Anzahl Preis
90+1.62 EUR
91+1.54 EUR
100+1.39 EUR
500+1.2 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4988 Stücke:
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Anzahl Preis
115+1.26 EUR
116+1.21 EUR
121+1.11 EUR
500+1 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF VISH-S-A0013329288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4195 Stücke:
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Anzahl Preis
90+1.62 EUR
91+1.54 EUR
100+1.39 EUR
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1000+0.94 EUR
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IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+1.27 EUR
115+1.21 EUR
120+1.12 EUR
500+1 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF840PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1056 Stücke:
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Anzahl Preis
1+2.97 EUR
10+2.29 EUR
100+1.8 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3 VISH-S-A0002281136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3 91070.pdf
IRF840PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF-BE3 91070.pdf
IRF840PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
56+2.62 EUR
72+1.94 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S sihf840s.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF840S sihf840s.pdf
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=500V; Id=8A
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
38+1.92 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
38+1.92 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF VISH-S-A0013329290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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