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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLU024N IRLU024N
Produktcode: 32876 		IR IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
erwartet: 990 Stück
1+0.44 EUR
10+ 0.42 EUR
IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061 		IR Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
erwartet: 200 Stück
IRLU2905PBF IRLU2905PBF
Produktcode: 184659 		datasheetIRLU2905PBF.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLU2905Z IRLU2905Z
Produktcode: 182753 		IR irlr2905z-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Управление логическим уровнем
JHGF: THT
erwartet: 40 Stück
IRLU8726PBF IRLU8726PBF
Produktcode: 33747 		IR irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
1+0.7 EUR
10+ 0.57 EUR
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY IRLU014.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.2 EUR
115+ 0.63 EUR
127+ 0.56 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 60
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU014
auf Bestellung 3286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.81 EUR
6000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
75+ 1.14 EUR
150+ 0.9 EUR
525+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.8 EUR
207+ 0.72 EUR
221+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 195
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+0.75 EUR
221+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 207
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065Ω IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 5438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
75+ 1.11 EUR
150+ 0.88 EUR
525+ 0.75 EUR
1050+ 0.61 EUR
2025+ 0.57 EUR
5025+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf description MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 8871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+ 0.95 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.78 EUR
250+ 0.72 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.63 EUR
2500+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 198
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.63 EUR
264+ 0.56 EUR
265+ 0.54 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.36 EUR
6000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 247
IRLU024PBF IRLU024PBF VISHAY IRLU024.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
114+ 0.63 EUR
129+ 0.56 EUR
137+ 0.53 EUR
143+ 0.5 EUR
300+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 64
IRLU024PBF IRLU024PBF VISHAY IRLU024.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
114+ 0.63 EUR
129+ 0.56 EUR
137+ 0.53 EUR
143+ 0.5 EUR
300+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 64
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay Siliconix sihlr024.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.66 EUR
75+ 2.14 EUR
150+ 1.76 EUR
525+ 1.49 EUR
1050+ 1.26 EUR
2025+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay Semiconductors sihlr024.pdf description MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU024
auf Bestellung 5604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.36 EUR
10+ 1.81 EUR
100+ 1.53 EUR
250+ 1.49 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.54 EUR
111+ 1.34 EUR
125+ 1.15 EUR
250+ 1.08 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 101
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.54 EUR
111+ 1.34 EUR
125+ 1.15 EUR
250+ 1.08 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 101
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.15 EUR
142+ 1.05 EUR
151+ 0.96 EUR
250+ 0.91 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 135
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.15 EUR
142+ 1.05 EUR
151+ 0.96 EUR
250+ 0.91 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 135
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay Semiconductors sihlr110.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU110
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+ 1.33 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 7082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
75+ 1.31 EUR
150+ 1.04 EUR
525+ 0.88 EUR
1050+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.01 EUR
176+ 0.85 EUR
206+ 0.7 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 154
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.88 EUR
206+ 0.73 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 176
IRLU120N International Rectifier N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.8 EUR
80+ 0.9 EUR
100+ 0.72 EUR
118+ 0.61 EUR
120+ 0.6 EUR
125+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
80+ 0.9 EUR
100+ 0.72 EUR
118+ 0.61 EUR
120+ 0.6 EUR
125+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 8160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf description MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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134+1.15 EUR
158+ 0.95 EUR
184+ 0.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 134
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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IRLU3110Z International Rectifier N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.36 EUR
34+ 2.14 EUR
40+ 1.83 EUR
44+ 1.63 EUR
47+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
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31+2.36 EUR
34+ 2.14 EUR
40+ 1.83 EUR
44+ 1.63 EUR
47+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a description Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 3752 Stücke:
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7+2.87 EUR
75+ 2.32 EUR
150+ 1.91 EUR
525+ 1.61 EUR
1050+ 1.37 EUR
2025+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf description MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
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1+2.9 EUR
10+ 2.34 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.51 EUR
3000+ 1.31 EUR
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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75+2.08 EUR
87+ 1.72 EUR
102+ 1.42 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.98 EUR
3000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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77+2.01 EUR
83+ 1.81 EUR
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500+ 1.28 EUR
1000+ 1.11 EUR
2000+ 1 EUR
3000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 77
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15975 Stücke:
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75+2.08 EUR
87+ 1.72 EUR
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3000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15975 Stücke:
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IRLU3114Z International Rectifier N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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25+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLU3410 International Rectifier N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
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25+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
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2+1.56 EUR
10+ 1.24 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.7 EUR
3000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
75+ 1.38 EUR
150+ 1.09 EUR
525+ 0.93 EUR
1050+ 0.76 EUR
2025+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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174+0.89 EUR
211+ 0.71 EUR
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1000+ 0.51 EUR
3000+ 0.46 EUR
6000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 174
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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193+0.8 EUR
205+ 0.73 EUR
210+ 0.69 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.6 EUR
3000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 193
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.78 EUR
228+ 0.65 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 200
IRLU024N
Produktcode: 32876		 description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLU024N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
erwartet: 990 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.44 EUR
10+ 0.42 EUR
IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
erwartet: 200 Stück
IRLU2905PBF
Produktcode: 184659		 description datasheetIRLU2905PBF.pdf
IRLU2905PBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLU2905Z
Produktcode: 182753		 irlr2905z-datasheet.pdf
IRLU2905Z
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Управление логическим уровнем
JHGF: THT
erwartet: 40 Stück
IRLU8726PBF
Produktcode: 33747		 description irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLU8726PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 86
Rds(on), Ohm: 0.0056
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.7 EUR
10+ 0.57 EUR
IRLU014PBF IRLU014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+1.2 EUR
115+ 0.63 EUR
127+ 0.56 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 60
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU014
auf Bestellung 3286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.36 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.81 EUR
6000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.41 EUR
75+ 1.14 EUR
150+ 0.9 EUR
525+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
195+0.8 EUR
207+ 0.72 EUR
221+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 195
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
207+0.75 EUR
221+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 207
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065Ω IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 5438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.37 EUR
75+ 1.11 EUR
150+ 0.88 EUR
525+ 0.75 EUR
1050+ 0.61 EUR
2025+ 0.57 EUR
5025+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRLU024NPBF description Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 8871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.37 EUR
10+ 0.95 EUR
100+ 0.78 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
198+0.78 EUR
250+ 0.72 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.63 EUR
2500+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 198
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU024PBF description IRLU024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 477 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
64+1.13 EUR
114+ 0.63 EUR
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137+ 0.53 EUR
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IRLU024PBF description IRLU024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
64+1.13 EUR
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137+ 0.53 EUR
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IRLU024PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 2385 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.66 EUR
75+ 2.14 EUR
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525+ 1.49 EUR
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IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU024
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100+ 1.53 EUR
250+ 1.49 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.17 EUR
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IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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111+ 1.34 EUR
125+ 1.15 EUR
250+ 1.08 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.94 EUR
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IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2413 Stücke:
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101+1.54 EUR
111+ 1.34 EUR
125+ 1.15 EUR
250+ 1.08 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.94 EUR
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IRLU024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Anzahl Preis ohne MwSt
135+1.15 EUR
142+ 1.05 EUR
151+ 0.96 EUR
250+ 0.91 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.81 EUR
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IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2320 Stücke:
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135+1.15 EUR
142+ 1.05 EUR
151+ 0.96 EUR
250+ 0.91 EUR
500+ 0.86 EUR
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IRLU110PBF IRLR110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.23 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
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IRLU110PBF IRLR110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 859 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.23 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
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IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU110
auf Bestellung 2432 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.65 EUR
10+ 1.33 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.92 EUR
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IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 7082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.64 EUR
75+ 1.31 EUR
150+ 1.04 EUR
525+ 0.88 EUR
1050+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
154+1.01 EUR
176+ 0.85 EUR
206+ 0.7 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 154
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
176+0.88 EUR
206+ 0.73 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 176
IRLU120N
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.8 EUR
80+ 0.9 EUR
100+ 0.72 EUR
118+ 0.61 EUR
120+ 0.6 EUR
125+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+1.8 EUR
80+ 0.9 EUR
100+ 0.72 EUR
118+ 0.61 EUR
120+ 0.6 EUR
125+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 40
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 8160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.43 EUR
75+ 1.15 EUR
150+ 0.91 EUR
525+ 0.77 EUR
1050+ 0.63 EUR
2025+ 0.59 EUR
5025+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRLU120NPBF description Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
auf Bestellung 27557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
134+1.15 EUR
158+ 0.95 EUR
184+ 0.78 EUR
200+ 0.71 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 134
IRLU120NPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU3110Z
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+2.36 EUR
34+ 2.14 EUR
40+ 1.83 EUR
44+ 1.63 EUR
47+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+2.36 EUR
34+ 2.14 EUR
40+ 1.83 EUR
44+ 1.63 EUR
47+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 31
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 3752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.87 EUR
75+ 2.32 EUR
150+ 1.91 EUR
525+ 1.61 EUR
1050+ 1.37 EUR
2025+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IRLU3110ZPBF description Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
auf Bestellung 2612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.9 EUR
10+ 2.34 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.62 EUR
1000+ 1.51 EUR
3000+ 1.31 EUR
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+2.08 EUR
87+ 1.72 EUR
102+ 1.42 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.98 EUR
3000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
77+2.01 EUR
83+ 1.81 EUR
100+ 1.47 EUR
200+ 1.33 EUR
500+ 1.28 EUR
1000+ 1.11 EUR
2000+ 1 EUR
3000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 77
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
75+2.08 EUR
87+ 1.72 EUR
102+ 1.42 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.98 EUR
3000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 75
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf
IRLU3110ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU3114Z
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLU3410
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRLU3410PBF Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
auf Bestellung 3112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.56 EUR
10+ 1.24 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.7 EUR
3000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.72 EUR
75+ 1.38 EUR
150+ 1.09 EUR
525+ 0.93 EUR
1050+ 0.76 EUR
2025+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
174+0.89 EUR
211+ 0.71 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.51 EUR
3000+ 0.46 EUR
6000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 174
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 12448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
193+0.8 EUR
205+ 0.73 EUR
210+ 0.69 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.6 EUR
3000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 193
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU3410PBF INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU3410PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3410PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.78 EUR
228+ 0.65 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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