Suchergebnisse für "10n8" : > 120
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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1210N820J500CT | Walsin |
 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 50 V T&R GP |
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1210N820J501CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 500 V T&R MH |
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1210N820J631CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 630 V T&R MH |
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1210N820K101CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 100 V T&R MH |
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1210N820K102CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 1K V T&R MH |
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1210N820K202CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 2K V T&R MH |
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1210N820K501CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 500 V T&R MH |
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1210N820K631CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 630 V T&R MH |
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1210N821F101CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 1% 100 V T&R MH |
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1210N821G251CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 2% 250 V T&R MH |
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1210N821J101CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 100 V T&R MH |
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1210N821J201CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 200 V T&R MH |
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1210N821J500CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 820pF, +-5%, 50V |
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1210N821J501CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 500 V T&R MH |
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1210N821K251CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 10% 250 V T&R MH |
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1210N822F500CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 1% 50 V T&R GP |
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1210N822G101CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 2% 100 V T&R MH |
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1210N822G500CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 2% 50 V T&R GP |
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1210N822J631CT | WALSIN |
Category: MLCC SMD capacitors Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210 Mounting: SMD Operating voltage: 630V Kind of capacitor: MLCC Case - mm: 3225 Case - inch: 1210 Operating temperature: -55...125°C Tolerance: ±5% Type of capacitor: ceramic Dielectric: C0G (NP0) Capacitance: 8.2nF |
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1210N822J631CT | WALSIN |
Category: MLCC SMD capacitors Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210 Mounting: SMD Operating voltage: 630V Kind of capacitor: MLCC Case - mm: 3225 Case - inch: 1210 Operating temperature: -55...125°C Tolerance: ±5% Type of capacitor: ceramic Dielectric: C0G (NP0) Capacitance: 8.2nF Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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1210N822K101CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 10% 100 V T&R MH |
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1210N822K500CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 10% 50 V T&R GP |
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| 1210N831K152NX055T | Knowles Dielectric Labs | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 830PF 1.5KV 10% 1210 |
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45-1T00.10N8.000.100 | EAO | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (45-1T00.10N8.000.100) |
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45-1T00.10N8.000.400 | EAO | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (45-1T00.10N8.000.400) |
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| 660-008B10N-81 | Glenair |
Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories PLUG COVER NO ATTACHMENT |
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8525-10N8B3APNH | Souriau |
Circular MIL Spec Connector |
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AL02FT10N8 | Viking |
Category: Inductors Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1% Mounting: SMD Operating current: 0.2A Inductance: 10.8nH Type of inductor: thin film Q factor: 13 Test frequency: 500MHz Resonant frequency: 4.5GHz Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 Resistance: 1.35Ω Tolerance: ±1% |
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AL02FT10N8 | Viking |
Category: Inductors Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1% Mounting: SMD Operating current: 0.2A Inductance: 10.8nH Type of inductor: thin film Q factor: 13 Test frequency: 500MHz Resonant frequency: 4.5GHz Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 Resistance: 1.35Ω Tolerance: ±1% Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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| BXP10N80F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 44W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 71nC Pulsed drain current: 40A |
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| BXP10N80F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 44W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 71nC Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FDBL0210N80 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 240A Power dissipation: 357W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 130nC |
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GKBA10N8 | Honeywell |
Keylock Switches SAFETY |
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IXFA10N80P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC |
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IXFH10N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC |
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IXFN110N85X | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A Technology: HiPerFET™; X-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 110A Power dissipation: 1170W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 33mΩ Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 205ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 425nC Pulsed drain current: 220A Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
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IXFP10N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC |
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IXFP10N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| JVR10N820K65PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10% Mounting: THT Kind of package: bag Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 82V Varistor max current 8/20µs: 2.5kA Energy E10/1000µs: 11J Manufacturer series: STANDARD Terminal pitch: 5mm Power: 0.4W Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø10mm Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC Leads: straight |
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| JVR10N820K65PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10% Mounting: THT Kind of package: bag Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 82V Varistor max current 8/20µs: 2.5kA Energy E10/1000µs: 11J Manufacturer series: STANDARD Terminal pitch: 5mm Power: 0.4W Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø10mm Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC Leads: straight Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| JVR10N820K87PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10% Mounting: THT Kind of package: bag Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 82V Varistor max current 8/20µs: 2.5kA Energy E10/1000µs: 11J Manufacturer series: STANDARD Terminal pitch: 7.5mm Power: 0.4W Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø10mm Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC Leads: straight |
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| JVR10N820K87PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10% Mounting: THT Kind of package: bag Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 82V Varistor max current 8/20µs: 2.5kA Energy E10/1000µs: 11J Manufacturer series: STANDARD Terminal pitch: 7.5mm Power: 0.4W Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø10mm Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC Leads: straight Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| JVR10N821K87PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J Mounting: THT Kind of package: bag Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 820V Varistor max current 8/20µs: 2.5kA Energy E10/1000µs: 94J Manufacturer series: JVR Terminal pitch: 7.5mm Power: 0.4W Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø10mm Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC Leads: straight |
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| JVR10N821K87PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J Mounting: THT Kind of package: bag Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 820V Varistor max current 8/20µs: 2.5kA Energy E10/1000µs: 94J Manufacturer series: JVR Terminal pitch: 7.5mm Power: 0.4W Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø10mm Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC Leads: straight Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| JVZ10N821K87PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J Mounting: THT Kind of package: bag Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 820V Varistor max current 8/20µs: 2.5kA Energy E10/1000µs: 94J Manufacturer series: JVZ Terminal pitch: 7.5mm Power: 0.4W Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø10mm Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC Leads: straight |
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| JVZ10N821K87PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J Mounting: THT Kind of package: bag Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 820V Varistor max current 8/20µs: 2.5kA Energy E10/1000µs: 94J Manufacturer series: JVZ Terminal pitch: 7.5mm Power: 0.4W Tolerance: ±10% Body dimensions: Ø10mm Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC Leads: straight Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| STD110N8F6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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STP10N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Pulsed drain current: 36A |
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| STP10N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET |
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TN2510N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 730mA Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A |
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TP2510N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -480mA Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -2.5A |
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TSM10N80CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.7A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC |
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| TSM10N80CZ C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.7A Power dissipation: 290W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC |
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| UNDK 10N8914 | BAUMER |
Category: Ultrasonic Sensors Description: Sensor: ultrasonic Type of sensor: ultrasonic |
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| UNDK 10N8914/KS35A | BAUMER |
Category: Ultrasonic Sensors Description: Sensor: ultrasonic Type of sensor: ultrasonic |
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| UNDK 10N8914/S35A | BAUMER |
Category: Ultrasonic Sensors Description: Sensor: ultrasonic Type of sensor: ultrasonic |
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| URDK 10N8914 | BAUMER |
Category: Ultrasonic Sensors Description: Sensor: ultrasonic Type of sensor: ultrasonic |
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| URDK 10N8914/KS35A | BAUMER |
Category: Ultrasonic Sensors Description: Sensor: ultrasonic Type of sensor: ultrasonic |
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| URDK 10N8914/S35A | BAUMER |
Category: Ultrasonic Sensors Description: Sensor: ultrasonic Type of sensor: ultrasonic |
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WMJ10N80D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 215W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 910mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 33nC Pulsed drain current: 40A |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 1210N820J500CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 50 V T&R GP
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 50 V T&R GP
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1210N820J501CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 500 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 500 V T&R MH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1210N820J631CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 630 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 5% 630 V T&R MH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1210N820K101CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 100 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 100 V T&R MH
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1210N820K102CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 1K V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 1K V T&R MH
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| 1210N820K202CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 2K V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 2K V T&R MH
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| 1210N820K501CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 500 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 500 V T&R MH
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| 1210N820K631CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 630 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 82 pF, +/- 10% 630 V T&R MH
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 1% 100 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 1% 100 V T&R MH
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| 1210N821G251CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 2% 250 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 2% 250 V T&R MH
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| 1210N821J101CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 100 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 100 V T&R MH
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| 1210N821J201CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 200 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 200 V T&R MH
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| 1210N821J500CT |
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Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 820pF, +-5%, 50V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 820pF, +-5%, 50V
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| 1210N821J501CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 500 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 5% 500 V T&R MH
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| 1210N821K251CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 10% 250 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 820 pF, +/- 10% 250 V T&R MH
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| 1210N822F500CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 1% 50 V T&R GP
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 1% 50 V T&R GP
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| 1210N822G101CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 2% 100 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 2% 100 V T&R MH
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Stück im Wert von UAH
| 1210N822G500CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 2% 50 V T&R GP
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 2% 50 V T&R GP
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Stück im Wert von UAH
| 1210N822J631CT |
|
Hersteller: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Operating voltage: 630V
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 8.2nF
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Operating voltage: 630V
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 8.2nF
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Stück im Wert von UAH
| 1210N822J631CT |
|
Hersteller: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Operating voltage: 630V
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 8.2nF
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Operating voltage: 630V
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 8.2nF
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| 1210N822K101CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 10% 100 V T&R MH
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 10% 100 V T&R MH
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Stück im Wert von UAH
| 1210N822K500CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 10% 50 V T&R GP
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 MLCC NPO 8200 pF, +/- 10% 50 V T&R GP
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Stück im Wert von UAH
| 1210N831K152NX055T |
Hersteller: Knowles Dielectric Labs
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 830PF 1.5KV 10% 1210
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 830PF 1.5KV 10% 1210
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Stück im Wert von UAH
| 45-1T00.10N8.000.100 |
Hersteller: EAO
Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (45-1T00.10N8.000.100)
Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (45-1T00.10N8.000.100)
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Stück im Wert von UAH
| 45-1T00.10N8.000.400 |
Hersteller: EAO
Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (45-1T00.10N8.000.400)
Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (45-1T00.10N8.000.400)
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Stück im Wert von UAH
| 660-008B10N-81 |
|
Hersteller: Glenair
Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories PLUG COVER NO ATTACHMENT
Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories PLUG COVER NO ATTACHMENT
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Stück im Wert von UAH
| 8525-10N8B3APNH |
|
Hersteller: Souriau
Circular MIL Spec Connector
Circular MIL Spec Connector
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| AL02FT10N8 |
|
Hersteller: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1%
Mounting: SMD
Operating current: 0.2A
Inductance: 10.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 13
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 4.5GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 1.35Ω
Tolerance: ±1%
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1%
Mounting: SMD
Operating current: 0.2A
Inductance: 10.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 13
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 4.5GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 1.35Ω
Tolerance: ±1%
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Stück im Wert von UAH
| AL02FT10N8 |
|
Hersteller: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1%
Mounting: SMD
Operating current: 0.2A
Inductance: 10.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 13
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 4.5GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 1.35Ω
Tolerance: ±1%
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1%
Mounting: SMD
Operating current: 0.2A
Inductance: 10.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 13
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 4.5GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 1.35Ω
Tolerance: ±1%
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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| BXP10N80F |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BXP10N80F |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDBL0210N80 |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GKBA10N8 |
|
Hersteller: Honeywell
Keylock Switches SAFETY
Keylock Switches SAFETY
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFA10N80P |
|
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFH10N80P |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFN110N85X |
|
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFP10N80P |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFP10N80P |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JVR10N820K65PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10%
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 82V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 11J
Manufacturer series: STANDARD
Terminal pitch: 5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC
Leads: straight
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10%
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 82V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 11J
Manufacturer series: STANDARD
Terminal pitch: 5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC
Leads: straight
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JVR10N820K65PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10%
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 82V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 11J
Manufacturer series: STANDARD
Terminal pitch: 5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC
Leads: straight
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10%
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 82V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 11J
Manufacturer series: STANDARD
Terminal pitch: 5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC
Leads: straight
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JVR10N820K87PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10%
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 82V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 11J
Manufacturer series: STANDARD
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC
Leads: straight
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10%
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 82V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 11J
Manufacturer series: STANDARD
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC
Leads: straight
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JVR10N820K87PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10%
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 82V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 11J
Manufacturer series: STANDARD
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC
Leads: straight
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 50VAC; 65VDC; 82V; 2.5kA; Ø10mm; 11J; ±10%
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 82V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 11J
Manufacturer series: STANDARD
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 50V AC; 65V DC
Leads: straight
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JVR10N821K87PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 820V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 94J
Manufacturer series: JVR
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC
Leads: straight
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 820V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 94J
Manufacturer series: JVR
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC
Leads: straight
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JVR10N821K87PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 820V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 94J
Manufacturer series: JVR
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC
Leads: straight
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 820V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 94J
Manufacturer series: JVR
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC
Leads: straight
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JVZ10N821K87PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 820V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 94J
Manufacturer series: JVZ
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC
Leads: straight
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 820V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 94J
Manufacturer series: JVZ
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC
Leads: straight
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JVZ10N821K87PU5 |
|
Hersteller: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 820V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 94J
Manufacturer series: JVZ
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC
Leads: straight
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 510VAC; 670VDC; 820V; 2.5kA; Ø10mm; 94J
Mounting: THT
Kind of package: bag
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 820V
Varistor max current 8/20µs: 2.5kA
Energy E10/1000µs: 94J
Manufacturer series: JVZ
Terminal pitch: 7.5mm
Power: 0.4W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: Ø10mm
Max. operating voltage: 510V AC; 670V DC
Leads: straight
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| STD110N8F6 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| STP10N80K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| STP10N80K5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TN2510N8-G |
|
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TP2510N8-G |
|
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -480mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -480mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSM10N80CI C0G |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSM10N80CZ C0G |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 290W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 290W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 290W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UNDK 10N8914 |
Hersteller: BAUMER
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UNDK 10N8914/KS35A |
Hersteller: BAUMER
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UNDK 10N8914/S35A |
Hersteller: BAUMER
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| URDK 10N8914 |
Hersteller: BAUMER
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| URDK 10N8914/KS35A |
Hersteller: BAUMER
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| URDK 10N8914/S35A |
Hersteller: BAUMER
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
Category: Ultrasonic Sensors
Description: Sensor: ultrasonic
Type of sensor: ultrasonic
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| WMJ10N80D1 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH