Suchergebnisse für "10n8" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
1210N822J500CT 1210N822J500CT Walsin WTC_MLCC_General_Purpose.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi / Fairchild FDBL0210N80-D.pdf MOSFETs Code D IMR
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+5.9 EUR
100+5.09 EUR
1000+4.61 EUR
2000+4.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.13 EUR
16+4.48 EUR
22+3.35 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
16+4.48 EUR
22+3.35 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 9039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 800V
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.08 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.53 EUR
10+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+90.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+90.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN110N85X_Datasheet.PDF MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+110 EUR
10+102.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 80A; 167W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD110N8F6 STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf MOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa
auf Bestellung 7353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+1.34 EUR
100+1.31 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF10N80K5 STF10N80K5 STMicroelectronics en.DM00122529.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+2.11 EUR
100+2.09 EUR
500+2.04 EUR
1000+1.97 EUR
2000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFU10N80K5 STFU10N80K5 STMicroelectronics en.DM00122529.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+3.84 EUR
100+2.83 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG STMicroelectronics sth10n80k5-2ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.7 EUR
100+3.59 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.69 EUR
2000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STO-01T-110N-8 STO-01T-110N-8 JST Commercial eTAB_ON_IN_CHAIN.pdf Terminals TAB-ON TERMINAL STO-110 SERIES
auf Bestellung 33267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.15 EUR
40+0.07 EUR
49+0.058 EUR
100+0.051 EUR
250+0.044 EUR
1000+0.039 EUR
2500+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STO-41T-110N-8 JST Commercial eTAB-ON-IN-CHAIN.pdf Automotive Connectors TAB-ON CHAIN TERMINAL
auf Bestellung 3891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.15 EUR
38+0.076 EUR
45+0.063 EUR
100+0.056 EUR
250+0.048 EUR
1000+0.04 EUR
2500+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
25+3.17 EUR
100+2.86 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005950A.pdf MOSFETs 100V 1.5Ohm
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
25+1.71 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED484E423C0FD6C21EC&compId=tp2510.pdf?ci_sign=c65f57e7f5e08fd7e06791453b60d2edf7de89f8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.48A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED484E423C0FD6C21EC&compId=tp2510.pdf?ci_sign=c65f57e7f5e08fd7e06791453b60d2edf7de89f8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.48A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf MOSFETs 100V 3.5Ohm
auf Bestellung 3337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
25+1.94 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.83 EUR
50+1.46 EUR
66+1.09 EUR
73+0.99 EUR
120+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
50+1.46 EUR
66+1.09 EUR
73+0.99 EUR
120+0.92 EUR
300+0.87 EUR
900+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.49 EUR
35+2.09 EUR
43+1.67 EUR
57+1.26 EUR
100+1.13 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
35+2.09 EUR
43+1.67 EUR
57+1.26 EUR
100+1.13 EUR
250+1.04 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
94+0.76 EUR
107+0.67 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
94+0.76 EUR
107+0.67 EUR
250+0.61 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
25+2.86 EUR
100+0.86 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.76 EUR
103+0.7 EUR
108+0.66 EUR
250+0.61 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
103+0.7 EUR
108+0.66 EUR
250+0.61 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80 Fairchild FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C FAIRCHILD FQA10N80C.pdf 2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor fqa10n80c_f109-d.pdf
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FUS10N878A 04+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSV3110N-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP10N80
auf Bestellung 3355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80A SEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS10N80
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80FI
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH8PF10N+8H5FN TI 02+ TQFP;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VN1310N8-P024
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8011
+1
 		8011 VISATON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED492A6D5C914CF21EC&compId=VS-SC10N-8.pdf?ci_sign=980d665c9c58529b2009d6203c5af888f95183aa Category: Speakers
Description: Loudspeaker; tweeter; 50W; 8Ω; Ø104x33.5mm; Ø: 104mm
Type of sound transducer: loudspeaker
Power: 50W
Maximum power: 80W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: Ø104x33.5mm
Resonant frequency: 1.7kHz
Height: 33.5mm
Diameter: 104mm
Kind of loudspeaker: tweeter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.78 EUR
4+23.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8011 8011 Visaton Cable_Grips.pdf Speakers & Transducers Magnetically shielded 25mm(1") fabric dome driver 100-150W 1000 20000Hz 8ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.95 EUR
10+39.37 EUR
25+36.31 EUR
50+33.04 EUR
100+32.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Осердя B64290L0618X087 EPCOS Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 3301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+3.13 EUR
100+2.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Осердя B65813J0000R087 EPCOS Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.5 EUR
10+4.87 EUR
100+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Осердя B65813J0250A087 EPCOS Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+17.19 EUR
10+15.21 EUR
100+13.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N822J500CT WTC_MLCC_General_Purpose.pdf
1210N822J500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.74 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 FDBL0210N80-D.pdf
FDBL0210N80
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Code D IMR
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.39 EUR
10+5.9 EUR
100+5.09 EUR
1000+4.61 EUR
2000+4.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
16+4.48 EUR
22+3.35 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
16+4.48 EUR
22+3.35 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 9039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 800V
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.53 EUR
10+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+90.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+90.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN110N85X_Datasheet.PDF
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+110 EUR
10+102.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N80P_Datasheet.PDF
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.29 EUR
10+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 80A; 167W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
STD110N8F6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa
auf Bestellung 7353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.42 EUR
10+1.34 EUR
100+1.31 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF10N80K5 en.DM00122529.pdf
STF10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.34 EUR
10+2.11 EUR
100+2.09 EUR
500+2.04 EUR
1000+1.97 EUR
2000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFU10N80K5 en.DM00122529.pdf
STFU10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.88 EUR
10+3.84 EUR
100+2.83 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH10N80K5-2AG sth10n80k5-2ag.pdf
STH10N80K5-2AG
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.08 EUR
10+4.7 EUR
100+3.59 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.69 EUR
2000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STO-01T-110N-8 eTAB_ON_IN_CHAIN.pdf
STO-01T-110N-8
Hersteller: JST Commercial
Terminals TAB-ON TERMINAL STO-110 SERIES
auf Bestellung 33267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.15 EUR
40+0.07 EUR
49+0.058 EUR
100+0.051 EUR
250+0.044 EUR
1000+0.039 EUR
2500+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STO-41T-110N-8 eTAB-ON-IN-CHAIN.pdf
Hersteller: JST Commercial
Automotive Connectors TAB-ON CHAIN TERMINAL
auf Bestellung 3891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.15 EUR
38+0.076 EUR
45+0.063 EUR
100+0.056 EUR
250+0.048 EUR
1000+0.04 EUR
2500+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
25+3.17 EUR
100+2.86 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Hersteller: Microchip
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005950A.pdf
TN2510N8-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 100V 1.5Ohm
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.04 EUR
25+1.71 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED484E423C0FD6C21EC&compId=tp2510.pdf?ci_sign=c65f57e7f5e08fd7e06791453b60d2edf7de89f8
TP2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.48A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED484E423C0FD6C21EC&compId=tp2510.pdf?ci_sign=c65f57e7f5e08fd7e06791453b60d2edf7de89f8
TP2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.48A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
Hersteller: Microchip
P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 100V 3.5Ohm
auf Bestellung 3337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
25+1.94 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
50+1.46 EUR
66+1.09 EUR
73+0.99 EUR
120+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
50+1.46 EUR
66+1.09 EUR
73+0.99 EUR
120+0.92 EUR
300+0.87 EUR
900+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WMK10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
35+2.09 EUR
43+1.67 EUR
57+1.26 EUR
100+1.13 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WMK10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
35+2.09 EUR
43+1.67 EUR
57+1.26 EUR
100+1.13 EUR
250+1.04 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
94+0.76 EUR
107+0.67 EUR
250+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
94+0.76 EUR
107+0.67 EUR
250+0.61 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WML10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WML10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
25+2.86 EUR
100+0.86 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WMO10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
103+0.7 EUR
108+0.66 EUR
250+0.61 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WMO10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
103+0.7 EUR
108+0.66 EUR
250+0.61 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80 FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C FQA10N80C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 fqa10n80c_f109-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FUS10N878A
04+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSV3110N-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP10N80
auf Bestellung 3355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80A
Hersteller: SEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS10N80
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80FI
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH8PF10N+8H5FN
Hersteller: TI
02+ TQFP;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VN1310N8-P024
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8011 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED492A6D5C914CF21EC&compId=VS-SC10N-8.pdf?ci_sign=980d665c9c58529b2009d6203c5af888f95183aa
8011
+1
Hersteller: VISATON
Category: Speakers
Description: Loudspeaker; tweeter; 50W; 8Ω; Ø104x33.5mm; Ø: 104mm
Type of sound transducer: loudspeaker
Power: 50W
Maximum power: 80W
Impedance: 8Ω
Body dimensions: Ø104x33.5mm
Resonant frequency: 1.7kHz
Height: 33.5mm
Diameter: 104mm
Kind of loudspeaker: tweeter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.78 EUR
4+23.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8011 Cable_Grips.pdf
8011
Hersteller: Visaton
Speakers & Transducers Magnetically shielded 25mm(1") fabric dome driver 100-150W 1000 20000Hz 8ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+48.95 EUR
10+39.37 EUR
25+36.31 EUR
50+33.04 EUR
100+32.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Осердя B64290L0618X087
Hersteller: EPCOS
Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 3301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.48 EUR
10+3.13 EUR
100+2.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Осердя B65813J0000R087
Hersteller: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.5 EUR
10+4.87 EUR
100+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Осердя B65813J0250A087
Hersteller: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.19 EUR
10+15.21 EUR
100+13.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]