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2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
36000+0.07 EUR
54000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2238516.pdf Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 31419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
691+0.10 EUR
792+0.09 EUR
1480+0.05 EUR
1563+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
691+0.10 EUR
792+0.09 EUR
1480+0.05 EUR
1563+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002K(SOT-23).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002K(SOT-23).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 17479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
76+0.23 EUR
123+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002K(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP Micro Commercial Components 2n7002ksot-23.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3334+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP Micro Commercial Components 2n7002ksot-23.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3334+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002K(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KA-TP 2N7002KA-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002KA(SOT-23).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.33 EUR
86+0.21 EUR
191+0.09 EUR
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor 2N7002KDW-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
336+0.21 EUR
807+0.09 EUR
962+0.07 EUR
1292+0.06 EUR
1367+0.05 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor 2N7002KDW-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
336+0.21 EUR
807+0.09 EUR
962+0.07 EUR
1292+0.06 EUR
1367+0.05 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 2N7002KDW-AU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 2N7002KDW-AU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-TP 2N7002KDW-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002KDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
250+0.29 EUR
421+0.17 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-TP 2N7002KDW-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002KDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
250+0.29 EUR
421+0.17 EUR
642+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDWBQ-TP 2N7002KDWBQ-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002KDWBQ(SOT-363).pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Power - Max: 240mW (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75nC @ 10V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
37+0.48 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDWBQ-TP 2N7002KDWBQ-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002KDWBQ(SOT-363).pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Power - Max: 240mW (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75nC @ 10V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDWBQ-TP 2N7002KDWBQ-TP Micro Commercial Components 2n7002kdwbqsot-363.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002KDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002KDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 21508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
82+0.21 EUR
132+0.13 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW_R1_00001 PanJit 2N7002KDW.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW_R1_00001 PanJit 2N7002KDW.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3247+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KHE3-TP 2N7002KHE3-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002KHE3(SOT-23).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.40 EUR
66+0.27 EUR
103+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KL3-TP 2N7002KL3-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002KL3(DFN1006-3).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
43+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KM-TP 2N7002KM-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002KM(SOT-723).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 5260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.60 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7002kpw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1.2A; 0.275W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.275W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
506+0.14 EUR
812+0.09 EUR
1352+0.05 EUR
1938+0.04 EUR
2874+0.03 EUR
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7002kpw.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1.2A; 0.275W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.275W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
506+0.14 EUR
812+0.09 EUR
1352+0.05 EUR
1938+0.04 EUR
2874+0.03 EUR
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Diotec Semiconductor 2n7002kpw.pdf Description: MOSFET, SOT-323, 60V, 0.31A, 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.19 EUR
129+0.14 EUR
191+0.09 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KPW-AQ Diotec Semiconductor 2n7002kpw.pdf 2N7002KPW-AQ
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-13 2N7002KQ-13 DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1160+0.06 EUR
1280+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-13 2N7002KQ-13 DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1160+0.06 EUR
1280+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-13 2N7002KQ-13 Diodes Incorporated 2N7002K.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
70+0.25 EUR
112+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.10 EUR
2000+0.09 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1060+0.07 EUR
1160+0.06 EUR
1440+0.05 EUR
1520+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 DIODES INCORPORATED 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1060+0.07 EUR
1160+0.06 EUR
1440+0.05 EUR
1520+0.05 EUR
12000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Diodes Incorporated 2N7002KQ.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3650+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 Diodes Zetex 2n7002k.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Nexperia USA Inc. 2N7002KQB.pdf Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Nexperia USA Inc. 2N7002KQB.pdf Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.11 EUR
10000+0.10 EUR
15000+0.10 EUR
25000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 7868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1327+0.12 EUR
1444+0.10 EUR
1583+0.09 EUR
1752+0.08 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1327
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ NEXPERIA 3594602.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 960mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.635ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ NEXPERIA 3594602.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Nexperia 2n7002kqb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 7868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
719+0.22 EUR
1216+0.12 EUR
1327+0.10 EUR
1444+0.09 EUR
1583+0.08 EUR
1752+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 719
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT-TP 2N7002KT-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002KT(SOT-523).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT-TP 2N7002KT-TP MCC (Micro Commercial Components) 2N7002KT(SOT-523).pdf Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 9593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
76+0.23 EUR
123+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G ON-Semicoductor 2n7002k-d.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G VISHAY T2N7002kt1ge3
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2N7002KT1G ONSEMI 2N7002K.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2N7002KT1G onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2N7002KT1G ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3425+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2N7002KT1G ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
36000+0.07 EUR
54000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002K-T1-GE3 VISH-S-A0010743898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-T1-GE3 2238516.pdf
2N7002K-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 2N7002K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 31419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K.pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
691+0.10 EUR
792+0.09 EUR
1480+0.05 EUR
1563+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K.pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
691+0.10 EUR
792+0.09 EUR
1480+0.05 EUR
1563+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K(SOT-23).pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K(SOT-23).pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 17479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+0.39 EUR
76+0.23 EUR
123+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K(SOT-23).pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2n7002ksot-23.pdf
2N7002K-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3334+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2n7002ksot-23.pdf
2N7002K-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3334+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K-TP 2N7002K(SOT-23).pdf
2N7002K-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - 2N7002K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KA-TP 2N7002KA(SOT-23).pdf
2N7002KA-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+0.33 EUR
86+0.21 EUR
191+0.09 EUR
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU.pdf
2N7002KDW-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
336+0.21 EUR
807+0.09 EUR
962+0.07 EUR
1292+0.06 EUR
1367+0.05 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU.pdf
2N7002KDW-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
336+0.21 EUR
807+0.09 EUR
962+0.07 EUR
1292+0.06 EUR
1367+0.05 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU.pdf
2N7002KDW-AU_R1_000A1
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU.pdf
2N7002KDW-AU_R1_000A1
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-TP 2N7002KDW.pdf
2N7002KDW-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
250+0.29 EUR
421+0.17 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW-TP 2N7002KDW.pdf
2N7002KDW-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
250+0.29 EUR
421+0.17 EUR
642+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDWBQ-TP 2N7002KDWBQ(SOT-363).pdf
2N7002KDWBQ-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Power - Max: 240mW (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75nC @ 10V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
37+0.48 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDWBQ-TP 2N7002KDWBQ(SOT-363).pdf
2N7002KDWBQ-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Power - Max: 240mW (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75nC @ 10V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDWBQ-TP 2n7002kdwbqsot-363.pdf
2N7002KDWBQ-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW.pdf
2N7002KDW_R1_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW.pdf
2N7002KDW_R1_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 21508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
82+0.21 EUR
132+0.13 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW.pdf
Hersteller: PanJit
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW.pdf
Hersteller: PanJit
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3247+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KHE3-TP 2N7002KHE3(SOT-23).pdf
2N7002KHE3-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+0.40 EUR
66+0.27 EUR
103+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KL3-TP 2N7002KL3(DFN1006-3).pdf
2N7002KL3-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+0.67 EUR
43+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KM-TP 2N7002KM(SOT-723).pdf
2N7002KM-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 5260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.60 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KPW-AQ 2n7002kpw.pdf
2N7002KPW-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1.2A; 0.275W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.275W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
506+0.14 EUR
812+0.09 EUR
1352+0.05 EUR
1938+0.04 EUR
2874+0.03 EUR
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KPW-AQ 2n7002kpw.pdf
2N7002KPW-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1.2A; 0.275W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.275W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
506+0.14 EUR
812+0.09 EUR
1352+0.05 EUR
1938+0.04 EUR
2874+0.03 EUR
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KPW-AQ 2n7002kpw.pdf
2N7002KPW-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, SOT-323, 60V, 0.31A, 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
129+0.14 EUR
191+0.09 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KPW-AQ 2n7002kpw.pdf
Hersteller: Diotec Semiconductor
2N7002KPW-AQ
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-13 2N7002K.pdf
2N7002KQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1160+0.06 EUR
1280+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-13 2N7002K.pdf
2N7002KQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1160+0.06 EUR
1280+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-13 2N7002K.pdf
2N7002KQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+0.42 EUR
70+0.25 EUR
112+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.10 EUR
2000+0.09 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002K.pdf
2N7002KQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1060+0.07 EUR
1160+0.06 EUR
1440+0.05 EUR
1520+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002K.pdf
2N7002KQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1060+0.07 EUR
1160+0.06 EUR
1440+0.05 EUR
1520+0.05 EUR
12000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2N7002KQ.pdf
2N7002KQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2n7002k.pdf
2N7002KQ-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3650+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
2N7002KQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2n7002k.pdf
2N7002KQ-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 2n7002k.pdf
2N7002KQ-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3624+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQ-7 DIOD-S-A0009691901-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
2N7002KQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQB.pdf
2N7002KQBZ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2N7002KQB.pdf
2N7002KQBZ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.11 EUR
10000+0.10 EUR
15000+0.10 EUR
25000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2n7002kqb.pdf
2N7002KQBZ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 7868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1327+0.12 EUR
1444+0.10 EUR
1583+0.09 EUR
1752+0.08 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1327
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 3594602.pdf
2N7002KQBZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 960mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.635ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 3594602.pdf
2N7002KQBZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002KQBZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 720 mA, 0.635 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.635ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2n7002kqb.pdf
2N7002KQBZ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2n7002kqb.pdf
2N7002KQBZ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KQBZ 2n7002kqb.pdf
2N7002KQBZ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.72A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 7868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
719+0.22 EUR
1216+0.12 EUR
1327+0.10 EUR
1444+0.09 EUR
1583+0.08 EUR
1752+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 719
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT-TP 2N7002KT(SOT-523).pdf
2N7002KT-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT-TP 2N7002KT(SOT-523).pdf
2N7002KT-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 9593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+0.39 EUR
76+0.23 EUR
123+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2n7002k-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G VISHAY T2N7002kt1ge3
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2N7002K.PDF
2N7002KT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2n7002k-d.pdf
2N7002KT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2n7002k-d.pdf
2N7002KT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3425+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2n7002k-d.pdf
2N7002KT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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