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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQB4N80TM | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP4N80 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP4N80 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 24A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK44N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK44N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFK44N80P | IXYS |
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auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK44N80Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK44N80Q3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN44N80P | IXYS |
![]() ![]() Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 39A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 694W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 200nC Kind of channel: enhancement Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN44N80P | IXYS |
![]() ![]() Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 39A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 694W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 200nC Kind of channel: enhancement Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFN44N80P | IXYS |
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auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFR24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFR24N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT14N80P | IXYS |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX44N80P | IXYS |
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auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP4N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 560ns |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP4N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 560ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP4N80P | IXYS |
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auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHA24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHD4N80E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG24N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP24N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 51A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP24N80AE-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 51A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHP24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 4373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP24N80AEF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP24N80AEF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHP24N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP4N80E-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 25613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHU4N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD04N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP04N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP04N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP04N80C3 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP04N80C3XKSA1 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB14N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF14N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF4N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL4N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP14N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP4N80K5 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT34N80B2C3 | APT | 09+ |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
APT34N80LC3 |
auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
DD104N800K | AEG | 05+ |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQB4N80 | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQB4N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQB4N80 | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQB4N80 | FAIRCHILD | TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQI4N80TU | Fairchild |
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auf Bestellung 40265 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQP4N80 | Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FQPF4N80 | Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IXFN44N80 | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
MTP4N80E |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
MTW4N80 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
MTW4N80E |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
SPA04N80C3.SPP04N80C3 |
auf Bestellung 18505 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
FQB4N80TM |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
MOSFETs 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.41 EUR |
10+ | 2.52 EUR |
100+ | 1.97 EUR |
500+ | 1.52 EUR |
FQP4N80 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
FQP4N80 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
12+ | 5.96 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
250+ | 1.33 EUR |
IXFK24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
IXFK24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
IXFK44N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.66 EUR |
25+ | 18.9 EUR |
IXFK44N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.66 EUR |
25+ | 18.9 EUR |
IXFK44N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 44 Amps 800V
MOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 32.68 EUR |
10+ | 32.44 EUR |
25+ | 23.8 EUR |
IXFK44N80Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.28 EUR |
IXFK44N80Q3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.28 EUR |
IXFN44N80P | ![]() |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 37.29 EUR |
3+ | 35.26 EUR |
IXFN44N80P | ![]() |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 37.29 EUR |
3+ | 35.26 EUR |
IXFN44N80P | ![]() |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 36 Amps 800V
MOSFET Modules 36 Amps 800V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 52.75 EUR |
10+ | 39.37 EUR |
IXFR24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.41 EUR |
7+ | 10.67 EUR |
IXFR24N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.41 EUR |
7+ | 10.67 EUR |
30+ | 10.27 EUR |
IXFT14N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXFT14N80P SMD N channel transistors
IXFT14N80P SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.14 EUR |
10+ | 7.24 EUR |
IXFX44N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 44 Amps 800V
MOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 32.05 EUR |
10+ | 28.49 EUR |
30+ | 23.74 EUR |
IXTP4N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
IXTP4N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
26+ | 2.75 EUR |
IXTP4N80P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.97 EUR |
50+ | 2.69 EUR |
100+ | 2.66 EUR |
500+ | 2.6 EUR |
1000+ | 2.55 EUR |
SIHA24N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.66 EUR |
25+ | 2.8 EUR |
100+ | 2.73 EUR |
500+ | 2.71 EUR |
1000+ | 2.59 EUR |
SIHB24N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.63 EUR |
10+ | 4.28 EUR |
25+ | 3.27 EUR |
100+ | 3.19 EUR |
500+ | 3.1 EUR |
SIHD4N80E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.8 EUR |
10+ | 1.83 EUR |
100+ | 1.24 EUR |
SIHG24N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.69 EUR |
10+ | 5.23 EUR |
100+ | 4.22 EUR |
500+ | 3.77 EUR |
1000+ | 3.2 EUR |
2500+ | 3.06 EUR |
SIHG24N80AEF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.69 EUR |
10+ | 5.9 EUR |
100+ | 4.36 EUR |
500+ | 4.35 EUR |
1000+ | 3.85 EUR |
2500+ | 3.63 EUR |
SIHP24N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 3.98 EUR |
21+ | 3.52 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
24+ | 3.03 EUR |
100+ | 2.95 EUR |
500+ | 2.92 EUR |
SIHP24N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 3.98 EUR |
21+ | 3.52 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
24+ | 3.03 EUR |
100+ | 2.95 EUR |
500+ | 2.92 EUR |
SIHP24N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
auf Bestellung 4373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.74 EUR |
10+ | 4.28 EUR |
100+ | 3.34 EUR |
500+ | 2.82 EUR |
1000+ | 2.75 EUR |
SIHP24N80AEF-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.89 EUR |
17+ | 4.46 EUR |
24+ | 3.07 EUR |
25+ | 2.9 EUR |
SIHP24N80AEF-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.89 EUR |
17+ | 4.46 EUR |
24+ | 3.07 EUR |
25+ | 2.9 EUR |
500+ | 2.86 EUR |
1000+ | 2.79 EUR |
SIHP24N80AEF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.67 EUR |
10+ | 3.77 EUR |
100+ | 3.03 EUR |
SIHP4N80E-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 25613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.64 EUR |
10+ | 2.62 EUR |
100+ | 1.99 EUR |
500+ | 1.63 EUR |
1000+ | 1.38 EUR |
SIHU4N80AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.76 EUR |
10+ | 1.92 EUR |
100+ | 1.48 EUR |
500+ | 1.18 EUR |
1000+ | 1.08 EUR |
3000+ | 1.03 EUR |
SPD04N80C3ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.31 EUR |
10+ | 1.11 EUR |
100+ | 1.09 EUR |
2500+ | 0.95 EUR |
5000+ | 0.94 EUR |
SPP04N80C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.2 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
250+ | 1.54 EUR |
SPP04N80C3 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.2 EUR |
37+ | 1.96 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
250+ | 1.54 EUR |
SPP04N80C3 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.62 EUR |
10+ | 1.99 EUR |
100+ | 1.56 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
1000+ | 1.08 EUR |
2500+ | 1.01 EUR |
5000+ | 0.96 EUR |
SPP04N80C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.54 EUR |
SPP04N80C3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.17 EUR |
10+ | 2.99 EUR |
25+ | 1.62 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
500+ | 1.14 EUR |
1000+ | 0.96 EUR |
STB14N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.65 EUR |
10+ | 4.51 EUR |
100+ | 3.2 EUR |
500+ | 2.78 EUR |
1000+ | 2.5 EUR |
STF14N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.04 EUR |
10+ | 3.96 EUR |
25+ | 3.89 EUR |
100+ | 2.76 EUR |
250+ | 2.75 EUR |
500+ | 2.27 EUR |
1000+ | 2.09 EUR |
STF4N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.71 EUR |
10+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.6 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
1000+ | 1.11 EUR |
2000+ | 1.04 EUR |
5000+ | 0.99 EUR |
STL4N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.57 EUR |
10+ | 2.46 EUR |
100+ | 1.73 EUR |
250+ | 1.71 EUR |
500+ | 1.39 EUR |
1000+ | 1.28 EUR |
3000+ | 1.18 EUR |
STP14N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.16 EUR |
10+ | 4.61 EUR |
100+ | 3.73 EUR |
500+ | 3.31 EUR |
1000+ | 2.66 EUR |
STP4N80K5 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.59 EUR |
10+ | 3.38 EUR |
25+ | 1.76 EUR |
100+ | 1.66 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.18 EUR |
2000+ | 1.11 EUR |
APT34N80B2C3 |
Hersteller: APT
09+
09+
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APT34N80LC3 |
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DD104N800K |
Hersteller: AEG
05+
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB4N80 |
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB4N80 |
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB4N80 |
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQB4N80 |
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQI4N80TU |
![]() ![]() |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 40265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQP4N80 |
![]() |
Hersteller: Fairchild
07+
07+
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FQPF4N80 |
![]() |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFN44N80 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MODULE
MODULE
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPA04N80C3.SPP04N80C3 |
auf Bestellung 18505 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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