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ABM14N-80.0000MHZ-8-N1V ABM14N-80.0000MHZ-8-N1V ABRACON ABM14N.pdf Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 80MHz +/-12ppm -30C - 85C
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FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
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FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH24N80P_Datasheet.PDF MOSFETs DIODE Id24 BVdass800
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IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
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Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
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IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: TO264
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IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_44N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 44 Amps 800V
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IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
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2+43.41 EUR
3+38.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
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2+43.41 EUR
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IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN44N80P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 36 Amps 800V
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IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.41 EUR
6+12.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.41 EUR
6+12.93 EUR
10+11.43 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_44N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.67 EUR
10+25.12 EUR
120+23.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
50+1.94 EUR
250+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_4N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.26 EUR
10+3.03 EUR
100+2.75 EUR
500+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix siha24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.28 EUR
10+2.97 EUR
100+2.92 EUR
500+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-GE3 SIHB24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.19 EUR
100+3.04 EUR
500+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihd4n80e.pdf MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.85 EUR
100+1.26 EUR
500+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AE-GE3 SIHG24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.3 EUR
10+4.14 EUR
100+3.82 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AEF-GE3 SIHG24N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n80aef.pdf MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.08 EUR
10+5.77 EUR
100+4.17 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.68 EUR
2500+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.95 EUR
22+3.4 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.95 EUR
22+3.4 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
auf Bestellung 4155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.91 EUR
10+4.29 EUR
100+3.04 EUR
500+2.96 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.83 EUR
21+3.52 EUR
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n80aef.pdf MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
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SIHP4N80E-BE3 SIHP4N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp4n80e.pdf MOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
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SIHU4N80AE-GE3 SIHU4N80AE-GE3 Vishay Semiconductors tf-sihu4n80ae-ge3.pdf MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
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SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
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SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP04N80C3 SPP04N80C3 Infineon Technologies Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
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500+1.26 EUR
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SPP04N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
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SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
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STB14N80K5 STB14N80K5 STMicroelectronics en.DM00175161.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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STF14N80K5 STF14N80K5 STMicroelectronics en.DM00175189.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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STF4N80K5 STF4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 99 Stücke:
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37+1.96 EUR
64+1.13 EUR
76+0.94 EUR
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STF4N80K5 STF4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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37+1.96 EUR
64+1.13 EUR
76+0.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 37
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STF4N80K5 STF4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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10+1.54 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
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STL4N80K5 STL4N80K5 STMicroelectronics en.DM00101054.pdf MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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1+3.59 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.12 EUR
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STP14N80K5 STP14N80K5 STMicroelectronics STP14N80K5.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+4.38 EUR
100+3.38 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5 STP4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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1+3.47 EUR
10+1.65 EUR
100+1.53 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.03 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT34N80B2C3 APT 09+
auf Bestellung 108 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT34N80LC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD104N800K AEG 05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80 fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80 FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80 FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80 FAIRCHILD TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N80TU Fairchild FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
auf Bestellung 40265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 Fairchild fqp4n80-d.pdf 07+
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80 Fairchild FAIRS09674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n80_datasheet.pdf.pdf MODULE
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP4N80E
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ABM14N-80.0000MHZ-8-N1V ABM14N.pdf
ABM14N-80.0000MHZ-8-N1V
Hersteller: ABRACON
Crystals MHz Crystal 1008 4-SMD 80MHz +/-12ppm -30C - 85C
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.01 EUR
10+2.59 EUR
50+2.32 EUR
100+2.24 EUR
250+2.06 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80TM 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf
FQB4N80TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.6 EUR
10+2.09 EUR
100+1.74 EUR
500+1.66 EUR
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
10+7.15 EUR
50+1.43 EUR
250+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH24N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH24N80P_Datasheet.PDF
IXFH24N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs DIODE Id24 BVdass800
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.8 EUR
10+11.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
10+11.24 EUR
25+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.04 EUR
5+20.06 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.04 EUR
5+20.06 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_44N80P_Datasheet.PDF
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+33.56 EUR
10+23.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d
IXFN44N80P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+43.41 EUR
3+38.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d
IXFN44N80P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+43.41 EUR
3+38.38 EUR
10+34.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN44N80P_Datasheet.PDF
IXFN44N80P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 36 Amps 800V
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+50.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721
IXFR24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.41 EUR
6+12.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721
IXFR24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.41 EUR
6+12.93 EUR
10+11.43 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_44N80P_Datasheet.PDF
IXFX44N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+33.67 EUR
10+25.12 EUR
120+23.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
50+1.94 EUR
250+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_4N80P_Datasheet.PDF
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.26 EUR
10+3.03 EUR
100+2.75 EUR
500+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA24N80AE-GE3 siha24n80ae.pdf
SIHA24N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.28 EUR
10+2.97 EUR
100+2.92 EUR
500+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-GE3 sihb24n80ae.pdf
SIHB24N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.96 EUR
10+3.19 EUR
100+3.04 EUR
500+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD4N80E-GE3 sihd4n80e.pdf
SIHD4N80E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.87 EUR
10+1.85 EUR
100+1.26 EUR
500+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AE-GE3 sihg24n80ae.pdf
SIHG24N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.3 EUR
10+4.14 EUR
100+3.82 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AEF-GE3 sihg24n80aef.pdf
SIHG24N80AEF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.08 EUR
10+5.77 EUR
100+4.17 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.68 EUR
2500+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.95 EUR
22+3.4 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.95 EUR
22+3.4 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
auf Bestellung 4155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.91 EUR
10+4.29 EUR
100+3.04 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
21+3.52 EUR
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
21+3.52 EUR
25+2.96 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.56 EUR
10+4.38 EUR
100+3.29 EUR
500+2.97 EUR
2000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-BE3 sihp4n80e.pdf
SIHP4N80E-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 25603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.78 EUR
10+1.92 EUR
100+1.64 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3 tf-sihu4n80ae-ge3.pdf
SIHU4N80AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.96 EUR
10+1.92 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N80C3ATMA1 Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.36 EUR
10+1.14 EUR
25+1.13 EUR
100+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
40+1.82 EUR
44+1.63 EUR
50+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
40+1.82 EUR
44+1.63 EUR
50+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf
SPP04N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.52 EUR
10+1.9 EUR
100+1.49 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.03 EUR
2500+0.97 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf
SPP04N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.17 EUR
25+1.53 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB14N80K5 en.DM00175161.pdf
STB14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.71 EUR
10+4.42 EUR
100+3.13 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF14N80K5 en.DM00175189.pdf
STF14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.77 EUR
10+3.78 EUR
100+2.66 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4N80K5 en.DM00092669.pdf
STF4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 99 Stücke:
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Anzahl Preis
37+1.96 EUR
64+1.13 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4N80K5 en.DM00092669.pdf
STF4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
64+1.13 EUR
76+0.94 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4N80K5 en.DM00092669.pdf
STF4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 717 Stücke:
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Anzahl Preis
1+3.33 EUR
10+1.54 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.98 EUR
5000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL4N80K5 en.DM00101054.pdf
STL4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14N80K5 STP14N80K5.pdf
STP14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.56 EUR
10+4.38 EUR
100+3.38 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5 en.DM00092669.pdf
STP4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.47 EUR
10+1.65 EUR
100+1.53 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.03 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT34N80B2C3
Hersteller: APT
09+
auf Bestellung 108 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT34N80LC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD104N800K
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 40265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
Hersteller: Fairchild
07+
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80 FAIRS09674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n80_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MODULE
auf Bestellung 431 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP4N80E
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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