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FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild fqi4n80-d.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 1597 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
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9+7.95 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.66 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
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4+19.66 EUR
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IXFK44N80P IXFK44N80P IXYS media-3319391.pdf MOSFETs 44 Amps 800V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
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4+19.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 IXFK44N80Q3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+37.29 EUR
3+35.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d description Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.29 EUR
3+35.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN44N80P IXFN44N80P IXYS media-3319570.pdf description MOSFET Modules 36 Amps 800V
auf Bestellung 160 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.41 EUR
7+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P IXFR24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.41 EUR
7+10.67 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT14N80P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-14n80p-datasheet?assetguid=295cb4f7-ab84-42cd-94fb-12395b127fd1 IXFT14N80P SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+10.14 EUR
10+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80P IXFX44N80P IXYS media-3319391.pdf MOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.05 EUR
10+28.49 EUR
30+23.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS media-3320704.pdf MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
50+2.69 EUR
100+2.66 EUR
500+2.6 EUR
1000+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA24N80AE-GE3 SIHA24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix siha24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.66 EUR
25+2.8 EUR
100+2.73 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-GE3 SIHB24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+4.28 EUR
25+3.27 EUR
100+3.19 EUR
500+3.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD4N80E-GE3 SIHD4N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihd4n80e.pdf MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.8 EUR
10+1.83 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AE-GE3 SIHG24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.69 EUR
10+5.23 EUR
100+4.22 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.2 EUR
2500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AEF-GE3 SIHG24N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n80aef.pdf MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+5.9 EUR
100+4.36 EUR
500+4.35 EUR
1000+3.85 EUR
2500+3.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
21+3.52 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
100+2.95 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
21+3.52 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
100+2.95 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
auf Bestellung 4373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+4.28 EUR
100+3.34 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.89 EUR
17+4.46 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
17+4.46 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n80aef.pdf MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.67 EUR
10+3.77 EUR
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SIHP4N80E-BE3 SIHP4N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp4n80e.pdf MOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
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SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363800.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
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SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPP04N80C3 SPP04N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
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SPP04N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
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SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
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STB14N80K5 STB14N80K5 STMicroelectronics en.DM00175161.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
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STF14N80K5 STF14N80K5 STMicroelectronics en.DM00175189.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
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STF4N80K5 STF4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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STL4N80K5 STL4N80K5 STMicroelectronics en.DM00101054.pdf MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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STP14N80K5 STP14N80K5 STMicroelectronics STP14N80K5.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
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STP4N80K5 STP4N80K5 STMicroelectronics en.DM00092669.pdf MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
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APT34N80B2C3 APT 09+
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APT34N80LC3
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DD104N800K AEG 05+
auf Bestellung 300 Stücke:
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FQB4N80 FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB4N80 FAIRCHILD TO-263
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FQB4N80 fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80 FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQI4N80TU Fairchild FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
auf Bestellung 40265 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 Fairchild fqp4n80-d.pdf 07+
auf Bestellung 45 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80 Fairchild FAIRS09674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n80_datasheet.pdf.pdf MODULE
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MTP4N80E
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTW4N80
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTW4N80E
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA04N80C3.SPP04N80C3
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FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.41 EUR
10+2.52 EUR
100+1.97 EUR
500+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
12+5.96 EUR
33+2.17 EUR
250+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.66 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55A88536A9820&compId=IXFK(X)44N80P.pdf?ci_sign=fe7a22c35d7909b220aeebf7fe0c0b6a1d419d2d
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.66 EUR
10+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P media-3319391.pdf
IXFK44N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.68 EUR
10+32.44 EUR
25+23.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D555DA4D32F820&compId=IXFK(X)44N80Q3.pdf?ci_sign=dd049728423ed64df76c419a8fd12eba8ab2dd10
IXFK44N80Q3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN44N80P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d
IXFN44N80P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.29 EUR
3+35.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN44N80P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C9A3C8EBA98BF&compId=IXFN44N80P.pdf?ci_sign=e5454b9129ad828efae0eebe210c810d51dfce0d
IXFN44N80P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 39A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 39A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 694W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 200nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.29 EUR
3+35.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN44N80P description media-3319570.pdf
IXFN44N80P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 36 Amps 800V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+52.75 EUR
10+39.37 EUR
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IXFR24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721
IXFR24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.41 EUR
7+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2857DA3FF1A1820&compId=IXFR24N80P.pdf?ci_sign=873856e0e863a27e19dde25c672bc74899b0f721
IXFR24N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.41 EUR
7+10.67 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFT14N80P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-14n80p-datasheet?assetguid=295cb4f7-ab84-42cd-94fb-12395b127fd1
Hersteller: IXYS
IXFT14N80P SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.14 EUR
10+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFX44N80P media-3319391.pdf
IXFX44N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.05 EUR
10+28.49 EUR
30+23.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P media-3320704.pdf
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.97 EUR
50+2.69 EUR
100+2.66 EUR
500+2.6 EUR
1000+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA24N80AE-GE3 siha24n80ae.pdf
SIHA24N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.66 EUR
25+2.8 EUR
100+2.73 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N80AE-GE3 sihb24n80ae.pdf
SIHB24N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.63 EUR
10+4.28 EUR
25+3.27 EUR
100+3.19 EUR
500+3.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD4N80E-GE3 sihd4n80e.pdf
SIHD4N80E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.8 EUR
10+1.83 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AE-GE3 sihg24n80ae.pdf
SIHG24N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.69 EUR
10+5.23 EUR
100+4.22 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.2 EUR
2500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AEF-GE3 sihg24n80aef.pdf
SIHG24N80AEF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.69 EUR
10+5.9 EUR
100+4.36 EUR
500+4.35 EUR
1000+3.85 EUR
2500+3.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
21+3.52 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
100+2.95 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
21+3.52 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
100+2.95 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
auf Bestellung 4373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.74 EUR
10+4.28 EUR
100+3.34 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
17+4.46 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
17+4.46 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.67 EUR
10+3.77 EUR
100+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP4N80E-BE3 sihp4n80e.pdf
SIHP4N80E-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 25613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.73 EUR
10+2.69 EUR
100+1.99 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.42 EUR
10000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU4N80AE-GE3 tf-sihu4n80ae-ge3.pdf
SIHU4N80AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.85 EUR
10+1.92 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N80C3ATMA1 Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363800.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.31 EUR
10+1.11 EUR
100+1.09 EUR
2500+0.95 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3 Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf
SPP04N80C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.62 EUR
10+1.99 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP04N80C3XKSA1 Infineon_SPP04N80C3_DS_v02_91_en-1227685.pdf
SPP04N80C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.17 EUR
10+2.99 EUR
25+1.62 EUR
100+1.53 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB14N80K5 en.DM00175161.pdf
STB14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.65 EUR
10+4.51 EUR
100+3.2 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF14N80K5 en.DM00175189.pdf
STF14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.04 EUR
10+3.96 EUR
25+3.89 EUR
100+2.76 EUR
250+2.75 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4N80K5 en.DM00092669.pdf
STF4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.71 EUR
10+2.06 EUR
100+1.6 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.04 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL4N80K5 en.DM00101054.pdf
STL4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.57 EUR
10+2.46 EUR
100+1.73 EUR
250+1.71 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.28 EUR
3000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP14N80K5 STP14N80K5.pdf
STP14N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.16 EUR
10+4.61 EUR
100+3.73 EUR
500+3.31 EUR
1000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5 en.DM00092669.pdf
STP4N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+3.38 EUR
25+1.76 EUR
100+1.66 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT34N80B2C3
Hersteller: APT
09+
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT34N80LC3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD104N800K
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB4N80
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Hersteller: Fairchild
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Fairchild
07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF4N80 FAIRS09674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild
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IXFN44N80 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn44n80_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
MODULE
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MTP4N80E
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MTW4N80E
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