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IRF730A IR 91045.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
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1+2.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF IRF730APBF Vishay Siliconix 91045.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
50+1.88 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF IRF730APBF Vishay Semiconductors 91045.pdf MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+2.45 EUR
25+1.94 EUR
100+1.74 EUR
250+1.66 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF IRF730APBF VISHAY VISH-S-A0013276549-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF IRF730APBF Vishay 91045.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF IRF730APBF Vishay 91045.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.44 EUR
190+0.74 EUR
195+0.69 EUR
205+0.63 EUR
206+0.6 EUR
208+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF IRF730APBF Vishay 91045.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF IRF730APBF Vishay 91045.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF-BE3 IRF730APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91045.pdf MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+2.45 EUR
25+1.51 EUR
100+1.45 EUR
250+1.44 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF-BE3 IRF730APBF-BE3 Vishay Siliconix 91045.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.34 EUR
50+1.47 EUR
100+1.43 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Vishay Semiconductors sihf730a.pdf MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.91 EUR
10+2.9 EUR
25+2.25 EUR
100+2.15 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.05 EUR
50+2.18 EUR
100+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASPBF IRF730ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASPBF IRF730ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf730a.pdf MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.89 EUR
500+2.24 EUR
800+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730B IRF730B Fairchild Semiconductor FAIRS16000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 466249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
781+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 781
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730B FAIRCHILD FAIRS16000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730B
auf Bestellung 465653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
10000+0.46 EUR
100000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D9896F530469&compId=IRF730PBF.pdf?ci_sign=0365c12e613830b1076728adbf422a894775896c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
78+0.92 EUR
98+0.74 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D9896F530469&compId=IRF730PBF.pdf?ci_sign=0365c12e613830b1076728adbf422a894775896c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
78+0.92 EUR
98+0.74 EUR
103+0.7 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay Siliconix 91047.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 20360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
50+1.09 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay Semiconductors 91047.pdf MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 18264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.33 EUR
25+1.11 EUR
100+0.97 EUR
250+0.96 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.95 EUR
174+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY VISH-S-A0013276637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.95 EUR
174+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.87 EUR
231+0.61 EUR
240+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.89 EUR
187+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF-BE3 IRF730PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91047.pdf MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.69 EUR
25+1.39 EUR
100+1.31 EUR
250+1.3 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF-BE3 IRF730PBF-BE3 Vishay Siliconix 91047.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
50+1.36 EUR
100+1.32 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF-BE3 IRF730PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001306782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF730PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 5.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF-BE3 IRF730PBF-BE3 Vishay 91047.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730R4587 IRF730R4587 Harris Corporation HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 5.5A 400V 1.000 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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IRF730R4587 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF730R4587
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IRF730SPBF IRF730SPBF VISHAY sihf730s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF730SPBF IRF730SPBF VISHAY sihf730s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF730SPBF IRF730SPBF Vishay sihf730s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
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IRF730SPBF IRF730SPBF Vishay sihf730s.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
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IRF730STRLPBF IRF730STRLPBF Vishay Semiconductors sihf730s.pdf MOSFETs N-Chan 400V 5.5 Amp
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IRF730STRLPBF IRF730STRLPBF Vishay Siliconix sihf730s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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4+4.73 EUR
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IRF730STRLPBF IRF730STRLPBF Vishay Siliconix sihf730s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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IRF7301 IOR description 09+ SO-8
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IRF7301 IR description 09+
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IRF7301 IOR description
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IRF7301 IR description SO-8
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IRF7301 IOR description 09+
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IRF7301PBF International Rectifier/Infineon irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
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IRF7303 IR description 05+ SOP-8;
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IRF7303 IOR description 09+
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IRF7303 IR description 09+
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IRF7303 IOR description 09+ SO-8
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IRF7303 IR description SO-8
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IRF7303 IR description
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IRF7303 IRF description
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IRF7303 IOR description
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IRF7303QPBF IR description
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IRF7303QTRPBF IOR IRF7303QPbF.pdf
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IRF7303QTRPBF IRF IRF7303QPbF.pdf 09+
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IRF7303TR Infineon 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
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IRF730A 91045.pdf
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=400V; Id=5,5A; Pdmax=74W; Rds=1 Ohm
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Anzahl Preis
1+2.47 EUR
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IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.92 EUR
50+1.88 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.99 EUR
10+2.45 EUR
25+1.94 EUR
100+1.74 EUR
250+1.66 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.31 EUR
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IRF730APBF VISH-S-A0013276549-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF730APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
190+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.44 EUR
190+0.74 EUR
195+0.69 EUR
205+0.63 EUR
206+0.6 EUR
208+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF 91045.pdf
IRF730APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF-BE3 91045.pdf
IRF730APBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.38 EUR
10+2.45 EUR
25+1.51 EUR
100+1.45 EUR
250+1.44 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730APBF-BE3 91045.pdf
IRF730APBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.34 EUR
50+1.47 EUR
100+1.43 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASPBF sihf730a.pdf
IRF730ASPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.91 EUR
10+2.9 EUR
25+2.25 EUR
100+2.15 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASPBF sihf730a.pdf
IRF730ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.05 EUR
50+2.18 EUR
100+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASPBF VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF730ASPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASPBF VISH-S-A0013329307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF730ASPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730ASTRLPBF sihf730a.pdf
IRF730ASTRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.89 EUR
500+2.24 EUR
800+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730B FAIRS16000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF730B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 466249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
781+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 781
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IRF730B FAIRS16000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
IRF730B
auf Bestellung 465653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.6 EUR
1000+0.53 EUR
10000+0.46 EUR
100000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 902
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IRF730PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D9896F530469&compId=IRF730PBF.pdf?ci_sign=0365c12e613830b1076728adbf422a894775896c
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
78+0.92 EUR
98+0.74 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D9896F530469&compId=IRF730PBF.pdf?ci_sign=0365c12e613830b1076728adbf422a894775896c
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
78+0.92 EUR
98+0.74 EUR
103+0.7 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 20360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
50+1.09 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF730PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 18264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.36 EUR
10+1.33 EUR
25+1.11 EUR
100+0.97 EUR
250+0.96 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.95 EUR
174+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF VISH-S-A0013276637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF730PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
163+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
71+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
243+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.95 EUR
174+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.87 EUR
231+0.61 EUR
240+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF 91047.pdf
IRF730PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.89 EUR
187+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF-BE3 91047.pdf
IRF730PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.87 EUR
10+1.69 EUR
25+1.39 EUR
100+1.31 EUR
250+1.3 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF-BE3 91047.pdf
IRF730PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.01 EUR
50+1.36 EUR
100+1.32 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF-BE3 VISH-S-A0001306782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF730PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF730PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 5.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF-BE3 91047.pdf
IRF730PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730R4587 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF730R4587
Hersteller: Harris Corporation
Description: 5.5A 400V 1.000 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
398+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 398
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730R4587 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: HARRIS
IRF730R4587
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
413+1.31 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 413
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730SPBF sihf730s.pdf
IRF730SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730SPBF sihf730s.pdf
IRF730SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
10+7.15 EUR
20+3.58 EUR
50+1.43 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730SPBF sihf730s.pdf
IRF730SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730SPBF sihf730s.pdf
IRF730SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730STRLPBF sihf730s.pdf
IRF730STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 5.5 Amp
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.05 EUR
10+4.52 EUR
100+3.61 EUR
500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730STRLPBF sihf730s.pdf
IRF730STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.73 EUR
10+3.6 EUR
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730STRLPBF sihf730s.pdf
IRF730STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301 description
Hersteller: IOR
09+ SO-8
auf Bestellung 4502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301 description
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301 description
Hersteller: IOR
auf Bestellung 3502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301 description
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301 description
Hersteller: IOR
09+
auf Bestellung 34018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF description irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IR
05+ SOP-8;
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IOR
09+
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IOR
09+ SO-8
auf Bestellung 7013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IRF
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303 description
Hersteller: IOR
auf Bestellung 6013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QPBF description
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QTRPBF IRF7303QPbF.pdf
Hersteller: IOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303QTRPBF IRF7303QPbF.pdf
Hersteller: IRF
09+
auf Bestellung 80043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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