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IRF7301PBF IRF7301PBF
Produktcode: 22639
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IR IRF7301PBF.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 63 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303PBF IRF7303PBF
Produktcode: 113419
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IR irf7303pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 155 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 IRF7304
Produktcode: 34673
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IR irf7304.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 39 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306 IRF7306
Produktcode: 3760
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IR irf7306.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.70 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384
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IR irf7307pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 61 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.38 EUR
10+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF IRF7309PBF
Produktcode: 36562
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IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 230 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192
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IR irf7309pbf-1-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730PBF IRF730PBF
Produktcode: 123226
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SILI 91047-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 Siliconix HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 IRF730 Harris Corporation HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
243+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf IRF730
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf IRF730
auf Bestellung 17307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.26 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf IRF730
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HARRIS HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf IRF730
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.26 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF IR irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.73 EUR
100+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF International Rectifier/Infineon irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8 description 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.76 EUR
10+1.51 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR JSMicro Semiconductor 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR UMW 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR IRF7301TR UMW 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR Infineon 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR Infineon 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR UMW 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR IRF7303TR UMW 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF International Rectifier/Infineon irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.56 EUR
10+1.35 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 14355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+0.66 EUR
266+0.59 EUR
274+0.55 EUR
500+0.46 EUR
4000+0.43 EUR
8000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IR irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.73 EUR
100+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.59 EUR
8000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 10700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 International Rectifier IRF7304.pdf P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304PBF International Rectifier/Infineon irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+0.94 EUR
100+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304TR UMW IRF7304.pdf 0163e443f287bd7786c3720b6d14613b.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304TRPBF International Rectifier/Infineon irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+0.81 EUR
100+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306PBF International Rectifier/Infineon irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.45 EUR
10+1.25 EUR
100+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TR Infineon IRF7306.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
74+0.97 EUR
88+0.82 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
250+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
74+0.97 EUR
88+0.82 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
250+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
12+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
911+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 911
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 493
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.23 EUR
100+0.93 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.61 EUR
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307 IR description Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+2.50 EUR
100+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBF International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+0.89 EUR
10+0.77 EUR
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TR IRF7307TR UMW 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.69 EUR
10+4.04 EUR
100+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309 Infineon description N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.07 EUR
10+1.83 EUR
100+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TR IRF7309TR UMW 5bdf270d5998f3d9041514c41a5d523f.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF
Produktcode: 22639
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description IRF7301PBF.pdf
IRF7301PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 63 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303PBF
Produktcode: 113419
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description irf7303pbf-datasheet.pdf
IRF7303PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 155 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304
Produktcode: 34673
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irf7304.pdf
IRF7304
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 39 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306
Produktcode: 3760
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description irf7306.pdf
IRF7306
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384
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description irf7307pbf-datasheet.pdf
IRF7307TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 61 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.38 EUR
10+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF
Produktcode: 36562
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description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 230 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192
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irf7309pbf-1-datasheet.pdf
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
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1+0.35 EUR
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IRF730PBF
Produktcode: 123226
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91047-datasheet.pdf
IRF730PBF
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF730
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
243+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 243
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IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF730
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
268+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 268
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IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF730
auf Bestellung 17307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
268+2.26 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF730
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
268+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF730 HRISSA15-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91047.pdf IRF730.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF730
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
268+2.26 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 268
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IRF730-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF description irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+2.73 EUR
100+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301PBF description irf7301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1b66c1af8
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+1.76 EUR
10+1.51 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7301TR 7c2740631380489666d8b1b319320a72.pdf
IRF7301TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7303TR 2f0fac574746bc99cbc6f30a82b09efd.pdf
IRF7303TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+1.56 EUR
10+1.35 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 14355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
244+0.66 EUR
266+0.59 EUR
274+0.55 EUR
500+0.46 EUR
4000+0.43 EUR
8000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+2.73 EUR
100+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBF irf7303.pdf
IRF7303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.59 EUR
8000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 10700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 IRF7304.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304 IRF7304.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304PBF description irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.58 EUR
10+0.94 EUR
100+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304TR IRF7304.pdf 0163e443f287bd7786c3720b6d14613b.pdf
Hersteller: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7304TRPBF description irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.58 EUR
10+0.81 EUR
100+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306PBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+1.45 EUR
10+1.25 EUR
100+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TR IRF7306.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
74+0.97 EUR
88+0.82 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
250+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
74+0.97 EUR
88+0.82 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
250+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.41 EUR
12+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
911+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 911
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.55 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.55 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
493+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 493
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBF description Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf
IRF7306TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.83 EUR
10+1.23 EUR
100+0.93 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.61 EUR
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307 description
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.82 EUR
10+2.50 EUR
100+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.89 EUR
10+0.77 EUR
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf
IRF7307TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+4.69 EUR
10+4.04 EUR
100+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309 description
Hersteller: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.07 EUR
10+1.83 EUR
100+1.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TR 5bdf270d5998f3d9041514c41a5d523f.pdf
IRF7309TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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