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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF7301PBF Produktcode: 22639
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Idd,A: 05.07.2015 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 660/20 Bem.: 2N JHGF: SMD |
auf Bestellung 63 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7303PBF Produktcode: 113419
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IR |
![]() ![]() Uds,V: 30 V Idd,A: 3,9 A Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Bem.: Два транзистори в одному корпусі JHGF: SMD |
auf Bestellung 155 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7304 Produktcode: 34673
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IR |
![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Id,A: 4.7 Rds(on),Om: 0.09 Ciss, pF/Qg, nC: 610/22 Gebr.: 2P /: SMD |
auf Bestellung 39 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7306 Produktcode: 3760
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Id,A: 4 Rds(on),Om: 0.1 Ciss, pF/Qg, nC: 440/25 Gebr.: 2P /: SMD |
auf Bestellung 8 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7307TRPBF Produktcode: 40384
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Idd,A: 04.01.2015 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 660/20 Bem.: N/P Kanal JHGF: SMD |
auf Bestellung 61 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7309PBF Produktcode: 36562
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 4.7(3.5) Rds(on), Ohm: 0.05(0.1) Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Bem.: N+P JHGF: SMD |
auf Bestellung 230 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Bem.: P/N Kanal 2 in 1 JHGF: SMD ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 12 Stück
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IRF730PBF Produktcode: 123226
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Lieblingsprodukt
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SILI |
![]() Uds,V: 400 V Idd,A: 5,5 A Rds(on), Ohm: 1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 700/38 JHGF: THT |
auf Bestellung 52 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF730 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF730 | Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
auf Bestellung 24025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF730 | HARRIS |
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auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730 | HARRIS |
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auf Bestellung 17307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730 | HARRIS |
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auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730 | HARRIS |
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auf Bestellung 6306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7301PBF | IR |
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auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7301PBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7301TR | JSMicro Semiconductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7301TR | UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7301TR | UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7303TR | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 1781 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7303TR | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7303TR | UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7303TR | UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 3105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7303TRPBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 14355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7303TRPBF | IR |
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auf Bestellung 1486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7303TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
auf Bestellung 10700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBFXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF7304 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7304 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7304PBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7304TR | UMW |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7304TRPBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306PBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TR | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 3122 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 2639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7306TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7306TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 136-140 Tag (e) |
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IRF7307 | IR |
![]() |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7307PBF | International Rectifier/Infineon |
![]() ![]() |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7307TR | UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
auf Bestellung 2898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7307TRPBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7309PBF | IR |
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auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TR | UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7301PBF Produktcode: 22639
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: 2N
JHGF: SMD
auf Bestellung 63 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.40 EUR |
IRF7303PBF Produktcode: 113419
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,9 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 155 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7304 Produktcode: 34673
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 4.7
Rds(on),Om: 0.09
Ciss, pF/Qg, nC: 610/22
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 39 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
IRF7306 Produktcode: 3760
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.70 EUR |
10+ | 0.67 EUR |
IRF7307TRPBF Produktcode: 40384
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 61 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.38 EUR |
10+ | 0.34 EUR |
IRF7309PBF Produktcode: 36562
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Lieblingsprodukt
|
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 230 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.35 EUR |
IRF730PBF Produktcode: 123226
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF730 |
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auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 1.69 EUR |
IRF730 |
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Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
243+ | 2.09 EUR |
IRF730 |
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Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
268+ | 2.26 EUR |
IRF730 |
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Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 17307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
268+ | 2.26 EUR |
500+ | 2.08 EUR |
1000+ | 1.89 EUR |
IRF730 |
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Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
268+ | 2.26 EUR |
IRF730 |
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Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
268+ | 2.26 EUR |
500+ | 2.08 EUR |
1000+ | 1.89 EUR |
IRF730-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 1,1Ohm; 6A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF730; IRF730-BE3; IRF730-ML MOSLEADER TIRF730 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.29 EUR |
IRF7301PBF | ![]() |
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Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V Id=5,2A P=2W Rds=0,05Ohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.08 EUR |
10+ | 2.73 EUR |
100+ | 2.48 EUR |
IRF7301PBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 1.76 EUR |
10+ | 1.51 EUR |
100+ | 1.33 EUR |
IRF7301TR |
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Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR JSMICRO TIRF7301 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.86 EUR |
IRF7301TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.70 EUR |
IRF7301TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 1.37 EUR |
21+ | 0.85 EUR |
100+ | 0.55 EUR |
500+ | 0.42 EUR |
1000+ | 0.38 EUR |
IRF7303TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.16 EUR |
IRF7303TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; IRF7303 TIRF7303
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.16 EUR |
IRF7303TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.87 EUR |
IRF7303TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.40 EUR |
IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.32 EUR |
12+ | 1.47 EUR |
100+ | 0.97 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
1000+ | 0.69 EUR |
2000+ | 0.63 EUR |
IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 1.56 EUR |
10+ | 1.35 EUR |
100+ | 1.18 EUR |
IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 14355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
244+ | 0.66 EUR |
266+ | 0.59 EUR |
274+ | 0.55 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
4000+ | 0.43 EUR |
8000+ | 0.41 EUR |
IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.08 EUR |
10+ | 2.73 EUR |
100+ | 2.48 EUR |
IRF7303TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 0.59 EUR |
8000+ | 0.55 EUR |
IRF7303TRPBFXTMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 10700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.32 EUR |
12+ | 1.47 EUR |
100+ | 0.97 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
1000+ | 0.69 EUR |
2000+ | 0.63 EUR |
IRF7303TRPBFXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7303TRPBFXTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7304 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 3.36 EUR |
IRF7304 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 3.73 EUR |
IRF7304PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.58 EUR |
10+ | 0.94 EUR |
100+ | 0.83 EUR |
IRF7304TR |
![]() ![]() |
Hersteller: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.80 EUR |
IRF7304TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.58 EUR |
10+ | 0.81 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
IRF7306PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 3,6 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 1.45 EUR |
10+ | 1.25 EUR |
100+ | 1.10 EUR |
IRF7306TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.57 EUR |
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
58+ | 1.24 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
250+ | 0.58 EUR |
500+ | 0.57 EUR |
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
58+ | 1.24 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
250+ | 0.58 EUR |
500+ | 0.57 EUR |
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.41 EUR |
12+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.01 EUR |
500+ | 0.79 EUR |
1000+ | 0.72 EUR |
2000+ | 0.66 EUR |
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
911+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.60 EUR |
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 0.55 EUR |
8000+ | 0.44 EUR |
12000+ | 0.41 EUR |
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 0.55 EUR |
8000+ | 0.44 EUR |
12000+ | 0.41 EUR |
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
493+ | 0.33 EUR |
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7306TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.83 EUR |
10+ | 1.23 EUR |
100+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
1000+ | 0.64 EUR |
2000+ | 0.61 EUR |
4000+ | 0.58 EUR |
IRF7307 | ![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.82 EUR |
10+ | 2.50 EUR |
100+ | 2.27 EUR |
IRF7307PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 0.89 EUR |
10+ | 0.77 EUR |
100+ | 0.68 EUR |
IRF7307TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 1.37 EUR |
21+ | 0.85 EUR |
100+ | 0.55 EUR |
500+ | 0.42 EUR |
1000+ | 0.38 EUR |
IRF7307TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 4.69 EUR |
10+ | 4.04 EUR |
100+ | 3.55 EUR |
IRF7309 | ![]() |
Hersteller: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.02 EUR |
IRF7309PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.07 EUR |
10+ | 1.83 EUR |
100+ | 1.66 EUR |
IRF7309TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.40 EUR |
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