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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IRF840A Produktcode: 35892
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 8 Rds(on), Ohm: 0.85 Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38 JHGF: THT |
verfügbar: 79 Stück
5 Stück - stock Köln
74 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF840PBF Produktcode: 182602
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 JHGF: THT |
auf Bestellung 193 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840SPBF Produktcode: 82665
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Lieblingsprodukt
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VISHAY |
![]() Gehäuse: TO-263 (D2PAK) Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 JHGF: SMD |
auf Bestellung 184 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF84093 | HARRIS | IRF84093 |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840A | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840ALPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 6327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840ALPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840APBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 6190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840APBF-BE3 | Vishay |
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auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840APBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85364900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840ASPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840ASPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 9682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840ASPBF | Vishay |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840ASPBF | Vishay |
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auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840ASPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840ASTRRPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840B | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840B | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840B | Vishay |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840BPBF | Vishay |
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auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840BPBF | Vishay |
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auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840BPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840HPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840HPBF | Vishay |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840HPBF | Vishay |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840LCLPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840LCPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 4556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 MSL: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840LCPBF | Vishay |
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auf Bestellung 4609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840LCPBF | Vishay |
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auf Bestellung 4614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840LCPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840LCSPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
auf Bestellung 3152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3152 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 6912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840PBF | Vishay |
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auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF | Vishay |
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auf Bestellung 5145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF | Vishay |
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auf Bestellung 5145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF | Vishay |
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auf Bestellung 3052 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF | Vishay |
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auf Bestellung 3058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF840 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF840S | Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF840SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF840STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF840A Produktcode: 35892
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 79 Stück
5 Stück - stock Köln
74 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
74 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.84 EUR |
10+ | 0.67 EUR |
IRF840PBF Produktcode: 182602
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 193 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840SPBF Produktcode: 82665
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: VISHAY
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 184 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF84093 |
Hersteller: HARRIS
IRF84093
IRF84093
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
325+ | 1.67 EUR |
IRF840A | ![]() |
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Hersteller: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.87 EUR |
IRF840ALPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.87 EUR |
10+ | 2.24 EUR |
100+ | 2.22 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
1000+ | 1.97 EUR |
IRF840ALPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840APBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.47 EUR |
72+ | 1 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
IRF840APBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.47 EUR |
72+ | 1 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
IRF840APBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.41 EUR |
10+ | 2.01 EUR |
500+ | 1.92 EUR |
1000+ | 1.83 EUR |
2000+ | 1.81 EUR |
10000+ | 1.78 EUR |
IRF840APBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.12 EUR |
10+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.54 EUR |
500+ | 1.42 EUR |
1000+ | 1.25 EUR |
2000+ | 1.15 EUR |
IRF840APBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.9 EUR |
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 1.62 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.8 EUR |
10+ | 1.71 EUR |
500+ | 1.53 EUR |
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 2.07 EUR |
500+ | 1.83 EUR |
750+ | 1.64 EUR |
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.36 EUR |
10+ | 3.15 EUR |
100+ | 2.39 EUR |
500+ | 2.16 EUR |
800+ | 1.78 EUR |
2400+ | 1.76 EUR |
IRF840ASTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.68 EUR |
10+ | 3.61 EUR |
100+ | 2.83 EUR |
500+ | 2.78 EUR |
800+ | 2.16 EUR |
2400+ | 2.11 EUR |
IRF840B | ![]() |
![]() |
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.28 EUR |
IRF840B | ![]() |
![]() |
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.75 EUR |
IRF840B | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.75 EUR |
IRF840BPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840BPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840BPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840HPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840HPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840HPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840LCLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.05 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
100+ | 2.34 EUR |
500+ | 2.08 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.55 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.55 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.31 EUR |
10+ | 1.64 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
1000+ | 1.51 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
122+ | 1.19 EUR |
133+ | 1.05 EUR |
1000+ | 1 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
93+ | 1.56 EUR |
121+ | 1.15 EUR |
133+ | 1.01 EUR |
1000+ | 0.96 EUR |
IRF840LCPBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.38 EUR |
10+ | 1.88 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.66 EUR |
1000+ | 1.39 EUR |
IRF840LCSPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.05 EUR |
10+ | 2.46 EUR |
100+ | 2.41 EUR |
500+ | 2.31 EUR |
1000+ | 2.25 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 3152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 1.6 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 1.6 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.32 EUR |
10+ | 1.71 EUR |
100+ | 1.57 EUR |
500+ | 1.43 EUR |
1000+ | 1.2 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
103+ | 1.41 EUR |
2700+ | 1.24 EUR |
4050+ | 1.11 EUR |
5400+ | 1.01 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
136+ | 1.07 EUR |
139+ | 1.01 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 1.04 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.84 EUR |
174+ | 0.8 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
1000+ | 0.73 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
144+ | 1.01 EUR |
172+ | 0.81 EUR |
174+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.74 EUR |
1000+ | 0.7 EUR |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.94 EUR |
10+ | 2.13 EUR |
100+ | 1.76 EUR |
500+ | 1.46 EUR |
1000+ | 1.32 EUR |
2000+ | 1.18 EUR |
5000+ | 1.15 EUR |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840S |
![]() |
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.53 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
48+ | 1.5 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
48+ | 1.5 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.78 EUR |
2000+ | 1.49 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
122+ | 1.19 EUR |
123+ | 1.14 EUR |
124+ | 1.08 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 1.18 EUR |
125+ | 1.12 EUR |
500+ | 1.07 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
127+ | 1.14 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 2.08 EUR |
85+ | 1.64 EUR |
IRF840STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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