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IRF840A IRF840A
Produktcode: 35892
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IR 91065.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 221 Stück
5 Stück - stock Köln
216 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.84 EUR
10+0.67 EUR
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IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 182602
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Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 398 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF
Produktcode: 82665
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VISHAY sihf840s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 184 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840 Vishay irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840A Siliconix 91065.pdf description Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.52 EUR
33+2.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
33+2.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF Vishay 91065.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.65 EUR
47+1.54 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840B Siliconix IRF%28S%29840B.pdf description N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840B Vishay IRF%28S%29840B.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.79 EUR
30+2.45 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.79 EUR
30+2.45 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
48+1.52 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
48+1.52 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S Siliconix sihf840s.pdf N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S IR sihf840s.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=500V; Id=8A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.14 EUR
38+1.92 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
38+1.92 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840--401F IR 2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840A IRF840A 91065.pdf description MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF Vishay/IR 91065.pdf TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840AS IR sihf840.pdf TO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840FI IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCLPBF VISHAY sihf840l.pdf description
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCS IR sihf840l.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBF VISHAY sihf840l.pdf
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LPBF IR IRF840L_SiHF840L.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840N IR 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF Vishay/IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IR
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S IR sihf840s.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S IR sihf840s.pdf 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF Vishay/IR sihf840s.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 125; D2PAK
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRPBF IR
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBF sihf840s.pdf
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF840 8A 500V N-ch TO-220AB
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840 IRF840
Produktcode: 17952
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IR IRF840.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/60
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF IRF840APBF
Produktcode: 53900
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Vishay 91065.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 43368
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF IRF840BPBF
Produktcode: 105114
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irf840b.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840FI
Produktcode: 101628
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 156105
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Vishay irf840pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IRF840PBF
Produktcode: 31523
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IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.46 EUR
10+0.4 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF IRF840SPBF
Produktcode: 188626
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IR 91070-1768556.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F2BCBA8E00143&compId=IRF840AL.pdf?ci_sign=beeae07593232a296d197a3141b09eb2bc2ed37f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
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IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F2BCBA8E00143&compId=IRF840AL.pdf?ci_sign=beeae07593232a296d197a3141b09eb2bc2ed37f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
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IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3BEEF13F7C0C7&compId=irf840as_IRF840al.pdf?ci_sign=218709c4a4fa9477d0cb5f479dbfc09e1b42cf84 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASTRRPBF VISHAY sihf840.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IRF840BPBF VISHAY irf840b.pdf IRF840BPBF THT N channel transistors
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IRF840LCLPBF VISHAY sihf840l.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
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IRF840LCLPBF VISHAY sihf840l.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
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IRF840LCSPBF VISHAY sihf840l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBF VISHAY sihf840l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
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IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBF VISHAY sihf840s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840A
Produktcode: 35892
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description 91065.pdf
IRF840A
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 221 Stück
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216 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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IRF840PBF
Produktcode: 182602
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irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 398 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF
Produktcode: 82665
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sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 184 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840 irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf
Hersteller: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840A description 91065.pdf
Hersteller: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050
IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
33+2.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3B6A66C6620C7&compId=IRF840A.pdf?ci_sign=c9806e5f8dee67705c8a702216a95628106da050
IRF840APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
33+2.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF 91065.pdf
Hersteller: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224
IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
47+1.54 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
30+2.45 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3C99EA80D00C7&compId=IRF840LC.pdf?ci_sign=ad302db9da9cefca03ac69a49c518573aae8f1ad
IRF840LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
30+2.45 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
48+1.52 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0ED2C32BC469&compId=IRF840PBF.pdf?ci_sign=32d8bd5bce644db302139fe2d078b7048afcda96
IRF840PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
48+1.52 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S sihf840s.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S sihf840s.pdf
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=500V; Id=8A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
38+1.92 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697
IRF840SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
38+1.92 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840--401F
Hersteller: IR
2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840A description 91065.pdf
IRF840A
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF 91065.pdf
Hersteller: Vishay/IR
TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840AS sihf840.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840FI
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCS sihf840l.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBF sihf840l.pdf
Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IRF840LPBF IRF840L_SiHF840L.pdf
Hersteller: IR
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRF840N
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF IR
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S sihf840s.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840S sihf840s.pdf
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF sihf840s.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 125; D2PAK
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRPBF
Hersteller: IR
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBF sihf840s.pdf
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Транзистор польовий IRF840 8A 500V N-ch TO-220AB
auf Bestellung 57 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840
Produktcode: 17952
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IRF840.pdf
IRF840
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/60
JHGF: THT
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Anzahl Preis
1+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF
Produktcode: 53900
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91065.pdf
IRF840APBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
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IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 43368
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF
Produktcode: 105114
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irf840b.pdf
IRF840BPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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IRF840FI
Produktcode: 101628
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF
Produktcode: 156105
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irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840PBF
Produktcode: 31523
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irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
IRF840PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.46 EUR
10+0.4 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840SPBF
Produktcode: 188626
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91070-1768556.pdf
IRF840SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ALPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F2BCBA8E00143&compId=IRF840AL.pdf?ci_sign=beeae07593232a296d197a3141b09eb2bc2ed37f
IRF840ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ALPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F2BCBA8E00143&compId=IRF840AL.pdf?ci_sign=beeae07593232a296d197a3141b09eb2bc2ed37f
IRF840ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A0B78ECDF6469&compId=IRF840ASPBF.pdf?ci_sign=8f6caedfff324354ee0bb7eb5843c462e2d3d224
IRF840ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
47+1.54 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3BEEF13F7C0C7&compId=irf840as_IRF840al.pdf?ci_sign=218709c4a4fa9477d0cb5f479dbfc09e1b42cf84
IRF840ASTRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840BPBF irf840b.pdf
Hersteller: VISHAY
IRF840BPBF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBF sihf840l.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840LCSPBF sihf840l.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697
IRF840STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A121737746469&compId=IRF840SPBF.pdf?ci_sign=401d5fcb38d9a1ede3617c4245ab735250d9d697
IRF840STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840STRRPBF sihf840s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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