Suchergebnisse für "IRF840" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 325
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 900
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840A Produktcode: 35892
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 500 Idd,A: 8 Rds(on), Ohm: 0.85 Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38 JHGF: THT |
verfügbar: 138 Stück
5 Stück - stock Köln
133 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Produktcode: 182602
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Siliconix |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 JHGF: THT |
auf Bestellung 349 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF Produktcode: 82665
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
VISHAY |
![]() Gehäuse: TO-263 (D2PAK) Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 JHGF: SMD |
auf Bestellung 184 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF84093 | HARRIS | IRF84093 |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF840A | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 6369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 1549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 9051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85364900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 9850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASTRRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 2005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IRF840B | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF840B | Vishay |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF840B | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840LCLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 4604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 4609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 4614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 MSL: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 2732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCSPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
auf Bestellung 2037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2037 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 7897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 9238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 6178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 8932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 5117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 3027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF840 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IRF840S | Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 1488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
IRF840A Produktcode: 35892
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 138 Stück
5 Stück - stock Köln
133 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
133 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.84 EUR |
10+ | 0.67 EUR |
IRF840PBF Produktcode: 182602
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 349 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840SPBF Produktcode: 82665
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: VISHAY
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 184 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF84093 |
Hersteller: HARRIS
IRF84093
IRF84093
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
325+ | 1.65 EUR |
IRF840A | ![]() |
![]() |
Hersteller: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.83 EUR |
IRF840ALPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 6369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.87 EUR |
10+ | 2.25 EUR |
100+ | 2.22 EUR |
500+ | 2.11 EUR |
1000+ | 1.97 EUR |
IRF840ALPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840ALPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
57+ | 2.52 EUR |
71+ | 1.96 EUR |
100+ | 1.87 EUR |
500+ | 1.7 EUR |
1000+ | 1.48 EUR |
IRF840ALPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
57+ | 2.52 EUR |
70+ | 1.97 EUR |
100+ | 1.87 EUR |
500+ | 1.71 EUR |
1000+ | 1.48 EUR |
IRF840APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
33+ | 2.19 EUR |
72+ | 1 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
IRF840APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
33+ | 2.19 EUR |
72+ | 1 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
IRF840APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.4 EUR |
10+ | 2.01 EUR |
500+ | 1.92 EUR |
1000+ | 1.83 EUR |
2000+ | 1.81 EUR |
10000+ | 1.8 EUR |
IRF840APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.08 EUR |
10+ | 1.76 EUR |
100+ | 1.59 EUR |
500+ | 1.38 EUR |
1000+ | 1.22 EUR |
2000+ | 1.12 EUR |
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 2 EUR |
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.65 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.95 EUR |
10+ | 1.88 EUR |
100+ | 1.78 EUR |
500+ | 1.53 EUR |
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 2.05 EUR |
500+ | 1.81 EUR |
750+ | 1.62 EUR |
IRF840ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.15 EUR |
10+ | 2.97 EUR |
100+ | 2.57 EUR |
500+ | 2.39 EUR |
800+ | 1.9 EUR |
IRF840ASTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.59 EUR |
10+ | 3.54 EUR |
100+ | 2.78 EUR |
500+ | 2.6 EUR |
800+ | 2.16 EUR |
2400+ | 2.11 EUR |
IRF840B | ![]() |
![]() |
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.72 EUR |
IRF840B | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.72 EUR |
IRF840B | ![]() |
![]() |
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.26 EUR |
IRF840BPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840BPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840BPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840HPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840HPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840HPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840LCLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.05 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
100+ | 2.34 EUR |
500+ | 2.08 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.79 EUR |
30+ | 2.45 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.79 EUR |
30+ | 2.45 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.31 EUR |
10+ | 1.66 EUR |
100+ | 1.48 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
117+ | 1.22 EUR |
143+ | 0.97 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
117+ | 1.23 EUR |
142+ | 0.97 EUR |
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840LCPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840LCPBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.31 EUR |
10+ | 1.87 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.59 EUR |
1000+ | 1.35 EUR |
IRF840LCSPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.05 EUR |
10+ | 2.97 EUR |
100+ | 2.82 EUR |
500+ | 2.45 EUR |
1000+ | 2.29 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.61 EUR |
100+ | 1.5 EUR |
500+ | 1.43 EUR |
1000+ | 1.25 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 9238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
167+ | 0.86 EUR |
169+ | 0.82 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 6178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 1.03 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
103+ | 1.39 EUR |
2900+ | 1.23 EUR |
4350+ | 1.1 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 8932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
168+ | 0.85 EUR |
169+ | 0.82 EUR |
IRF840PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 1.03 EUR |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.87 EUR |
10+ | 2.09 EUR |
100+ | 1.8 EUR |
500+ | 1.68 EUR |
1000+ | 1.57 EUR |
2000+ | 1.51 EUR |
5000+ | 1.44 EUR |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
900+ | 1.38 EUR |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 2.7 EUR |
72+ | 1.91 EUR |
100+ | 1.78 EUR |
IRF840S |
![]() |
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.5 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.14 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.14 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.94 EUR |
10+ | 1.49 EUR |
IRF840SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
126+ | 1.14 EUR |
127+ | 1.09 EUR |
128+ | 1.04 EUR |
500+ | 0.99 EUR |
1000+ | 0.94 EUR |
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]