Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank, колір: чорний. Ємність акумулятора: 10000 mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C/ micro-USB. Вихід: 2 x USB-A. Світлодіодна шкала індикації заряду Power Bank. Не залишаються відбитки на корпусі. Захист від бризок води.
Напруга вх.: 5 V
Напруга вих.: 5 V
Струм: 2 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 143x69,5x15,3 mm
Потужність: 10 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank бездротовий QI. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Підтримка протоколів швидкого заряджання PD/QC. Можливість заряджати 3 пристрої одночасно: бездротовий + 2 провідні виходи. Магніт для примагнічування до телефону. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C. Вихід: Type-C: 5V/2,4A, 9V/2,2A, 12V/1,67A/USB-A: 4,5/5A, 5V/4,5A, 5V/3A, 9V/2A, 12V/ 1,5A. Літій-полімерний акумулятор. Дисплей відображає рівень заряду у відсотках. Відкидний утримувач з отвором для зберігання AirTag. Колір рожевий. Габарити: 72x23x15mm
Напруга вх.: 5V/9V/12V
Напруга вих.: 4,5V/5V/9V/12V
Струм: 1,5/2/3/5 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 72x23x15 mm
Потужність: 22,5 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank та блок живлення+ дроти вбудовані в корпус: USB Type-C, Lightninig, microUSB, колір: чорний. Підтримує протоколи швидкого заряджання на вході та виході PD+QC. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Можна заряджати до 2 пристроїв одночасно. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: Вилка 220VAC. Швидке заряджання акумулятора Power Bank тільки через USB Type-C: 5V/3A,9V/2A,12V/1,5A. Вихід: USB-A 5V/4,5A, 9V/2A, 12V/1,5A, USB-Type-C: 5V/3A, 9V/2,2A/, 12V/1,67A, USB Type-C кабель: 5V /3A, 9V/2A, 12V/1,5A, Lightninig/MicroUSB: 5V/2A. Світлодіодна шкала індикації заряду Power Bank. Вилка: Type A c перехідником на EU
Напруга вх.: 220VAC/12VDC
Напруга вих.: 5V/9V/12V
Струм: 3/2/1,67 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 120x62x30 mm
Потужність: 20 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank, колір: білий. Ємність акумулятора: 10000 mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C/ micro-USB. Вихід: 2 x USB-A. Світлодіодна шкала індикації заряду Power Bank. Не залишаються відбитки на корпусі. Захист від бризок води.
Напруга вх.: 5 V
Напруга вих.: 5 V
Струм: 2 A
Ємність: 10000 mAh (3,7V); Rated Capacity = 6000 mAh; Rated Energy = 37Wh
Габарити: 143x69,5x15,3 mm
Потужність: 10 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank бездротовий QI. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Підтримка протоколів швидкого заряджання PD/QC. Можливість заряджати 3 пристрої одночасно: бездротовий + 2 провідні виходи. Магніт для примагнічування до телефону. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C. Вихід: Type-C: 5V/2,4A, 9V/2,2A, 12V/1,67A/USB-A: 4,5/5A, 5V/4,5A, 5V/3A, 9V/2A, 12V/ 1,5A. Літій-полімерний акумулятор. Дисплей відображає рівень заряду у відсотках. Відкидний утримувач з отвором для зберігання AirTag. Колір синій. Габарити: 72x23x15mm
Напруга вх.: 5V/9V/12V
Напруга вих.: 4,5V/5V/9V/12V
Струм: 1,5/2/3/5 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 72x23x15 mm
Потужність: 22,5 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank, колір: чорний. Підтримує протоколи швидкого заряджання на вході та виході PD3.0+QC3.0. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Можна заряджати до 3х пристроїв одночасно. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C/ micro-USB 5V/3A, 9V/2A, 12V/1,5A. Вихід: 2 x USB-A 5V/3A, 9V/2A, 12V/1,5A/Type-C PD. Світлодіодна шкала індикації заряду Power Bank. Не залишаються відбитки на корпусі. Захист від бризок води. Провід: microUSB
Напруга вх.: 5V/9V/12V
Напруга вих.: 5V/9V/12V
Струм: 3/2/1,5 A
Ємність: 10000 mAh (3,7V); Rated Capacity = 6000 mAh; Rated Energy = 37Wh
Габарити: 143x69,5x15,3 mm
Потужність: 22,5 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank бездротовий QI. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Підтримка протоколів швидкого заряджання PD/QC. Можливість заряджати 3 пристрої одночасно: бездротовий + 2 провідні виходи. Магніт для примагнічування до телефону. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C. Вихід: Type-C: 5V/2,4A, 9V/2,2A, 12V/1,67A/USB-A: 4,5/5A, 5V/4,5A, 5V/3A, 9V/2A, 12V/ 1,5A. Літій-полімерний акумулятор. Дисплей відображає рівень заряду у відсотках. Відкидний утримувач з отвором для зберігання AirTag. Колір чорний. Габарити: 72x23x15mm
Напруга вх.: 5V/9V/12V
Напруга вих.: 4,5V/5V/9V/12V
Струм: 1,5/2/3/5 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 72x23x15 mm
Потужність: 22,5 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank, колір: темно-зелений. Ємність акумулятора: 10000 mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C/ micro-USB. Вихід: 2 x USB-A. Світлодіодна шкала індикації заряду Power Bank. Не залишаються відбитки на корпусі. Захист від бризок води.
Напруга вх.: 5 V
Напруга вих.: 5 V
Струм: 2 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 143x69,5x15,3 mm
Потужність: 10 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank бездротовий QI. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Підтримка протоколів швидкого заряджання PD/QC/AFC/Apple2.4. Можливість заряджати 3 пристрої одночасно: бездротовий + 2 провідні виходи. Магніт для примагнічування до телефону. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C/Lightning. Вихід: Type-C: 5V/3A, 9V/2,2A, 12V/1,67A/USB-A: 5V/4,5A, 9V/2A, 12V/1,5A. Літій-полімерний акумулятор. Світлодіодна шкала індикації заряду Power Bank. Зручна прихована у корпус ручка. Колір чорний. Габарити: 110x70x20 мм.
Напруга вх.: 5V/9V/12V
Напруга вих.: 5V/9V/12V
Струм: 4,5/3/2/1,5 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 110x70x20 mm
Потужність: 22,5 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank, колір: білий. Підтримує протоколи швидкого заряджання на вході та виході PD3.0+QC3.0. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Можна заряджати до 3-х пристроїв одночасно. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C/ micro-USB 5V/3A, 9V/2A, 12V/1,5A. Вихід: 2 x USB-A 5V/3A, 9V/2A, 12V/1,5A/Type-C PD. Світлодіодна шкала індикації заряду Power Bank. Не залишаються відбитки на корпусі. Захист від бризок води.
Напруга вх.: 5V/9V/12V
Напруга вих.: 5V/9V/12V
Струм: 3/2/1,5 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 143x69,5x15,3 mm
Потужність: 22,5 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank бездротовий QI. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Підтримка протоколів швидкого заряджання PD/QC. Можливість заряджати 3 пристрої одночасно: бездротовий + 2 провідні виходи. Магніт для примагнічування до телефону. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C. Вихід: Type-C: 5V/2,4A, 9V/2,2A, 12V/1,67A/USB-A: 4,5/5A, 5V/4,5A, 5V/3A, 9V/2A, 12V/ 1,5A. Літій-полімерний акумулятор. Дисплей відображає рівень заряду у відсотках. Відкидний утримувач з отвором для зберігання AirTag. Колір білий. Габарити: 72x23x15mm
Напруга вх.: 5V/9V/12V
Напруга вих.: 4,5V/5V/9V/12V
Струм: 1,5/2/3/5 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 72x23x15 mm
Потужність: 22,5 W
Power bank

Hersteller: USAMS
Akkus und Batterien > Power Bank
Опис: Power Bank бездротовий QI. Ємність акумулятора: 10000mAh (3,7V). Rated Capacity = 6000mAh. Rated Energy = 37Wh. Підтримка протоколів швидкого заряджання PD/QC/AFC/Apple2.4. Можливість заряджати 3 пристрої одночасно: бездротовий + 2 провідні виходи. Магніт для примагнічування до телефону. Матеріал: ABS+PS. Роз'єм: Вхід: USB Type-C/Lightning. Вихід: Type-C: 5V/3A, 9V/2,2A, 12V/1,67A/USB-A: 5V/4,5A, 9V/2A, 12V/1,5A. Літій-полімерний акумулятор. Світлодіодна шкала індикації заряду Power Bank. Зручна прихована у корпус ручка. Колір білий. Габарити: 110x70x20 мм. Кабель: тип-C.
Напруга вх.: 5V/9V/12V
Напруга вих.: 5V/9V/12V
Струм: 4,5/3/2/1,5 A
Ємність: 10000 mAh
Габарити: 110x70x20 mm
Потужність: 22,5 W
Power bank

Hersteller: CHINOWING
Modulare Elemente > IC Radiomodule
Beschreibung: Набір для зв'язку V21 : відео, телеметрія, управління - 10 км. В комплекті 2 антени наземні (8-10 dbi) та 4 мобільні (2-4 dbi). При замовленні потрібно вказувати частоту антен. У комплект входить два модулі: наземний та повітряний, 2 наземні антени та 4 мобільні антени. За бажанням можна дозамовляти будь-які компоненти до комплекту. Як повітряні модулі так і антени різних діапазонів.
T°C: -20..+50
Bemerkung: 800MHz/1.4GHz/2.4GHz
№ 8: Модуль зв'язку

Hersteller: Amphenol Thermometrics
Description: THERMISTOR NTC 1KOHM 3540K BEAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Bead
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3540K
B Value Tolerance: ±1%
Resistance in Ohms @ 25°C: 1k
Resistance Tolerance: ±3%
Length - Lead Wire: 1.30" (33.00mm)
Part Status: Obsolete

Hersteller: Amphenol
Thermistor NTC 1K Ohm 3% 2-Pin Radial 3540K Bulk

Hersteller: Amphenol
Thermistor NTC 1K Ohm 3% 2-Pin Radial 3540K Bulk

Hersteller: Amphenol Thermometrics
Description: THERMISTOR NTC 1KOHM 3540K BEAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Bead
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3540K
B Value Tolerance: ±1%
Resistance in Ohms @ 25°C: 1k
Resistance Tolerance: ±5%
Length - Lead Wire: 1.30" (33.00mm)
Part Status: Obsolete

Hersteller: Amphenol
Thermistor NTC 1K Ohm 5% 2-Pin Radial 3540K Bulk

Hersteller: Amphenol Advanced Sensors
Thermistor NTC 1K Ohm 5% 2-Pin Radial 3540K Bulk

Hersteller: Amphenol
Thermistor NTC 1K Ohm 5% 2-Pin Radial 3540K Bulk

Hersteller: Amphenol Thermometrics
Description: THERMISTOR NTC 10KOHM 3977K BEAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Bead
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 155°C
B25/85: 3977K
B Value Tolerance: ±0.75%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±10%
Length - Lead Wire: 1.30" (33.00mm)
Part Status: Obsolete

Hersteller: Amphenol
Thermistor NTC 10K Ohm 10% 2-Pin Radial 3977K Bandoliered

Hersteller: Amphenol
Thermistor NTC 10K Ohm 10% 2-Pin Radial 3977K Bandoliered

Hersteller: Shindengen
Rectifiers Fast Recovery Diode

Hersteller: SENSATA
Category: Circuit Breakers
Description: Circuit breaker
Type of protection: circuit breaker

Hersteller: Lumileds
Description: LED LUXEON SUNPLUS WHITE 2835
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1411 (3528 Metric)
Color: White
Size / Dimension: 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.85V
Current - Test: 120mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 480mA
Supplier Device Package: 2835
Height - Seated (Max): 0.030" (0.75mm)
Part Status: Active

Hersteller: Lumileds
High Power LEDs - White Specialty White LEDs LUXEON SunPlus 2835

Hersteller: Lumileds
Description: LED LUXEON SUNPLUS WHITE 2835
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1411 (3528 Metric)
Color: White
Size / Dimension: 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.85V
Current - Test: 120mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 480mA
Supplier Device Package: 2835
Height - Seated (Max): 0.030" (0.75mm)
Part Status: Active

Hersteller: GTV Poland
Category: Profiles for LED
Description: Cap for LED profiles; white; 10pcs.
Body colour: white
Quantity in set/package: 10pcs.
Related items: GTV-GLAXMN-WH-1M; GTV-GLAXMN-WH-2M
Type of LED accessories: cap for LED profiles
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Hi Vltg NPN Zener SuperMESH

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.6 Ohm typ 2.2 A SuperMESH Power MOSFET

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 6Ohm; 2,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF3NK100Z TSTF3NK100z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W
Mounting: THT
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH3™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

Hersteller: ST
N-MOSFET 3.5A 1000V 30W 3.7Ω STF5NK100Z TSTF5NK100z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W
Mounting: THT
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMESH3™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 1.85Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 1.85Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; STF8NK100Z TSTF8NK100z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3

Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP5NK100Z TSTP5NK100Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

Hersteller: ST
N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V