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Mindestbestellmenge: 800
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF2807SPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
auf Bestellung 11580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
auf Bestellung 7031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF2804STRL7P | Infineon |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD6417014RF28 | RENESAS | 0348+ |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD6417014RF28S | RENEAS | 04+ |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD6417014RF28S | RENEAS | 04+ QFP-112 |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD6417014RF28S | RENEAS |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD6417014RF28V | Renesas |
FP-112/-20~75/ HD6417014RF28 Anzahl je Verpackung: 60 Stücke |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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HD64F2633RF28 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD64F2633RF28V | HIT | 09+ QFP |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD64F2633RF28V | RENESAS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD64F2633RF28V | RENESAS | 06PB+ |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HD64F2633RF28V | RENESAS | TQFP12 |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2804L | IR |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2804S | IR | 07+ TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2804S | IR | TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2804S-7P | IR |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2804SPBF | IRF2804S Транзисторы Прочие |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF2804STRL |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2805 | IR | 09+ SMD |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2805PBF | International Rectifier Corporation | N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2805S | IR | TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2805S | IR | 07+ TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2807 | IR | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2807PBF | IRF2807PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF2807S-111 |
auf Bestellung 8250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2807STRPBF | IR | 09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2807ZS | IR | 07+ TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2807ZS | IR | TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF281 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF281L |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF281S | MOT |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF281SR1 | MOTOROLA |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF281Z | MOTOROLA |
auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF281ZR |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF282 |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF282S | MOTOROLA |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF282S | MOTOROLA | TO-55 |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF282SC | MOTOROLA |
auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF282SR1 | MOTOROLA | TO-55 |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF282SR1 | MOTOROLA |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF282Z | MOTOROLA |
auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF282Z | MOTOROLA | TO-55 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF283 |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF284 | MOTOROLA |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF284 | MOTOROLA | TO-55 |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF284,MRF2 |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF284C | MOTOROLA |
auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF284L | MOT |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF284LR5 | MOT | 07+; |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF284LS |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
IRF2807SPBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.47 EUR |
IRF2807STRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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800+ | 1.74 EUR |
IRF2807STRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 3.12 EUR |
10+ | 2.58 EUR |
100+ | 2.06 EUR |
IRF2807STRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 11580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3.1 EUR |
10+ | 2.57 EUR |
100+ | 2.04 EUR |
500+ | 2.02 EUR |
800+ | 1.44 EUR |
2400+ | 1.42 EUR |
4800+ | 1.37 EUR |
IRF2807Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 4.32 EUR |
IRF2807ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 5431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 3.22 EUR |
10+ | 2.67 EUR |
100+ | 2.12 EUR |
500+ | 1.8 EUR |
1000+ | 1.52 EUR |
2000+ | 1.45 EUR |
5000+ | 1.39 EUR |
IRF2807ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 7031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.46 EUR |
10+ | 1.95 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
500+ | 1.56 EUR |
1000+ | 1.39 EUR |
IRF2807ZSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 3.85 EUR |
10+ | 3.15 EUR |
100+ | 2.55 EUR |
500+ | 2.53 EUR |
800+ | 1.81 EUR |
2400+ | 1.74 EUR |
4800+ | 1.68 EUR |
IRF2807ZSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 3.89 EUR |
10+ | 3.23 EUR |
100+ | 2.57 EUR |
IRF2807ZSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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800+ | 2.17 EUR |
IRF2805PBF |
Hersteller: International Rectifier Corporation
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)