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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF3710PBF Produktcode: 43009
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 57 Rds(on), Ohm: 0.023 Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 JHGF: THT |
verfügbar: 520 Stück
5 Stück - stock Köln
515 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF3710SPBF Produktcode: 43364
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 100 Rds(on), Ohm: 57 Ciss, pF/Qg, nC: 40 Bem.: 200 JHGF: 01.12.1945 |
verfügbar: 18 Stück
3 Stück - stock Köln
15 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF3710ZPBF Produktcode: 190954
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Lieblingsprodukt
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JSMICRO |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 JHGF: THT |
auf Bestellung 59 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF3710ZPBF Produktcode: 44978
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm JHGF: THT |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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F3710S |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- | TE Connectivity |
Category: Storage - Unclassified Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF3710ZS | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3710 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3710 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710PBF | Infineon |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710STRL | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 504 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 45712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
auf Bestellung 13489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710Z IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Mounting: THT Gate charge: 82nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Mounting: THT Gate charge: 82nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710ZPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710ZSTR | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3675 Stücke: Lieferzeit 94-98 Tag (e) |
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RF3710 | 3M |
![]() Packaging: Package Card Kit Type: Cable Ties Kit Contents: 5 Straps (Black) Part Status: Active |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TRF3710EVM | Texas Instruments |
![]() Packaging: Box For Use With/Related Products: TRF3710 Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz Type: Demodulator Supplied Contents: Board(s) Part Status: Obsolete Contents: Board(s) Utilized IC / Part: TRF3710 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TRF3710IRGZR | Texas Instruments |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Function: Demodulator Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Gain: 45dB Noise Figure: 14.5dB LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7) Part Status: Active Current - Supply: 360 mA |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TRF3710IRGZT | Texas Instruments |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Function: Demodulator Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Gain: 45dB Noise Figure: 14.5dB LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7) Part Status: Active Current - Supply: 360 mA |
auf Bestellung 10750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF 3710PBF | IR | 09+ TSOP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF3710BF | JRC | TO220 |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF3710S | IR | 8 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF3710S | IR | TO-263 |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF3710S | IR |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF3710STRR |
![]() |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF3710ZL |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF3710ZLTRPBF | IR | 0742+ TO262 |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
TRF3710IRGZR | TI |
![]() |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
SKG45N10-T | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SMDJ22A | Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.51A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 24.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V Power - Peak Pulse: 3000W (3kW) Power Line Protection: Yes Part Status: Active |
auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF3710Z Produktcode: 107592
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF3710 Produktcode: 23683
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Idd,A: 57 Rds(on), Ohm: 0.023 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3710STRLPBF Produktcode: 191831
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF3710ZS Produktcode: 99470
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: D2Pak (TO-263-3) Uds,V: 100 Idd,A: 59 Rds(on), Ohm: 18 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82 JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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F371010-B | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
F37103-000 | TE Connectivity / Raychem | Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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F371043001 | TE Connectivity | Multi-Conductor Cables 55D1121-22-2/6-9 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- | TE Connectivity |
Category: Storage - Unclassified Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55 | TE Connectivity AMP Connectors |
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55 Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
100P2627F37-10-1-CHP-D-L40 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine |
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40 Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
100P2627F37-10-1-CHP-D-L55 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine |
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L55 Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF3710PBF Produktcode: 43009
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 520 Stück
5 Stück - stock Köln
515 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
515 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.72 EUR |
10+ | 0.70 EUR |
100+ | 0.69 EUR |
IRF3710SPBF Produktcode: 43364
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 18 Stück
3 Stück - stock Köln
15 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
15 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.08 EUR |
10+ | 1.06 EUR |
IRF3710ZPBF Produktcode: 190954
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710ZPBF Produktcode: 44978
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Lieblingsprodukt
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![]() |
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.72 EUR |
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- |
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 332.82 EUR |
2+ | 287.54 EUR |
AUIRF3710ZS |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 10.52 EUR |
AUIRF3710ZSTRL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 7.64 EUR |
10+ | 5.05 EUR |
100+ | 3.58 EUR |
AUIRF3710ZSTRL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.55 EUR |
10+ | 5.02 EUR |
25+ | 5.00 EUR |
100+ | 3.56 EUR |
800+ | 2.90 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.30 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.52 EUR |
IRF3710 |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 2.33 EUR |
10+ | 2.00 EUR |
100+ | 1.76 EUR |
IRF3710PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.19 EUR |
55+ | 1.30 EUR |
80+ | 0.90 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
IRF3710PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.71 EUR |
10+ | 1.69 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
500+ | 1.30 EUR |
1000+ | 1.23 EUR |
2000+ | 1.17 EUR |
IRF3710PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.91 EUR |
50+ | 1.86 EUR |
100+ | 1.71 EUR |
500+ | 1.37 EUR |
1000+ | 1.26 EUR |
2000+ | 1.17 EUR |
IRF3710PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.56 EUR |
10+ | 5.81 EUR |
100+ | 5.28 EUR |
IRF3710STRL |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.06 EUR |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
90+ | 0.80 EUR |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.29 EUR |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 45712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.68 EUR |
10+ | 2.39 EUR |
100+ | 1.85 EUR |
250+ | 1.76 EUR |
500+ | 1.33 EUR |
IRF3710STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 13489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.29 EUR |
10+ | 2.77 EUR |
100+ | 1.90 EUR |
IRF3710Z IRF3710Z |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.03 EUR |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.22 EUR |
46+ | 1.59 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.22 EUR |
46+ | 1.59 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
5000+ | 0.79 EUR |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.43 EUR |
10+ | 2.23 EUR |
100+ | 1.51 EUR |
500+ | 1.20 EUR |
1000+ | 1.10 EUR |
IRF3710ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.34 EUR |
10+ | 2.18 EUR |
100+ | 1.50 EUR |
500+ | 1.19 EUR |
1000+ | 1.09 EUR |
2000+ | 1.01 EUR |
5000+ | 1.00 EUR |
IRF3710ZSTR |
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.40 EUR |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.38 EUR |
1600+ | 1.28 EUR |
2400+ | 1.22 EUR |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 14997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.14 EUR |
10+ | 2.66 EUR |
100+ | 1.82 EUR |
IRF3710ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 3675 Stücke:
Lieferzeit 94-98 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.47 EUR |
10+ | 2.38 EUR |
100+ | 1.81 EUR |
500+ | 1.59 EUR |
800+ | 1.26 EUR |
RF3710 |
![]() |
Hersteller: 3M
Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 6.74 EUR |
TRF3710EVM |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Description: EVAL MODULE FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TRF3710
Description: EVAL MODULE FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TRF3710
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 537.84 EUR |
TRF3710IRGZR |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 24.57 EUR |
TRF3710IRGZT |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
auf Bestellung 10750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 29.43 EUR |
IRF 3710PBF |
Hersteller: IR
09+ TSOP
09+ TSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710BF |
Hersteller: JRC
TO220
TO220
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710S |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710S |
Hersteller: IR
8
8
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710S |
Hersteller: IR
TO-263
TO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710S |
Hersteller: IR
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710STRR |
![]() |
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710ZL |
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF3710ZLTRPBF |
Hersteller: IR
0742+ TO262
0742+ TO262
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TRF3710IRGZR |
![]() |
Hersteller: TI
09+
09+
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SKG45N10-T |
Hersteller: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.37 EUR |
SMDJ22A |
![]() |
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.51A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.51A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 1.64 EUR |
14+ | 1.34 EUR |
100+ | 0.97 EUR |
500+ | 0.80 EUR |
1000+ | 0.68 EUR |
AUIRF3710Z Produktcode: 107592
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3710 Produktcode: 23683
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.76 EUR |
10+ | 0.73 EUR |
IRF3710STRLPBF Produktcode: 191831
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF3710ZS Produktcode: 99470
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 100
Idd,A: 59
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 100
Idd,A: 59
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.76 EUR |
10+ | 0.72 EUR |
F371010-B |
Hersteller: Aptiv (formerly Delphi)
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
F37103-000 |
Hersteller: TE Connectivity / Raychem
Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0
Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
F371043001 |
Hersteller: TE Connectivity
Multi-Conductor Cables 55D1121-22-2/6-9
Multi-Conductor Cables 55D1121-22-2/6-9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- |
Hersteller: TE Connectivity
Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 332.82 EUR |
2+ | 287.54 EUR |
100P2627F37-10-1-CHP-D-L40 |
Hersteller: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Packaging: Bulk
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
100P2627F37-10-1-CHP-D-L55 |
Hersteller: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L55
Packaging: Bulk
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L55
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
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