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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF3710PBF IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 73 St.
5 St. - stock Köln
68 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
300 St. - erwartet 21.05.2026
1+0.72 EUR
10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
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IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 12 St.
3 St. - stock Köln
9 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.08 EUR
10+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3710S
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP- TE Connectivity Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+327.88 EUR
2+283.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.48 EUR
10+4.94 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.32 EUR
47+1.52 EUR
59+1.23 EUR
100+1.11 EUR
250+0.97 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.84 EUR
10+2.46 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 16431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+2.25 EUR
100+1.54 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRL Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRL UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.66 EUR
51+1.42 EUR
59+1.22 EUR
100+1.14 EUR
250+1.04 EUR
500+0.97 EUR
800+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 17466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.18 EUR
500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 8320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.62 EUR
1600+1.5 EUR
2400+1.44 EUR
4000+1.38 EUR
5600+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 8451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.73 EUR
10+3.06 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710Z IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710Z IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
50+1.45 EUR
57+1.27 EUR
67+1.08 EUR
100+0.96 EUR
200+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
10+2.18 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.35 EUR
1600+1.25 EUR
2400+1.2 EUR
4000+1.14 EUR
5600+1.11 EUR
8000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.37 EUR
800+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 12208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.03 EUR
10+2.6 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF3710 RF3710 3M scotch-fastening-brochure-5pg.pdf Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.86 EUR
10+5.83 EUR
25+5.46 EUR
50+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF3710EVM TRF3710EVM Texas Instruments slau224.pdf Description: EVAL BOARD FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TRF3710
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+483.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF3710IRGZR TRF3710IRGZR Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
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18+25.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF3710IRGZT TRF3710IRGZT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
auf Bestellung 12500 Stücke:
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15+30.14 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
auf Bestellung 5 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710BF JRC TO220
auf Bestellung 100000 Stücke:
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IRF3710S IR TO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF International Rectifier Corporation irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
auf Bestellung 25 Stücke:
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IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
auf Bestellung 150 Stücke:
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IRF3710ZL
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IRF3710ZLTRPBF IR 0742+ TO262
auf Bestellung 7000 Stücke:
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IRF3710ZPBF International Rectifier Corporation irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF3710IRGZR TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 09+
auf Bestellung 88 Stücke:
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Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
auf Bestellung 61 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
auf Bestellung 19 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
auf Bestellung 14 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT120N10A MOT trenchsgtmOS_753.html N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RMW-180/60-1200/ADH-0 RMW-180/60-1200/ADH-0 TE Connectivity Raychem Cable Protection DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=7-1773465-1RMW&DocType=DS&DocLang=EN Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Packaging: Bulk
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.52 EUR
5+93.47 EUR
10+88.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMDJ22A SMDJ22A Littelfuse Inc. littelfuse-tvs-diode-smdj-datasheet?assetguid=2d9772b3-822b-4362-914d-b74e0a706638 Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.34 EUR
12+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YFWG120N10AC YFW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 3,8mOhm; 120A; 210W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T; YFWG120N10AC TO220 YFW TYFWG120N10AC YFW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SKG45N10-T SHIKUES Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3710Z AUIRF3710Z
Produktcode: 107592
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AUIRF3710Z%28S%29.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 IRF3710
Produktcode: 23683
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IR irf3710-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
JHGF: THT
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1+0.76 EUR
10+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF
Produktcode: 191831
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irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZS IRF3710ZS
Produktcode: 99470
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IR irf3710z-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 100
Idd,A: 59
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.76 EUR
10+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF
Produktcode: 218330
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irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F37103-000 TE Connectivity AMP Connectors Description: RMW-180/60-1200/ADH-0
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55 TE Connectivity AMP Connectors Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100P2627F37-10-1-CHP-D-L40 TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Packaging: Bulk
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IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 73 St.
5 St. - stock Köln
68 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
300 St. - erwartet 21.05.2026
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
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irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 12 St.
3 St. - stock Köln
9 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.08 EUR
10+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3710S
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
Hersteller: TE Connectivity
Category: Storage - Unclassified
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+327.88 EUR
2+283.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3710ZSTRL Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
AUIRF3710ZSTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.48 EUR
10+4.94 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710-CN
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
47+1.52 EUR
59+1.23 EUR
100+1.11 EUR
250+0.97 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.84 EUR
10+2.46 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRF3710PBF Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 16431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.41 EUR
10+2.25 EUR
100+1.54 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.16 EUR
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IRF3710STRL
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRL
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
51+1.42 EUR
59+1.22 EUR
100+1.14 EUR
250+1.04 EUR
500+0.97 EUR
800+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 17466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.18 EUR
500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 8320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.62 EUR
1600+1.5 EUR
2400+1.44 EUR
4000+1.38 EUR
5600+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 8451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.73 EUR
10+3.06 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710Z IRF3710Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710Z IRF3710Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
50+1.45 EUR
57+1.27 EUR
67+1.08 EUR
100+0.96 EUR
200+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.41 EUR
10+2.18 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.13 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTR
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.35 EUR
1600+1.25 EUR
2400+1.2 EUR
4000+1.14 EUR
5600+1.11 EUR
8000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.08 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.37 EUR
800+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 12208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.03 EUR
10+2.6 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF3710 scotch-fastening-brochure-5pg.pdf
RF3710
Hersteller: 3M
Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.86 EUR
10+5.83 EUR
25+5.46 EUR
50+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF3710EVM slau224.pdf
TRF3710EVM
Hersteller: Texas Instruments
Description: EVAL BOARD FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TRF3710
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+483.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
TRF3710IRGZR
Hersteller: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+25.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF3710IRGZT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
TRF3710IRGZT
Hersteller: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+30.14 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF 3710PBF
Hersteller: IR
09+ TSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710BF
Hersteller: JRC
TO220
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710S
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZLTRPBF
Hersteller: IR
0742+ TO262
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH, Udss=100V, Id=59A, TO-220AB, -55...+175
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
Hersteller: TI
09+
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT120N10A trenchsgtmOS_753.html
Hersteller: MOT
N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N; MOT120N10A TO220 MOT TMOT120N10A MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RMW-180/60-1200/ADH-0 DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=7-1773465-1RMW&DocType=DS&DocLang=EN
RMW-180/60-1200/ADH-0
Hersteller: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Packaging: Bulk
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+113.52 EUR
5+93.47 EUR
10+88.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMDJ22A littelfuse-tvs-diode-smdj-datasheet?assetguid=2d9772b3-822b-4362-914d-b74e0a706638
SMDJ22A
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.34 EUR
12+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YFWG120N10AC
Hersteller: YFW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 3,8mOhm; 120A; 210W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T; YFWG120N10AC TO220 YFW TYFWG120N10AC YFW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SKG45N10-T
Hersteller: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3710Z
Produktcode: 107592
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AUIRF3710Z%28S%29.pdf
AUIRF3710Z
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710
Produktcode: 23683
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irf3710-datasheet.pdf
IRF3710
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.76 EUR
10+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF
Produktcode: 191831
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZS
Produktcode: 99470
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irf3710z-datasheet.pdf
IRF3710ZS
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 100
Idd,A: 59
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.76 EUR
10+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF
Produktcode: 218330
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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F37103-000
Hersteller: TE Connectivity AMP Connectors
Description: RMW-180/60-1200/ADH-0
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55
Hersteller: TE Connectivity AMP Connectors
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-JP-L55
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Hersteller: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Description: 100P2627F37-10-1-CHP-D-L40
Packaging: Bulk
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