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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP60NF06 STP60NF06
Produktcode: 2993
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ST STP60NF06.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 165 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.7 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06L STP60NF06L
Produktcode: 105102
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ST stp60nf06l.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N02LDG
auf Bestellung 23290 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LD
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LDG NIKO 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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P60N03LR
auf Bestellung 50000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N06 ST TO-220 03+
auf Bestellung 20000 Stücke:
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P60NE03L-10 ST
auf Bestellung 3150 Stücke:
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P60NE06
auf Bestellung 3700 Stücke:
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P60NE06L-16
auf Bestellung 20 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF03 ST 05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF03L ST 05+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06 ST 09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06FP
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06L ST TO220 03+
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMIXFP60N25X3 AMIXFP60N25X3 Analog Power Inc. datasheet.php?part=AMIXFP60N25X3 Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220CFM
Packaging: Bulk
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.89 EUR
50+12.05 EUR
100+11.1 EUR
500+9.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EJP60N100 EJP60N100 ETEK MICROELECTRONICS b32b8afedec4fc66183f0a6a29224142.pdf Description: 60V N-Channel Trench Power MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
35+0.5 EUR
50+0.47 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EJP60NP930 EJP60NP930 ETEK MICROELECTRONICS aa2303b9450f7f7493621ef8ef3dcab2.pdf Description: 60V N&P-Channel Trench Power MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
35+0.5 EUR
50+0.47 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P60N120KD-EPBF IRG8P60N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 100A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
auf Bestellung 8826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+12.71 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.38 EUR
9+8.51 EUR
11+6.98 EUR
50+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_60N25X3_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.01 EUR
10+8.82 EUR
100+8.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.45 EUR
9+8.58 EUR
11+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFP60N25X3M_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.8 EUR
10+8.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-60n25x3-datasheet?assetguid=27d3d003-ebe6-4c6c-ad92-c705963c1606 Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
50+8.31 EUR
100+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.2 EUR
25+2.92 EUR
29+2.47 EUR
50+1.94 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N10T_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+2.96 EUR
100+2.22 EUR
500+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.02 EUR
12+6.42 EUR
50+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1 Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.26 EUR
50+6.04 EUR
100+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.54 EUR
10+5.65 EUR
100+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 IXYS IXTP60N20X4_DS.pdf Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.22 EUR
50+10.23 EUR
100+9.46 EUR
500+8.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixtp60n20x4_datasheet.pdf MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.04 EUR
10+9.56 EUR
100+9.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS IXYP60N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyp60n65a5_datasheet.pdf IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.23 EUR
10+7.52 EUR
100+6.02 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NUYC LL-HP60NUYC LUCKYLIGHT ll-hp60nuyc.pdf Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; yellow; STAR; 120°; 590nm; 30÷40lm; 1W
LED colour: yellow
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Wavelength: 590nm
Luminosity: 30...40lm
LED version: STAR
Type of diode: power LED
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NW6EB LL-HP60NW6EB LUCKYLIGHT ll-hp60nw6eb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; white warm; STAR; 1W; 2600-4000K; 80÷90lm; 120°
LED colour: white warm
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
LED version: STAR
Type of diode: power LED
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NWEB LL-HP60NWEB LUCKYLIGHT ll-hp60nweb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; white cold; STAR; 1W; 4000-10000K; 85÷100lm; 120°
LED colour: white cold
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
LED version: STAR
Type of diode: power LED
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.03 EUR
22+3.35 EUR
26+2.77 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04ILF-E1-AZ NP60N04ILF-E1-AZ Renesas np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
136+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VDK-E1-AY NP60N04VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856 Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.57 EUR
10+2.3 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VLK-E1-AY NP60N04VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VUK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.57 EUR
10+2.3 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.11 EUR
5000+1.03 EUR
7500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.8 EUR
10+2.44 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds0588ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 60A 5.5mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 2184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+2.45 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.77 EUR
10+2.42 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.84 EUR
10+2.47 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1339ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60N043DM9 STP60N043DM9 STMicroelectronics stp60n043dm9.pdf Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.46 EUR
50+9.77 EUR
100+9.03 EUR
500+7.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60N043DM9 STP60N043DM9 STMicroelectronics stp60n043dm9.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.46 EUR
10+9.75 EUR
100+9.01 EUR
500+8.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
62+1.16 EUR
74+0.97 EUR
100+0.9 EUR
200+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 ST en.CD00002318.pdf description N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 JSMSEMI en.CD00002318.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 2197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+1.71 EUR
100+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.47 EUR
50+1.68 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.1 EUR
2000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
50+1.55 EUR
100+1.39 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+1.47 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.39 EUR
39+1.86 EUR
45+1.62 EUR
53+1.36 EUR
60+1.21 EUR
100+1.06 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06L ST en.CD00002907.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06
Produktcode: 2993
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 165 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06L
Produktcode: 105102
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
stp60nf06l.pdf
STP60NF06L
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N02LDG
auf Bestellung 23290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LDG
Hersteller: NIKO
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LR
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N06
Hersteller: ST
TO-220 03+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE03L-10
Hersteller: ST
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE06
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE06L-16
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF03
Hersteller: ST
05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF03L
Hersteller: ST
05+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06
Hersteller: ST
09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06FP
auf Bestellung 506 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06L
Hersteller: ST
TO220 03+
auf Bestellung 44 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AMIXFP60N25X3 datasheet.php?part=AMIXFP60N25X3
AMIXFP60N25X3
Hersteller: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220CFM
Packaging: Bulk
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.89 EUR
50+12.05 EUR
100+11.1 EUR
500+9.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EJP60N100 b32b8afedec4fc66183f0a6a29224142.pdf
EJP60N100
Hersteller: ETEK MICROELECTRONICS
Description: 60V N-Channel Trench Power MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+0.53 EUR
35+0.5 EUR
50+0.47 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EJP60NP930 aa2303b9450f7f7493621ef8ef3dcab2.pdf
EJP60NP930
Hersteller: ETEK MICROELECTRONICS
Description: 60V N&P-Channel Trench Power MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+0.53 EUR
35+0.5 EUR
50+0.47 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P60N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P60N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 100A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
auf Bestellung 8826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+12.71 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.38 EUR
9+8.51 EUR
11+6.98 EUR
50+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_60N25X3_Datasheet.PDF
IXFP60N25X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.01 EUR
10+8.82 EUR
100+8.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.45 EUR
9+8.58 EUR
11+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFP60N25X3M_Datasheet.PDF
IXFP60N25X3M
Hersteller: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.8 EUR
10+8.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M littelfuse-discrete-mosfets-ixf-60n25x3-datasheet?assetguid=27d3d003-ebe6-4c6c-ad92-c705963c1606
IXFP60N25X3M
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.08 EUR
50+8.31 EUR
100+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.2 EUR
25+2.92 EUR
29+2.47 EUR
50+1.94 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N10T_Datasheet.PDF
IXTP60N10T
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.46 EUR
10+2.96 EUR
100+2.22 EUR
500+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
12+6.42 EUR
50+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.26 EUR
50+6.04 EUR
100+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.54 EUR
10+5.65 EUR
100+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4_DS.pdf
IXTP60N20X4
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.22 EUR
50+10.23 EUR
100+9.46 EUR
500+8.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixtp60n20x4_datasheet.pdf
IXTP60N20X4
Hersteller: IXYS
MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.04 EUR
10+9.56 EUR
100+9.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5.pdf
IXYP60N65A5
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyp60n65a5_datasheet.pdf
IXYP60N65A5
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.23 EUR
10+7.52 EUR
100+6.02 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NUYC ll-hp60nuyc.pdf
LL-HP60NUYC
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; yellow; STAR; 120°; 590nm; 30÷40lm; 1W
LED colour: yellow
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Wavelength: 590nm
Luminosity: 30...40lm
LED version: STAR
Type of diode: power LED
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NW6EB ll-hp60nw6eb.pdf
LL-HP60NW6EB
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; white warm; STAR; 1W; 2600-4000K; 80÷90lm; 120°
LED colour: white warm
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
LED version: STAR
Type of diode: power LED
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NWEB ll-hp60nweb.pdf
LL-HP60NWEB
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; white cold; STAR; 1W; 4000-10000K; 85÷100lm; 120°
LED colour: white cold
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
LED version: STAR
Type of diode: power LED
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.03 EUR
22+3.35 EUR
26+2.77 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04ILF-E1-AZ np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet
NP60N04ILF-E1-AZ
Hersteller: Renesas
Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VDK-E1-AY np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856
NP60N04VDK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.57 EUR
10+2.3 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VLK-E1-AY np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861
NP60N04VLK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VUK-E1-AY np60n04vukmos-field-effect-transistor
NP60N04VUK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.57 EUR
10+2.3 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.11 EUR
5000+1.03 EUR
7500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.8 EUR
10+2.44 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY REN_r07ds0588ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf
NP60N055VUK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 60A 5.5mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524.pdf
NP60N06VDK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 2184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.82 EUR
10+2.45 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.77 EUR
10+2.42 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.84 EUR
10+2.47 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY REN_r07ds1339ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf
NP60N06VLK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60N043DM9 stp60n043dm9.pdf
STP60N043DM9
Hersteller: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.46 EUR
50+9.77 EUR
100+9.03 EUR
500+7.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60N043DM9 stp60n043dm9.pdf
STP60N043DM9
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.46 EUR
10+9.75 EUR
100+9.01 EUR
500+8.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
62+1.16 EUR
74+0.97 EUR
100+0.9 EUR
200+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Hersteller: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 2197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.52 EUR
10+1.71 EUR
100+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.47 EUR
50+1.68 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.1 EUR
2000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
STP60NF06FP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.22 EUR
50+1.55 EUR
100+1.39 EUR
500+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
STP60NF06FP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.04 EUR
10+1.47 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06L STB60NF06LT4.pdf
STP60NF06L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
39+1.86 EUR
45+1.62 EUR
53+1.36 EUR
60+1.21 EUR
100+1.06 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; STP60NF06L TSTP60NF06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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