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STP60NF06 STP60NF06
Produktcode: 2993
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ST STP60NF06.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 451 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.70 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06L STP60NF06L
Produktcode: 105102
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ST stp60nf06l.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 70 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N02LDG
auf Bestellung 23290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LDG NIKO 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LR
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N06 IR 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N06 ST TO-220 03+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE03L-10 ST
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE06
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE06L-16
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF03 ST 05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF03L ST 05+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06 ST 09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06FP
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06L ST TO220 03+
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P60N120KD-EPBF IRG8P60N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 100A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
auf Bestellung 8826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
41+12.63 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.04 EUR
10+7.29 EUR
11+6.89 EUR
50+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.04 EUR
10+7.29 EUR
11+6.89 EUR
50+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
50+7.88 EUR
100+7.32 EUR
500+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS media-3319826.pdf MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+12.65 EUR
50+8.13 EUR
100+7.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.34 EUR
11+6.69 EUR
12+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.34 EUR
11+6.69 EUR
12+6.32 EUR
50+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp60n25x3m_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.55 EUR
50+7.94 EUR
100+7.38 EUR
500+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS media-3322791.pdf MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.39 EUR
10+10.60 EUR
50+7.76 EUR
100+7.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.30 EUR
40+1.80 EUR
43+1.70 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.30 EUR
40+1.80 EUR
43+1.70 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS media-3322180.pdf MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.62 EUR
100+2.18 EUR
500+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.91 EUR
50+2.67 EUR
100+2.44 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.88 EUR
12+6.18 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.88 EUR
12+6.18 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS media-3322086.pdf MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.87 EUR
10+8.89 EUR
50+5.56 EUR
100+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.03 EUR
50+5.73 EUR
100+5.30 EUR
500+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 IXYS media-3320538.pdf MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.33 EUR
10+16.12 EUR
50+9.72 EUR
100+9.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 Littelfuse Inc. IXTP60N20X4_DS.pdf Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.49 EUR
50+9.82 EUR
100+9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS media-3323590.pdf IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+8.31 EUR
50+4.68 EUR
100+4.31 EUR
500+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS IXYP60N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.40 EUR
50+4.73 EUR
100+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NUYC LL-HP60NUYC LUCKYLIGHT ll-hp60nuyc.pdf Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
LED colour: yellow
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Wavelength: 590nm
Type of diode: power LED
Luminosity: 30...40lm
LED version: STAR
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.46 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NUYC LL-HP60NUYC LUCKYLIGHT ll-hp60nuyc.pdf Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
LED colour: yellow
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Wavelength: 590nm
Type of diode: power LED
Luminosity: 30...40lm
LED version: STAR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.46 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NW6EB LL-HP60NW6EB LUCKYLIGHT ll-hp60nw6eb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
LED colour: white warm
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Type of diode: power LED
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
LED version: STAR
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.00 EUR
18+4.06 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NW6EB LL-HP60NW6EB LUCKYLIGHT ll-hp60nw6eb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
LED colour: white warm
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Type of diode: power LED
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
LED version: STAR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.00 EUR
18+4.06 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NWEB LL-HP60NWEB LUCKYLIGHT ll-hp60nweb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
LED colour: white cold
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Type of diode: power LED
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
LED version: STAR
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.88 EUR
18+4.06 EUR
26+2.85 EUR
27+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NWEB LL-HP60NWEB LUCKYLIGHT ll-hp60nweb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
LED colour: white cold
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Type of diode: power LED
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
LED version: STAR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
18+4.06 EUR
26+2.85 EUR
27+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04ILF-E1-AZ NP60N04ILF-E1-AZ Renesas np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
156+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VDK-E1-AY NP60N04VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856 Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.98 EUR
10+2.56 EUR
100+1.75 EUR
500+1.40 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VLK-E1-AY NP60N04VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.05 EUR
10+2.60 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VUK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.98 EUR
10+2.56 EUR
100+1.75 EUR
500+1.40 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.94 EUR
10+2.54 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds0588ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930618.pdf MOSFETs Power MOSFET
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.60 EUR
10+2.18 EUR
100+1.72 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
10+2.30 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.16 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930603.pdf MOSFETs P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.60 EUR
10+2.18 EUR
100+1.72 EUR
250+1.60 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1339ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930619.pdf MOSFETs P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+2.22 EUR
100+1.78 EUR
250+1.64 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.05 EUR
10+2.60 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD30CNP60NAM5SA PD30CNP60NAM5SA Carlo Gavazzi PD30CNP60NAM5SA-2525508.pdf Photoelectric Sensors Polarized Retro-reflective Photoelectric Sensor, Range 6000mm, red polarized modulated light 625nm, Power Supply 10-30VDC, NPN Output, NO and NC, Light and Dark Switching, M8 Plug
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+138.20 EUR
5+131.26 EUR
10+127.12 EUR
25+122.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60N043DM9 STP60N043DM9 STMicroelectronics stp60n043dm9-2943597.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.35 EUR
10+14.89 EUR
25+13.50 EUR
100+12.39 EUR
250+11.67 EUR
500+10.93 EUR
1000+9.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.30 EUR
49+1.47 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.30 EUR
49+1.47 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06
Produktcode: 2993
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description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 451 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06L
Produktcode: 105102
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stp60nf06l.pdf
STP60NF06L
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 70 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N02LDG
auf Bestellung 23290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LDG
Hersteller: NIKO
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N03LR
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N06
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60N06
Hersteller: ST
TO-220 03+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE03L-10
Hersteller: ST
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE06
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NE06L-16
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF03
Hersteller: ST
05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF03L
Hersteller: ST
05+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06
Hersteller: ST
09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06FP
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P60NF06L
Hersteller: ST
TO220 03+
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG8P60N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P60N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 100A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
auf Bestellung 8826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+12.63 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.04 EUR
10+7.29 EUR
11+6.89 EUR
50+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.04 EUR
10+7.29 EUR
11+6.89 EUR
50+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf
IXFP60N25X3
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.48 EUR
50+7.88 EUR
100+7.32 EUR
500+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3 media-3319826.pdf
IXFP60N25X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.34 EUR
10+12.65 EUR
50+8.13 EUR
100+7.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
11+6.69 EUR
12+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
11+6.69 EUR
12+6.32 EUR
50+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp60n25x3m_datasheet.pdf.pdf
IXFP60N25X3M
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.55 EUR
50+7.94 EUR
100+7.38 EUR
500+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP60N25X3M media-3322791.pdf
IXFP60N25X3M
Hersteller: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.39 EUR
10+10.60 EUR
50+7.76 EUR
100+7.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.30 EUR
40+1.80 EUR
43+1.70 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.30 EUR
40+1.80 EUR
43+1.70 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T media-3322180.pdf
IXTP60N10T
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.82 EUR
10+2.62 EUR
100+2.18 EUR
500+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf
IXTP60N10T
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.91 EUR
50+2.67 EUR
100+2.44 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.88 EUR
12+6.18 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.88 EUR
12+6.18 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T media-3322086.pdf
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.87 EUR
10+8.89 EUR
50+5.56 EUR
100+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf.pdf
IXTP60N20T
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.03 EUR
50+5.73 EUR
100+5.30 EUR
500+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4 media-3320538.pdf
IXTP60N20X4
Hersteller: IXYS
MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.33 EUR
10+16.12 EUR
50+9.72 EUR
100+9.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4_DS.pdf
IXTP60N20X4
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+16.49 EUR
50+9.82 EUR
100+9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5 media-3323590.pdf
IXYP60N65A5
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.32 EUR
10+8.31 EUR
50+4.68 EUR
100+4.31 EUR
500+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5.pdf
IXYP60N65A5
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.40 EUR
50+4.73 EUR
100+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NUYC ll-hp60nuyc.pdf
LL-HP60NUYC
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
LED colour: yellow
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Wavelength: 590nm
Type of diode: power LED
Luminosity: 30...40lm
LED version: STAR
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.46 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NUYC ll-hp60nuyc.pdf
LL-HP60NUYC
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
LED colour: yellow
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Wavelength: 590nm
Type of diode: power LED
Luminosity: 30...40lm
LED version: STAR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.46 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NW6EB ll-hp60nw6eb.pdf
LL-HP60NW6EB
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
LED colour: white warm
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Type of diode: power LED
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
LED version: STAR
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.00 EUR
18+4.06 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NW6EB ll-hp60nw6eb.pdf
LL-HP60NW6EB
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
LED colour: white warm
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Type of diode: power LED
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
LED version: STAR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.00 EUR
18+4.06 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NWEB ll-hp60nweb.pdf
LL-HP60NWEB
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
LED colour: white cold
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Type of diode: power LED
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
LED version: STAR
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.88 EUR
18+4.06 EUR
26+2.85 EUR
27+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL-HP60NWEB ll-hp60nweb.pdf
LL-HP60NWEB
Hersteller: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
LED colour: white cold
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Type of diode: power LED
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
LED version: STAR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.88 EUR
18+4.06 EUR
26+2.85 EUR
27+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04ILF-E1-AZ np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet
NP60N04ILF-E1-AZ
Hersteller: Renesas
Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
156+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VDK-E1-AY np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856
NP60N04VDK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.98 EUR
10+2.56 EUR
100+1.75 EUR
500+1.40 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VLK-E1-AY np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861
NP60N04VLK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.05 EUR
10+2.60 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N04VUK-E1-AY np60n04vukmos-field-effect-transistor
NP60N04VUK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.98 EUR
10+2.56 EUR
100+1.75 EUR
500+1.40 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.94 EUR
10+2.54 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY REN_r07ds0588ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930618.pdf
NP60N055VUK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Power MOSFET
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.60 EUR
10+2.18 EUR
100+1.72 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.76 EUR
10+2.30 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.16 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VDK-E1-AY REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930603.pdf
NP60N06VDK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.60 EUR
10+2.18 EUR
100+1.72 EUR
250+1.60 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY REN_r07ds1339ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930619.pdf
NP60N06VLK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.68 EUR
10+2.22 EUR
100+1.78 EUR
250+1.64 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.05 EUR
10+2.60 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD30CNP60NAM5SA PD30CNP60NAM5SA-2525508.pdf
PD30CNP60NAM5SA
Hersteller: Carlo Gavazzi
Photoelectric Sensors Polarized Retro-reflective Photoelectric Sensor, Range 6000mm, red polarized modulated light 625nm, Power Supply 10-30VDC, NPN Output, NO and NC, Light and Dark Switching, M8 Plug
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+138.20 EUR
5+131.26 EUR
10+127.12 EUR
25+122.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60N043DM9 stp60n043dm9-2943597.pdf
STP60N043DM9
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.35 EUR
10+14.89 EUR
25+13.50 EUR
100+12.39 EUR
250+11.67 EUR
500+10.93 EUR
1000+9.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.30 EUR
49+1.47 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.30 EUR
49+1.47 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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