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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXT040N03C BRIDGELUX BXT040N03C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040P04M BRIDGELUX BXT040P04M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT047N03E BRIDGELUX BXT047N03E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT071N04E BRIDGELUX BXT071N04E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E BRIDGELUX BXT080N03E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX BXT090N06B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX BXT090N06B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06D BRIDGELUX BXT1000N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX BXT1000N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
363+0.20 EUR
544+0.13 EUR
1622+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX BXT1000N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
363+0.20 EUR
544+0.13 EUR
1622+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M BRIDGELUX BXT1100P02M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E BRIDGELUX BXT110P03E SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX BXT1150N10D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.34 EUR
252+0.28 EUR
315+0.23 EUR
350+0.20 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX BXT1150N10D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
252+0.28 EUR
315+0.23 EUR
350+0.20 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX BXT1150N10J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX BXT1150N10J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX BXT1700P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
315+0.23 EUR
394+0.18 EUR
443+0.16 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX BXT1700P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
315+0.23 EUR
394+0.18 EUR
443+0.16 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M BXT210N02M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
582+0.12 EUR
971+0.07 EUR
1458+0.05 EUR
1839+0.04 EUR
1946+0.04 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M BXT210N02M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
582+0.12 EUR
971+0.07 EUR
1458+0.05 EUR
1839+0.04 EUR
1946+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B BRIDGELUX BXT230P03B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
288+0.25 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B BRIDGELUX BXT230P03B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
288+0.25 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT270N02M BRIDGELUX BXT270N02M SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10D BRIDGELUX BXT2800N10D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10M BRIDGELUX BXT2800N10M SMD N channel transistors
auf Bestellung 5012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
538+0.13 EUR
1938+0.04 EUR
2050+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 538
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B BXT280N02B BRIDGELUX BXT280N02B.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
355+0.20 EUR
414+0.17 EUR
501+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B BXT280N02B BRIDGELUX BXT280N02B.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
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BXT280N03M BRIDGELUX BXT280N03M SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002BK BXT2N7002BK BRIDGELUX BXT2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002BK BXT2N7002BK BRIDGELUX BXT2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002T BRIDGELUX BXT2N7002T SMD N channel transistors
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BXT2N7002T3 BRIDGELUX BXT2N7002T3 SMD N channel transistors
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BXT320N02D BRIDGELUX BXT320N02D SMD N channel transistors
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BXT330N02M BRIDGELUX BXT330N02M SMD N channel transistors
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BXT330N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N06D BXT330N06D BRIDGELUX BXT330N06D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N06D BXT330N06D BRIDGELUX BXT330N06D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT350P02M BRIDGELUX BXT350P02M SMD P channel transistors
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BXT3800P06M BRIDGELUX BXT3800P06M SMD P channel transistors
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BXT400N06N BRIDGELUX BXT400N06N SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT420N03M BXT420N03M BRIDGELUX BXT420N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 2.7nC
auf Bestellung 12653 Stücke:
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334+0.21 EUR
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1386+0.05 EUR
1651+0.04 EUR
2393+0.03 EUR
2526+0.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C BXT040N03C.pdf
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040P04M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT040P04M SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT047N03E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT047N03E SMD N channel transistors
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BXT060N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT071N04E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT071N04E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT080N03E SMD N channel transistors
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BXT080N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B.pdf
BXT090N06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B.pdf
BXT090N06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1000N06D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M.pdf
BXT1000N06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
363+0.20 EUR
544+0.13 EUR
1622+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M.pdf
BXT1000N06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
363+0.20 EUR
544+0.13 EUR
1622+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1100P02M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT110P03E SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D.pdf
BXT1150N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
252+0.28 EUR
315+0.23 EUR
350+0.20 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D.pdf
BXT1150N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
252+0.28 EUR
315+0.23 EUR
350+0.20 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J.pdf
BXT1150N10J
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J.pdf
BXT1150N10J
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M.pdf
BXT1700P06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
315+0.23 EUR
394+0.18 EUR
443+0.16 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M.pdf
BXT1700P06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
315+0.23 EUR
394+0.18 EUR
443+0.16 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M
BXT210N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
582+0.12 EUR
971+0.07 EUR
1458+0.05 EUR
1839+0.04 EUR
1946+0.04 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M
BXT210N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
582+0.12 EUR
971+0.07 EUR
1458+0.05 EUR
1839+0.04 EUR
1946+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B.pdf
BXT230P03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
288+0.25 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B.pdf
BXT230P03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
288+0.25 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT270N02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT270N02M SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2800N10D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2800N10M SMD N channel transistors
auf Bestellung 5012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
538+0.13 EUR
1938+0.04 EUR
2050+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 538
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B BXT280N02B.pdf
BXT280N02B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
355+0.20 EUR
414+0.17 EUR
501+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B BXT280N02B.pdf
BXT280N02B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
355+0.20 EUR
414+0.17 EUR
501+0.14 EUR
603+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N03M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT280N03M SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002BK BXT2N7002BK.pdf
BXT2N7002BK
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
568+0.13 EUR
834+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 568
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002BK BXT2N7002BK.pdf
BXT2N7002BK
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
568+0.13 EUR
834+0.09 EUR
983+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 568
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002T
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2N7002T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002T3
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2N7002T3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT320N02D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT320N02D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT330N02M SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N06D BXT330N06D.pdf
BXT330N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N06D BXT330N06D.pdf
BXT330N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT350P02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT350P02M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT3800P06M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT3800P06M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT400N06N
Hersteller: BRIDGELUX
BXT400N06N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT420N03M BXT420N03M.pdf
BXT420N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 2.7nC
auf Bestellung 12653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
695+0.10 EUR
993+0.07 EUR
1241+0.06 EUR
1386+0.05 EUR
1651+0.04 EUR
2393+0.03 EUR
2526+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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