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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXT080N03E BRIDGELUX BXT080N03E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06D BRIDGELUX BXT1000N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
360+0.20 EUR
542+0.13 EUR
1542+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
360+0.20 EUR
542+0.13 EUR
1542+0.05 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
Mounting: SMD
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.34 EUR
252+0.28 EUR
317+0.23 EUR
353+0.20 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
252+0.28 EUR
317+0.23 EUR
353+0.20 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
auf Bestellung 3964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.20 EUR
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
582+0.12 EUR
1000+0.07 EUR
1064+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.20 EUR
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
582+0.12 EUR
1000+0.07 EUR
1064+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX BXT1700P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX BXT1700P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
166+0.43 EUR
455+0.16 EUR
3000+0.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M BXT210N02M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
582+0.12 EUR
971+0.07 EUR
1458+0.05 EUR
1839+0.04 EUR
1946+0.04 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M BXT210N02M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
582+0.12 EUR
971+0.07 EUR
1458+0.05 EUR
1839+0.04 EUR
1946+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B BRIDGELUX BXT230P03B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
288+0.25 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B BRIDGELUX BXT230P03B.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
288+0.25 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT270N02M BRIDGELUX BXT270N02M SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10D BRIDGELUX BXT2800N10D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10M BRIDGELUX BXT2800N10M SMD N channel transistors
auf Bestellung 5012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
538+0.13 EUR
1938+0.04 EUR
2050+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 538
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B BXT280N02B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9B5656E620D2&compId=BXT280N02B.pdf?ci_sign=41dd86f5cbe6b099e82224c18b7f8d3fbe768776 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
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BXT280N02B BXT280N02B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9B5656E620D2&compId=BXT280N02B.pdf?ci_sign=41dd86f5cbe6b099e82224c18b7f8d3fbe768776 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
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BXT280N03M BRIDGELUX BXT280N03M SMD N channel transistors
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BXT2N7002BK BRIDGELUX BXT2N7002BK SMD N channel transistors
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BXT2N7002T BRIDGELUX BXT2N7002T SMD N channel transistors
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BXT2N7002T3 BRIDGELUX BXT2N7002T3 SMD N channel transistors
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BXT320N02D BRIDGELUX BXT320N02D SMD N channel transistors
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BXT330N02M BRIDGELUX BXT330N02M SMD N channel transistors
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BXT330N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BXT330N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BXT330N03N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BXT330N03N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BXT330N06D BXT330N06D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DEA031C8ABA0D2&compId=BXT330N06D.pdf?ci_sign=23473494c31e19183b6168d03ec35da99de18253 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.34 EUR
268+0.27 EUR
338+0.21 EUR
374+0.19 EUR
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BXT330N06D BXT330N06D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DEA031C8ABA0D2&compId=BXT330N06D.pdf?ci_sign=23473494c31e19183b6168d03ec35da99de18253 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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209+0.34 EUR
268+0.27 EUR
338+0.21 EUR
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BXT350P02M BRIDGELUX BXT350P02M SMD P channel transistors
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BXT3800P06M BRIDGELUX BXT3800P06M SMD P channel transistors
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BXT400N06N BRIDGELUX BXT400N06N SMD N channel transistors
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BXT420N03M BXT420N03M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DEA199E59FA0D2&compId=BXT420N03M.pdf?ci_sign=9e493d075ec24bfccea99fef421beb71a1c74125 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
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358+0.20 EUR
715+0.10 EUR
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2315+0.03 EUR
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BXT420N03M BXT420N03M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DEA199E59FA0D2&compId=BXT420N03M.pdf?ci_sign=9e493d075ec24bfccea99fef421beb71a1c74125 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.20 EUR
715+0.10 EUR
1017+0.07 EUR
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BXT500N02M BRIDGELUX BXT500N02M SMD N channel transistors
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BXT520P02M BRIDGELUX BXT520P02M SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT600P03M BXT600P03M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE4BA25E40E0D2&compId=BXT600P03M.pdf?ci_sign=d5b506e9d875eac96ab7c194a3de0be388f3775a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
511+0.14 EUR
731+0.10 EUR
915+0.08 EUR
1023+0.07 EUR
1645+0.04 EUR
1737+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT600P03M BXT600P03M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE4BA25E40E0D2&compId=BXT600P03M.pdf?ci_sign=d5b506e9d875eac96ab7c194a3de0be388f3775a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
511+0.14 EUR
731+0.10 EUR
915+0.08 EUR
1023+0.07 EUR
1645+0.04 EUR
1737+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT900P06D BXT900P06D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE7CDAE60040D2&compId=BXT900P06D.pdf?ci_sign=f38cca0b713a2fe0b0bc40ccd9ad81dc607d4d75 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT900P06D BXT900P06D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE7CDAE60040D2&compId=BXT900P06D.pdf?ci_sign=f38cca0b713a2fe0b0bc40ccd9ad81dc607d4d75 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT080N03E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a
BXT090N06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a
BXT090N06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1000N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6
BXT1000N06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
360+0.20 EUR
542+0.13 EUR
1542+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6
BXT1000N06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
360+0.20 EUR
542+0.13 EUR
1542+0.05 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a
BXT1150N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
Mounting: SMD
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
252+0.28 EUR
317+0.23 EUR
353+0.20 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a
BXT1150N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 64A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
252+0.28 EUR
317+0.23 EUR
353+0.20 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7
BXT1150N10J
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
auf Bestellung 3964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
582+0.12 EUR
1000+0.07 EUR
1064+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7
BXT1150N10J
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
582+0.12 EUR
1000+0.07 EUR
1064+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M.pdf
BXT1700P06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M.pdf
BXT1700P06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
166+0.43 EUR
455+0.16 EUR
3000+0.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M
BXT210N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
582+0.12 EUR
971+0.07 EUR
1458+0.05 EUR
1839+0.04 EUR
1946+0.04 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M
BXT210N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
582+0.12 EUR
971+0.07 EUR
1458+0.05 EUR
1839+0.04 EUR
1946+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B.pdf
BXT230P03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
288+0.25 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B.pdf
BXT230P03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
288+0.25 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT270N02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT270N02M SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2800N10D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2800N10M SMD N channel transistors
auf Bestellung 5012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
538+0.13 EUR
1938+0.04 EUR
2050+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 538
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9B5656E620D2&compId=BXT280N02B.pdf?ci_sign=41dd86f5cbe6b099e82224c18b7f8d3fbe768776
BXT280N02B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
353+0.20 EUR
413+0.17 EUR
481+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9B5656E620D2&compId=BXT280N02B.pdf?ci_sign=41dd86f5cbe6b099e82224c18b7f8d3fbe768776
BXT280N02B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
353+0.20 EUR
413+0.17 EUR
481+0.14 EUR
603+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N03M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT280N03M SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002BK
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2N7002BK SMD N channel transistors
auf Bestellung 13994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
552+0.13 EUR
4066+0.02 EUR
4274+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 552
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002T
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2N7002T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2N7002T3
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2N7002T3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT320N02D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT320N02D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT330N02M SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N03N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N06D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DEA031C8ABA0D2&compId=BXT330N06D.pdf?ci_sign=23473494c31e19183b6168d03ec35da99de18253
BXT330N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
268+0.27 EUR
338+0.21 EUR
374+0.19 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT330N06D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DEA031C8ABA0D2&compId=BXT330N06D.pdf?ci_sign=23473494c31e19183b6168d03ec35da99de18253
BXT330N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 27.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
268+0.27 EUR
338+0.21 EUR
374+0.19 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT350P02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT350P02M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT3800P06M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT3800P06M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT400N06N
Hersteller: BRIDGELUX
BXT400N06N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT420N03M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DEA199E59FA0D2&compId=BXT420N03M.pdf?ci_sign=9e493d075ec24bfccea99fef421beb71a1c74125
BXT420N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 11495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
715+0.10 EUR
1017+0.07 EUR
1276+0.06 EUR
1425+0.05 EUR
1701+0.04 EUR
2315+0.03 EUR
2440+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT420N03M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DEA199E59FA0D2&compId=BXT420N03M.pdf?ci_sign=9e493d075ec24bfccea99fef421beb71a1c74125
BXT420N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
715+0.10 EUR
1017+0.07 EUR
1276+0.06 EUR
1425+0.05 EUR
1701+0.04 EUR
2315+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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BXT500N02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT500N02M SMD N channel transistors
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BXT520P02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT520P02M SMD P channel transistors
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
284+0.25 EUR
630+0.11 EUR
1341+0.05 EUR
12000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 284
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BXT600P03M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE4BA25E40E0D2&compId=BXT600P03M.pdf?ci_sign=d5b506e9d875eac96ab7c194a3de0be388f3775a
BXT600P03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
511+0.14 EUR
731+0.10 EUR
915+0.08 EUR
1023+0.07 EUR
1645+0.04 EUR
1737+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BXT600P03M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE4BA25E40E0D2&compId=BXT600P03M.pdf?ci_sign=d5b506e9d875eac96ab7c194a3de0be388f3775a
BXT600P03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
511+0.14 EUR
731+0.10 EUR
915+0.08 EUR
1023+0.07 EUR
1645+0.04 EUR
1737+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BXT900P06D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE7CDAE60040D2&compId=BXT900P06D.pdf?ci_sign=f38cca0b713a2fe0b0bc40ccd9ad81dc607d4d75
BXT900P06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT900P06D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE7CDAE60040D2&compId=BXT900P06D.pdf?ci_sign=f38cca0b713a2fe0b0bc40ccd9ad81dc607d4d75
BXT900P06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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