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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXS050N10BP BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS050N10D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS050N10D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS055N08P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS055N08P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS075N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; Idm: 600A; 78W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 78W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS075N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; Idm: 600A; 78W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 78W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS080N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS080N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS105N10B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS105N10B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1100N25E BRIDGELUX BXS1100N25E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1150N10M BXS1150N10M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE86D3464BE0D2&compId=BXS1150N10M.pdf?ci_sign=400fb34312f07223610f3683b873dd3ec06b059b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
269+0.27 EUR
384+0.19 EUR
539+0.13 EUR
1076+0.066 EUR
1839+0.039 EUR
1946+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1150N10M BXS1150N10M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE86D3464BE0D2&compId=BXS1150N10M.pdf?ci_sign=400fb34312f07223610f3683b873dd3ec06b059b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
269+0.27 EUR
384+0.19 EUR
539+0.13 EUR
1076+0.066 EUR
1839+0.039 EUR
1946+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS130N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 57W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS130N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 57W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS160N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS160N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS230N10B BXS230N10B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
172+0.42 EUR
266+0.27 EUR
368+0.19 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS230N10B BXS230N10B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
172+0.42 EUR
266+0.27 EUR
368+0.19 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS900N10D BRIDGELUX BXS900N10D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT020N03C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT020N03C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT030N03C BRIDGELUX BXT030N03C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT033N03D BRIDGELUX BXT033N03D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE73E3016120D2&compId=BXT040N03C.pdf?ci_sign=d5ddff6485f81a9c92ce056557868c93e6b6b5c5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE73E3016120D2&compId=BXT040N03C.pdf?ci_sign=d5ddff6485f81a9c92ce056557868c93e6b6b5c5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040P04M BRIDGELUX BXT040P04M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT047N03E BRIDGELUX BXT047N03E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT071N04E BRIDGELUX BXT071N04E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 120A; 12W; PDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 12W
Case: PDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 120A; 12W; PDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 12W
Case: PDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D BRIDGELUX BXT080N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06D BRIDGELUX BXT1000N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.5W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
332+0.22 EUR
498+0.14 EUR
1401+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.5W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
332+0.22 EUR
498+0.14 EUR
1401+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N BRIDGELUX BXT1000N06N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B BRIDGELUX BXT1080P06B SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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BXT1100P02M BRIDGELUX BXT1100P02M SMD P channel transistors
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BXT110P03E BRIDGELUX BXT110P03E SMD P channel transistors
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BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
323+0.22 EUR
363+0.2 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4404 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
323+0.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE43BC01F780D2&compId=BXT1700P06M.pdf?ci_sign=32b00aa800f619a693e5e4601a82c2edb39aeb18 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -2.8A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
343+0.21 EUR
424+0.17 EUR
477+0.15 EUR
820+0.087 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE43BC01F780D2&compId=BXT1700P06M.pdf?ci_sign=32b00aa800f619a693e5e4601a82c2edb39aeb18 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -2.8A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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343+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M BXT210N02M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
auf Bestellung 11939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
305+0.23 EUR
610+0.12 EUR
1015+0.07 EUR
1520+0.047 EUR
1832+0.039 EUR
1902+0.038 EUR
1938+0.037 EUR
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M BXT210N02M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11939 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
305+0.23 EUR
610+0.12 EUR
1015+0.07 EUR
1520+0.047 EUR
1832+0.039 EUR
1902+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE479534BB00D2&compId=BXT230P03B.pdf?ci_sign=0a0c2634ab62cbe1f9c1ee7e1efa363eadf93164 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.9W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
241+0.3 EUR
281+0.25 EUR
353+0.2 EUR
538+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BXT230P03B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE479534BB00D2&compId=BXT230P03B.pdf?ci_sign=0a0c2634ab62cbe1f9c1ee7e1efa363eadf93164 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.9W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
241+0.3 EUR
281+0.25 EUR
353+0.2 EUR
538+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS050N10BP
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS050N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS050N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS055N08P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS055N08P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS075N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; Idm: 600A; 78W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 78W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS075N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; Idm: 600A; 78W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 78W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS080N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS080N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS105N10B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS105N10B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1100N25E
Hersteller: BRIDGELUX
BXS1100N25E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1150N10M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE86D3464BE0D2&compId=BXS1150N10M.pdf?ci_sign=400fb34312f07223610f3683b873dd3ec06b059b
BXS1150N10M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
269+0.27 EUR
384+0.19 EUR
539+0.13 EUR
1076+0.066 EUR
1839+0.039 EUR
1946+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1150N10M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE86D3464BE0D2&compId=BXS1150N10M.pdf?ci_sign=400fb34312f07223610f3683b873dd3ec06b059b
BXS1150N10M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
269+0.27 EUR
384+0.19 EUR
539+0.13 EUR
1076+0.066 EUR
1839+0.039 EUR
1946+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS130N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 57W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS130N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 57W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS160N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS160N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS230N10B
BXS230N10B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
172+0.42 EUR
266+0.27 EUR
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481+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS230N10B
BXS230N10B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS900N10D
Hersteller: BRIDGELUX
BXS900N10D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT020N03C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT020N03C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT030N03C
Hersteller: BRIDGELUX
BXT030N03C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT033N03D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT033N03D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE73E3016120D2&compId=BXT040N03C.pdf?ci_sign=d5ddff6485f81a9c92ce056557868c93e6b6b5c5
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE73E3016120D2&compId=BXT040N03C.pdf?ci_sign=d5ddff6485f81a9c92ce056557868c93e6b6b5c5
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040P04M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT040P04M SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT047N03E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT047N03E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT071N04E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT071N04E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 120A; 12W; PDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 12W
Case: PDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 120A; 12W; PDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 12W
Case: PDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT080N06D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a
BXT090N06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a
BXT090N06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1000N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6
BXT1000N06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.5W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1401 Stücke:
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Anzahl Preis
250+0.29 EUR
332+0.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6
BXT1000N06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.5W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
332+0.22 EUR
498+0.14 EUR
1401+0.051 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1000N06N SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1080P06B SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1100P02M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT110P03E SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a
BXT1150N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
323+0.22 EUR
363+0.2 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a
BXT1150N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4404 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
323+0.22 EUR
363+0.2 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7
BXT1150N10J
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7
BXT1150N10J
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE43BC01F780D2&compId=BXT1700P06M.pdf?ci_sign=32b00aa800f619a693e5e4601a82c2edb39aeb18
BXT1700P06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -2.8A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
343+0.21 EUR
424+0.17 EUR
477+0.15 EUR
820+0.087 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE43BC01F780D2&compId=BXT1700P06M.pdf?ci_sign=32b00aa800f619a693e5e4601a82c2edb39aeb18
BXT1700P06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -2.8A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
343+0.21 EUR
424+0.17 EUR
477+0.15 EUR
820+0.087 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M
BXT210N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
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Anzahl Preis
200+0.36 EUR
305+0.23 EUR
610+0.12 EUR
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1520+0.047 EUR
1832+0.039 EUR
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Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M
BXT210N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BXT230P03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.9W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
193+0.37 EUR
241+0.3 EUR
281+0.25 EUR
353+0.2 EUR
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BXT230P03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.9W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BXT250N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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