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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXS105N10B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS105N10B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1100N25E BRIDGELUX BXS1100N25E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1150N10M BXS1150N10M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE86D3464BE0D2&compId=BXS1150N10M.pdf?ci_sign=400fb34312f07223610f3683b873dd3ec06b059b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
380+0.19 EUR
534+0.13 EUR
1069+0.067 EUR
1839+0.039 EUR
1946+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1150N10M BXS1150N10M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE86D3464BE0D2&compId=BXS1150N10M.pdf?ci_sign=400fb34312f07223610f3683b873dd3ec06b059b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
380+0.19 EUR
534+0.13 EUR
1069+0.067 EUR
1839+0.039 EUR
1946+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS130N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 57W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS130N10C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 57W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS160N10C BRIDGELUX BXS160N10C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS230N10B BXS230N10B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
174+0.41 EUR
269+0.27 EUR
371+0.19 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS230N10B BXS230N10B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
174+0.41 EUR
269+0.27 EUR
371+0.19 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS900N10D BRIDGELUX BXS900N10D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT020N03C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT020N03C BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT030N03C BRIDGELUX BXT030N03C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT033N03D BRIDGELUX BXT033N03D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE73E3016120D2&compId=BXT040N03C.pdf?ci_sign=d5ddff6485f81a9c92ce056557868c93e6b6b5c5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE73E3016120D2&compId=BXT040N03C.pdf?ci_sign=d5ddff6485f81a9c92ce056557868c93e6b6b5c5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040P04M BRIDGELUX BXT040P04M SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT047N03E BRIDGELUX BXT047N03E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 7mΩ
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 7mΩ
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT071N04E BRIDGELUX BXT071N04E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E BRIDGELUX BXT080N03E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B BXT090N06B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06D BRIDGELUX BXT1000N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
332+0.22 EUR
496+0.14 EUR
1401+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M BXT1000N06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
332+0.22 EUR
496+0.14 EUR
1401+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B BRIDGELUX BXT1080P06B SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E BRIDGELUX Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
323+0.22 EUR
360+0.2 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D BXT1150N10D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4405 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
323+0.22 EUR
360+0.2 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J BXT1150N10J BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE43BC01F780D2&compId=BXT1700P06M.pdf?ci_sign=32b00aa800f619a693e5e4601a82c2edb39aeb18 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
341+0.21 EUR
424+0.17 EUR
477+0.15 EUR
820+0.087 EUR
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Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M BXT1700P06M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE43BC01F780D2&compId=BXT1700P06M.pdf?ci_sign=32b00aa800f619a693e5e4601a82c2edb39aeb18 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
341+0.21 EUR
424+0.17 EUR
477+0.15 EUR
820+0.087 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D BRIDGELUX BXT170N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M BXT210N02M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
auf Bestellung 11939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
604+0.12 EUR
1007+0.071 EUR
1511+0.047 EUR
1832+0.039 EUR
1887+0.038 EUR
1938+0.037 EUR
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M BXT210N02M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11939 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
604+0.12 EUR
1007+0.071 EUR
1511+0.047 EUR
1832+0.039 EUR
1887+0.038 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B BRIDGELUX BXT230P03B SMD P channel transistors
auf Bestellung 3261 Stücke:
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142+0.5 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT270N02M BXT270N02M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9648799AC0D2&compId=BXT270N02M.pdf?ci_sign=0f535bb021a3641f8d766caacbc68e7bb4f83191 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
353+0.2 EUR
500+0.14 EUR
704+0.1 EUR
1405+0.051 EUR
1859+0.038 EUR
2440+0.029 EUR
2578+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT270N02M BXT270N02M BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9648799AC0D2&compId=BXT270N02M.pdf?ci_sign=0f535bb021a3641f8d766caacbc68e7bb4f83191 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
353+0.2 EUR
500+0.14 EUR
704+0.1 EUR
1405+0.051 EUR
1859+0.038 EUR
2440+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10D BRIDGELUX BXT2800N10D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10M BRIDGELUX BXT2800N10M SMD N channel transistors
auf Bestellung 5012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
538+0.13 EUR
1938+0.037 EUR
2050+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 538
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B BXT280N02B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9B5656E620D2&compId=BXT280N02B.pdf?ci_sign=41dd86f5cbe6b099e82224c18b7f8d3fbe768776 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 5.5nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
365+0.2 EUR
427+0.17 EUR
509+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B BXT280N02B BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9B5656E620D2&compId=BXT280N02B.pdf?ci_sign=41dd86f5cbe6b099e82224c18b7f8d3fbe768776 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 5.5nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
365+0.2 EUR
427+0.17 EUR
509+0.14 EUR
603+0.12 EUR
4000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N03M BRIDGELUX BXT280N03M SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS105N10B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS105N10B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 56A
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1100N25E
Hersteller: BRIDGELUX
BXS1100N25E SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1150N10M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE86D3464BE0D2&compId=BXS1150N10M.pdf?ci_sign=400fb34312f07223610f3683b873dd3ec06b059b
BXS1150N10M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
380+0.19 EUR
534+0.13 EUR
1069+0.067 EUR
1839+0.039 EUR
1946+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS1150N10M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE86D3464BE0D2&compId=BXS1150N10M.pdf?ci_sign=400fb34312f07223610f3683b873dd3ec06b059b
BXS1150N10M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10854 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
268+0.27 EUR
380+0.19 EUR
534+0.13 EUR
1069+0.067 EUR
1839+0.039 EUR
1946+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS130N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 57W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS130N10C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 57W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS160N10C
Hersteller: BRIDGELUX
BXS160N10C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS230N10B
BXS230N10B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
174+0.41 EUR
269+0.27 EUR
371+0.19 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS230N10B
BXS230N10B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
174+0.41 EUR
269+0.27 EUR
371+0.19 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXS900N10D
Hersteller: BRIDGELUX
BXS900N10D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT020N03C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT020N03C
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT030N03C
Hersteller: BRIDGELUX
BXT030N03C SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT033N03D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT033N03D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE73E3016120D2&compId=BXT040N03C.pdf?ci_sign=d5ddff6485f81a9c92ce056557868c93e6b6b5c5
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040N03C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80CE73E3016120D2&compId=BXT040N03C.pdf?ci_sign=d5ddff6485f81a9c92ce056557868c93e6b6b5c5
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT040P04M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT040P04M SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT047N03E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT047N03E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT060N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 4.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 4.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 7mΩ
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT070N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 108W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 108W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 7mΩ
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT071N04E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT071N04E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N03E
Hersteller: BRIDGELUX
BXT080N03E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT080N06D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a
BXT090N06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT090N06B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a
BXT090N06B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1000N06D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6
BXT1000N06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
332+0.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8CB25346E0D2&compId=BXT1000N06M.pdf?ci_sign=ffedc73128df5d81ccca1f54245c477fa91c93f6
BXT1000N06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1000N06N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1080P06B
Hersteller: BRIDGELUX
BXT1080P06B SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1100P02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -10A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT110P03E
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Case: PDFN33
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a
BXT1150N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
323+0.22 EUR
360+0.2 EUR
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633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8F35EED2E0D2&compId=BXT1150N10D.pdf?ci_sign=12ba9f4a2f61a8f1af4acde35fb8efb9fb4b8f3a
BXT1150N10D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4405 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
323+0.22 EUR
360+0.2 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7
BXT1150N10J
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1150N10J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE942380A220D2&compId=BXT1150N10J.pdf?ci_sign=ce01a6242263580c84ed4f8d3c712e63922edcb7
BXT1150N10J
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE43BC01F780D2&compId=BXT1700P06M.pdf?ci_sign=32b00aa800f619a693e5e4601a82c2edb39aeb18
BXT1700P06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
341+0.21 EUR
424+0.17 EUR
477+0.15 EUR
820+0.087 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT1700P06M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE43BC01F780D2&compId=BXT1700P06M.pdf?ci_sign=32b00aa800f619a693e5e4601a82c2edb39aeb18
BXT1700P06M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
341+0.21 EUR
424+0.17 EUR
477+0.15 EUR
820+0.087 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT170N06D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT170N06D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M
BXT210N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
auf Bestellung 11939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
604+0.12 EUR
1007+0.071 EUR
1511+0.047 EUR
1832+0.039 EUR
1887+0.038 EUR
1938+0.037 EUR
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT210N02M
BXT210N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11939 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
604+0.12 EUR
1007+0.071 EUR
1511+0.047 EUR
1832+0.039 EUR
1887+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT230P03B
Hersteller: BRIDGELUX
BXT230P03B SMD P channel transistors
auf Bestellung 3261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
142+0.5 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT250N03M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT270N02M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9648799AC0D2&compId=BXT270N02M.pdf?ci_sign=0f535bb021a3641f8d766caacbc68e7bb4f83191
BXT270N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
353+0.2 EUR
500+0.14 EUR
704+0.1 EUR
1405+0.051 EUR
1859+0.038 EUR
2440+0.029 EUR
2578+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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BXT270N02M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9648799AC0D2&compId=BXT270N02M.pdf?ci_sign=0f535bb021a3641f8d766caacbc68e7bb4f83191
BXT270N02M
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
353+0.2 EUR
500+0.14 EUR
704+0.1 EUR
1405+0.051 EUR
1859+0.038 EUR
2440+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10D
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2800N10D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT2800N10M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT2800N10M SMD N channel transistors
auf Bestellung 5012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
538+0.13 EUR
1938+0.037 EUR
2050+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 538
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXT280N02B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9B5656E620D2&compId=BXT280N02B.pdf?ci_sign=41dd86f5cbe6b099e82224c18b7f8d3fbe768776
BXT280N02B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 5.5nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
365+0.2 EUR
427+0.17 EUR
509+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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BXT280N02B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE9B5656E620D2&compId=BXT280N02B.pdf?ci_sign=41dd86f5cbe6b099e82224c18b7f8d3fbe768776
BXT280N02B
Hersteller: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 5.5nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
365+0.2 EUR
427+0.17 EUR
509+0.14 EUR
603+0.12 EUR
4000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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BXT280N03M
Hersteller: BRIDGELUX
BXT280N03M SMD N channel transistors
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