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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1012UWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 6A
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
311+0.23 EUR
420+0.17 EUR
478+0.15 EUR
1025+0.07 EUR
1085+0.066 EUR
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7 DMG1013T-7 DIODES INCORPORATED ds31784.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
658+0.11 EUR
1117+0.064 EUR
1273+0.056 EUR
1544+0.046 EUR
1629+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UW-7 DMG1013UW-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA2CDA91012748&compId=DMG1013UW.pdf?ci_sign=534d758ede991a77be3b17dc34fc68085a8dcd9f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
400+0.18 EUR
585+0.12 EUR
684+0.1 EUR
1289+0.055 EUR
1363+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UWQ-7 DMG1013UWQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DF3818A738D8BF&compId=DMG1013UWQ.pdf?ci_sign=a1598430a3b580a601abe82e52e1bd1c14ee1584 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
338+0.21 EUR
474+0.15 EUR
552+0.13 EUR
1011+0.071 EUR
1069+0.067 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6A63C43851BF&compId=DMG1016UDW-7.pdf?ci_sign=85e050a79199460f73a9bb43f2150054fede3a16 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
252+0.28 EUR
350+0.2 EUR
407+0.18 EUR
867+0.083 EUR
916+0.078 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016V-7 DMG1016V-7 DIODES INCORPORATED ds31767.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
205+0.35 EUR
329+0.22 EUR
400+0.18 EUR
625+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1023UV-7 DMG1023UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA23C040AEA748&compId=DMG1023UV.pdf?ci_sign=7c3c8729cbca278e3619ce67e0bd1c56e01f9e0d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
159+0.45 EUR
177+0.4 EUR
296+0.24 EUR
642+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1024UV-7 DMG1024UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD680CC7CB11BF&compId=DMG1024UV-DTE.pdf?ci_sign=e9f7eaaa06b7499d9ace1cb60e0f40be55ff682a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
190+0.38 EUR
312+0.23 EUR
346+0.2 EUR
600+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
182+0.39 EUR
260+0.28 EUR
304+0.24 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
254+0.28 EUR
334+0.21 EUR
374+0.19 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-7
+1
 		DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.66W
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
424+0.17 EUR
613+0.12 EUR
716+0.1 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
235+0.3 EUR
374+0.19 EUR
451+0.16 EUR
1071+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
175+0.41 EUR
199+0.36 EUR
323+0.22 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf DMG301NU-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
410+0.17 EUR
459+0.16 EUR
486+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 410
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf DMG301NU-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
147+0.49 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 DMG3402L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8AB2F9F4E8A18&compId=DMG3402L.pdf?ci_sign=caa82d028c0a581f85166035e0cce2722b4d853e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
298+0.24 EUR
334+0.21 EUR
451+0.16 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 DMG3404L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C792BBE452F8BF&compId=DMG3404L.pdf?ci_sign=43c53fa63d912c6c8705a561a042cce84bd89e51 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
227+0.32 EUR
280+0.26 EUR
313+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 DMG3406L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2876 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
295+0.24 EUR
460+0.16 EUR
552+0.13 EUR
783+0.091 EUR
1000+0.081 EUR
1500+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414U-7 DIODES INCORPORATED DMG3414U.pdf DMG3414U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA37D5FA908748&compId=DMG3415U.pdf?ci_sign=d4dd8ad313dc89cc74dbb5db95e820d20d2089a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
241+0.3 EUR
463+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3420UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3420UQ.pdf DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.45 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
9000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B706324CBB1BF&compId=DMG4511SK4-13.pdf?ci_sign=86b874fc96dddfd32140847c322472796ad04db2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
88+0.82 EUR
157+0.46 EUR
166+0.43 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8B2440DD1AA18&compId=DMG4800LSD.pdf?ci_sign=e3254b0e55d3ed044ee71794e8176928d2301b0b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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103+0.7 EUR
114+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7F77FBE5CD8BF&compId=DMG6402LVT.pdf?ci_sign=84d9abf52e5fbfce0da2efa148b9958860131e35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
199+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B71A4ED94B1BF&compId=DMG6601LVT-7.pdf?ci_sign=e77b4032d2f87d330675471bf4868d5d48300785 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 754 Stücke:
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157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
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667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B73365E1FF1BF&compId=DMG6602SVT-7.pdf?ci_sign=8d9de6ff764b7875e0745b59ad5ffb31249f903b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
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428+0.17 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2227 Stücke:
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136+0.53 EUR
210+0.34 EUR
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625+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968U-7 DIODES INCORPORATED DMG6968U.pdf DMG6968U-7 SMD N channel transistors
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132+0.54 EUR
705+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 DMG6968UDM-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C80E24FFE718BF&compId=DMG6968UDM.pdf?ci_sign=f72ddee1c7a5f776a6babf391eb9a3fb1970930b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2323 Stücke:
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117+0.61 EUR
135+0.53 EUR
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329+0.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7430LFG.pdf DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 372 Stücke:
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204+0.35 EUR
372+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25/50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.7/11.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
72+1 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-7-F DMMT3904W-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E3058A3C4C20D3&compId=DMMT3904W.pdf?ci_sign=8125a385a972dca67d2b8016e481af976b072396 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
239+0.3 EUR
348+0.21 EUR
410+0.17 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5401-7-F DMMT5401-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED80B73A4DBAA18&compId=DMMT5401.pdf?ci_sign=1460747be56341cf773f1a5c32bd683ecd48fc1f Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
247+0.29 EUR
353+0.2 EUR
394+0.18 EUR
575+0.12 EUR
1500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 100...300MHz
Case: SOT26
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
214+0.33 EUR
311+0.23 EUR
368+0.19 EUR
521+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
1500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
99+0.73 EUR
112+0.64 EUR
152+0.47 EUR
242+0.3 EUR
257+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1025UFDB-7 DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
309+0.23 EUR
374+0.19 EUR
414+0.17 EUR
521+0.14 EUR
556+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 0.22Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
225+0.32 EUR
261+0.27 EUR
280+0.26 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
343+0.21 EUR
363+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3DB375F3E4040C4&compId=DMN10H220LQ-7.pdf?ci_sign=30362d1a88b713f7a86b6972c855a914d4a5c4fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
211+0.34 EUR
246+0.29 EUR
459+0.16 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004K-7 DMN2004K-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F976E61C49E748&compId=DMN2004K.pdf?ci_sign=82eaae16cd30e837359bc5999ad3bf63810b124a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
200+0.36 EUR
205+0.34 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8F55B4F0F4A18&compId=DMN2005LPK.pdf?ci_sign=8912dfcfb779d22f35f28fc024ef8c1aefcb1041 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
596+0.12 EUR
725+0.099 EUR
820+0.087 EUR
926+0.077 EUR
981+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 596
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 DIODES INCORPORATED ds31946.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
196+0.37 EUR
286+0.25 EUR
334+0.21 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F97EE4C1678748&compId=DMN2028USS.pdf?ci_sign=54153eb7536a9f55f8880d98ca7ffbc4948fb66c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
133+0.54 EUR
166+0.43 EUR
253+0.28 EUR
268+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2040LTS-13 DMN2040LTS-13 DIODES INCORPORATED ds31941.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.89W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
129+0.55 EUR
323+0.22 EUR
341+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2046U-7 DMN2046U-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8E212FA6D78BF&compId=DMN2046U.pdf?ci_sign=bce2588b88d965b48c8f02b140547dbddd4bd3ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; 0.76W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
228+0.31 EUR
266+0.27 EUR
494+0.14 EUR
1035+0.069 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7 DMN2056U-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF3BB87C4EA18BF&compId=DMN2056U.pdf?ci_sign=02858e5a2ae901756f0aa55529d040dd315a3492 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.94W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
266+0.27 EUR
391+0.18 EUR
463+0.15 EUR
610+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7 DMN2058U-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8F13FB4CBB8BF&compId=DMN2058U.pdf?ci_sign=da9047ba6524f9f731309b8711734d9eff436d1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
205+0.35 EUR
302+0.24 EUR
358+0.2 EUR
488+0.14 EUR
3000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7 DMN2230U-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9090ED1CDD8BF&compId=DMN2230U.pdf?ci_sign=925c8ebe97ee64d169ed4cefa8663301a8dcaecc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
325+0.22 EUR
400+0.18 EUR
455+0.16 EUR
475+0.15 EUR
505+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 325
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9103799AD78BF&compId=DMN2230UQ.pdf?ci_sign=3e06f057d16521d57eebbb63003e460e2d9558d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
172+0.42 EUR
232+0.31 EUR
251+0.29 EUR
314+0.23 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7 DMN2400UV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED903724C934A18&compId=DMN2400UV.pdf?ci_sign=ec42dd1776e42962aca4f27ac9295cd69fb8cad1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 0.84A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
199+0.36 EUR
288+0.25 EUR
338+0.21 EUR
642+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS-7 DIODES INCORPORATED DMN24H11DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 1.2W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
159+0.45 EUR
174+0.41 EUR
205+0.35 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7 DMN26D0UT-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED9079072966A18&compId=DMN26D0UT.pdf?ci_sign=18d90f9daedebc14577cd2d97c57545b057eefd2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.47 EUR
342+0.21 EUR
940+0.076 EUR
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
122+0.59 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3018SSD-13 DMN3018SSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94696681B38BF&compId=DMN3018SSD.pdf?ci_sign=3ddd7e76af5e043c2c7d197228109906ddb60d02 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
129+0.55 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3023L-7 DMN3023L-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94DB7D02698BF&compId=DMN3023L.pdf?ci_sign=4cecbfc42c6179a99a781b626d4b95877d0c15ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
180+0.4 EUR
224+0.32 EUR
358+0.2 EUR
424+0.17 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C952E40FC658BF&compId=DMN3024LSD.pdf?ci_sign=7f34657f21f8fb2a6a393880a7b83fa9361c5ebe Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
110+0.65 EUR
230+0.31 EUR
243+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024SFG-13 DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3024SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
161+0.45 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LE-13 DMN3032LE-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
123+0.58 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LDM-7 DMN3033LDM-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B98193BD35BD0143&compId=DMN3033LDM.pdf?ci_sign=938a791186fecdf2ecfe5c5398d84c541aa98126 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.23 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LSN-7 DMN3033LSN-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C96C3E7BCDD8BF&compId=DMN3033LSN.pdf?ci_sign=9e4635916e6ae54c16f8302a149f284d14897fdb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
132+0.54 EUR
152+0.47 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1012UWQ-7 DMG1012UWQ.pdf
DMG1012UWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 6A
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
311+0.23 EUR
420+0.17 EUR
478+0.15 EUR
1025+0.07 EUR
1085+0.066 EUR
15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013T-7 ds31784.pdf
DMG1013T-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
658+0.11 EUR
1117+0.064 EUR
1273+0.056 EUR
1544+0.046 EUR
1629+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UW-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA2CDA91012748&compId=DMG1013UW.pdf?ci_sign=534d758ede991a77be3b17dc34fc68085a8dcd9f
DMG1013UW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
400+0.18 EUR
585+0.12 EUR
684+0.1 EUR
1289+0.055 EUR
1363+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1013UWQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DF3818A738D8BF&compId=DMG1013UWQ.pdf?ci_sign=a1598430a3b580a601abe82e52e1bd1c14ee1584
DMG1013UWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
338+0.21 EUR
474+0.15 EUR
552+0.13 EUR
1011+0.071 EUR
1069+0.067 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016UDW-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6A63C43851BF&compId=DMG1016UDW-7.pdf?ci_sign=85e050a79199460f73a9bb43f2150054fede3a16
DMG1016UDW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
252+0.28 EUR
350+0.2 EUR
407+0.18 EUR
867+0.083 EUR
916+0.078 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1016V-7 ds31767.pdf
DMG1016V-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMG1023UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
159+0.45 EUR
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642+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1024UV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD680CC7CB11BF&compId=DMG1024UV-DTE.pdf?ci_sign=e9f7eaaa06b7499d9ace1cb60e0f40be55ff682a
DMG1024UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
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312+0.23 EUR
346+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
182+0.39 EUR
260+0.28 EUR
304+0.24 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG1029SV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5
DMG1029SV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
254+0.28 EUR
334+0.21 EUR
374+0.19 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2302UK-7 DMG2302UK.pdf
DMG2302UK-7
+1
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.66W
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2619 Stücke:
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Anzahl Preis
295+0.24 EUR
424+0.17 EUR
613+0.12 EUR
716+0.1 EUR
1040+0.069 EUR
1099+0.065 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c
DMG2307L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2805 Stücke:
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157+0.46 EUR
235+0.3 EUR
374+0.19 EUR
451+0.16 EUR
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1132+0.063 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf
DMG2307LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
175+0.41 EUR
199+0.36 EUR
323+0.22 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-13 DMG301NU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2960 Stücke:
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Anzahl Preis
410+0.17 EUR
459+0.16 EUR
486+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 410
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.49 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3402L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8AB2F9F4E8A18&compId=DMG3402L.pdf?ci_sign=caa82d028c0a581f85166035e0cce2722b4d853e
DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
298+0.24 EUR
334+0.21 EUR
451+0.16 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3404L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C792BBE452F8BF&compId=DMG3404L.pdf?ci_sign=43c53fa63d912c6c8705a561a042cce84bd89e51
DMG3404L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
227+0.32 EUR
280+0.26 EUR
313+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3406L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C79BBF7A2078BF&compId=DMG3406L.pdf?ci_sign=32d58b8a920b330699f73edcb454730fa26ea4a0
DMG3406L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2876 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
295+0.24 EUR
460+0.16 EUR
552+0.13 EUR
783+0.091 EUR
1000+0.081 EUR
1500+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3414U-7 DMG3414U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3414U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3415UQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA37D5FA908748&compId=DMG3415U.pdf?ci_sign=d4dd8ad313dc89cc74dbb5db95e820d20d2089a2
DMG3415UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
160+0.45 EUR
241+0.3 EUR
463+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.45 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
9000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4511SK4-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B706324CBB1BF&compId=DMG4511SK4-13.pdf?ci_sign=86b874fc96dddfd32140847c322472796ad04db2
DMG4511SK4-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
88+0.82 EUR
157+0.46 EUR
166+0.43 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4800LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8B2440DD1AA18&compId=DMG4800LSD.pdf?ci_sign=e3254b0e55d3ed044ee71794e8176928d2301b0b
DMG4800LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
114+0.63 EUR
146+0.49 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7F77FBE5CD8BF&compId=DMG6402LVT.pdf?ci_sign=84d9abf52e5fbfce0da2efa148b9958860131e35
DMG6402LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
199+0.36 EUR
233+0.31 EUR
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B71A4ED94B1BF&compId=DMG6601LVT-7.pdf?ci_sign=e77b4032d2f87d330675471bf4868d5d48300785
DMG6601LVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
218+0.33 EUR
334+0.21 EUR
400+0.18 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B73365E1FF1BF&compId=DMG6602SVT-7.pdf?ci_sign=8d9de6ff764b7875e0745b59ad5ffb31249f903b
DMG6602SVT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1248 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
228+0.31 EUR
353+0.2 EUR
428+0.17 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
1500+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ_Rev1-2_Dec2014.pdf
DMG6602SVTQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
210+0.34 EUR
293+0.24 EUR
338+0.21 EUR
625+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968U-7 DMG6968U.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5171 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6968UDM-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C80E24FFE718BF&compId=DMG6968UDM.pdf?ci_sign=f72ddee1c7a5f776a6babf391eb9a3fb1970930b
DMG6968UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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117+0.61 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7430LFG-7 DMG7430LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD.pdf
DMHC3025LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25/50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.7/11.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT3904W-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD99E3058A3C4C20D3&compId=DMMT3904W.pdf?ci_sign=8125a385a972dca67d2b8016e481af976b072396
DMMT3904W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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650+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5401-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED80B73A4DBAA18&compId=DMMT5401.pdf?ci_sign=1460747be56341cf773f1a5c32bd683ecd48fc1f
DMMT5401-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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173+0.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMMT5551-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2
DMMT5551-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 100...300MHz
Case: SOT26
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1004UFV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1
DMN1004UFV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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81+0.89 EUR
99+0.73 EUR
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152+0.47 EUR
242+0.3 EUR
257+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN1025UFDB-7
DMN1025UFDB-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2533 Stücke:
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309+0.23 EUR
374+0.19 EUR
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556+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220L-7 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 0.22Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2532 Stücke:
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225+0.32 EUR
261+0.27 EUR
280+0.26 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1367 Stücke:
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87+0.83 EUR
343+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN10H220LQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3DB375F3E4040C4&compId=DMN10H220LQ-7.pdf?ci_sign=30362d1a88b713f7a86b6972c855a914d4a5c4fd
DMN10H220LQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
211+0.34 EUR
246+0.29 EUR
459+0.16 EUR
676+0.11 EUR
715+0.1 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004K-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F976E61C49E748&compId=DMN2004K.pdf?ci_sign=82eaae16cd30e837359bc5999ad3bf63810b124a
DMN2004K-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
200+0.36 EUR
205+0.34 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8F55B4F0F4A18&compId=DMN2005LPK.pdf?ci_sign=8912dfcfb779d22f35f28fc024ef8c1aefcb1041
DMN2005LPK-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
596+0.12 EUR
725+0.099 EUR
820+0.087 EUR
926+0.077 EUR
981+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 596
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2020LSN-7 ds31946.pdf
DMN2020LSN-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
196+0.37 EUR
286+0.25 EUR
334+0.21 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2028USS-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F97EE4C1678748&compId=DMN2028USS.pdf?ci_sign=54153eb7536a9f55f8880d98ca7ffbc4948fb66c
DMN2028USS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
133+0.54 EUR
166+0.43 EUR
253+0.28 EUR
268+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2040LTS-13 ds31941.pdf
DMN2040LTS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.89W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
129+0.55 EUR
323+0.22 EUR
341+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2046U-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8E212FA6D78BF&compId=DMN2046U.pdf?ci_sign=bce2588b88d965b48c8f02b140547dbddd4bd3ac
DMN2046U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; 0.76W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
228+0.31 EUR
266+0.27 EUR
494+0.14 EUR
1035+0.069 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF3BB87C4EA18BF&compId=DMN2056U.pdf?ci_sign=02858e5a2ae901756f0aa55529d040dd315a3492
DMN2056U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.94W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
266+0.27 EUR
391+0.18 EUR
463+0.15 EUR
610+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8F13FB4CBB8BF&compId=DMN2058U.pdf?ci_sign=da9047ba6524f9f731309b8711734d9eff436d1b
DMN2058U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
205+0.35 EUR
302+0.24 EUR
358+0.2 EUR
488+0.14 EUR
3000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230U-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9090ED1CDD8BF&compId=DMN2230U.pdf?ci_sign=925c8ebe97ee64d169ed4cefa8663301a8dcaecc
DMN2230U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
325+0.22 EUR
400+0.18 EUR
455+0.16 EUR
475+0.15 EUR
505+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 325
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2230UQ-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9103799AD78BF&compId=DMN2230UQ.pdf?ci_sign=3e06f057d16521d57eebbb63003e460e2d9558d7
DMN2230UQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
172+0.42 EUR
232+0.31 EUR
251+0.29 EUR
314+0.23 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED903724C934A18&compId=DMN2400UV.pdf?ci_sign=ec42dd1776e42962aca4f27ac9295cd69fb8cad1
DMN2400UV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 0.84A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
199+0.36 EUR
288+0.25 EUR
338+0.21 EUR
642+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS.pdf
DMN24H11DS-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 1.2W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
159+0.45 EUR
174+0.41 EUR
205+0.35 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN26D0UT-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED9079072966A18&compId=DMN26D0UT.pdf?ci_sign=18d90f9daedebc14577cd2d97c57545b057eefd2
DMN26D0UT-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.47 EUR
342+0.21 EUR
940+0.076 EUR
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3.pdf
DMN3009SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
122+0.59 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3018SSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94696681B38BF&compId=DMN3018SSD.pdf?ci_sign=3ddd7e76af5e043c2c7d197228109906ddb60d02
DMN3018SSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
129+0.55 EUR
266+0.27 EUR
281+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3023L-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94DB7D02698BF&compId=DMN3023L.pdf?ci_sign=4cecbfc42c6179a99a781b626d4b95877d0c15ab
DMN3023L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
180+0.4 EUR
224+0.32 EUR
358+0.2 EUR
424+0.17 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C952E40FC658BF&compId=DMN3024LSD.pdf?ci_sign=7f34657f21f8fb2a6a393880a7b83fa9361c5ebe
DMN3024LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
110+0.65 EUR
230+0.31 EUR
243+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3024SFG-13 DMN3024SFG.pdf
DMN3024SFG-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
161+0.45 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3032LE-13 DMN3032LE.pdf
DMN3032LE-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
123+0.58 EUR
300+0.24 EUR
317+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LDM-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B98193BD35BD0143&compId=DMN3033LDM.pdf?ci_sign=938a791186fecdf2ecfe5c5398d84c541aa98126
DMN3033LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.23 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3033LSN-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C96C3E7BCDD8BF&compId=DMN3033LSN.pdf?ci_sign=9e4635916e6ae54c16f8302a149f284d14897fdb
DMN3033LSN-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
132+0.54 EUR
152+0.47 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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