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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 INFINEON 2882461.pdf Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
60+3.93 EUR
100+2.52 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12W2T4B11BOMA1 FP25R12W2T4B11BOMA1 INFINEON 1926745.pdf Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 39A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+110.8 EUR
5+88.52 EUR
10+68.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON INFNS28353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.05kW
Verlustleistung: 1.05kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 295A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 295A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+317.75 EUR
5+270.45 EUR
10+226.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ3600R17HP4B2BOSA2 FZ3600R17HP4B2BOSA2 INFINEON 2577545.pdf Description: INFINEON - FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85415100
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 19.5kW
Verlustleistung: 19.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 3.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3696.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.56 EUR
736+0.32 EUR
1176+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.56 EUR
736+0.32 EUR
1176+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
250+3.27 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.65 EUR
51+4.59 EUR
56+3.86 EUR
100+3.45 EUR
250+3.27 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5XKSA1 INFINEON infineon-ipp034n08n5-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP034N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
60+3.93 EUR
100+3.26 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD6150XUMA1 ILD6150XUMA1 INFINEON 2117688.pdf Description: INFINEON - ILD6150XUMA1 - LED-Treiber, Buck, 1MHz, 4.5V bis 60V Versorgung, 1 Ausgang, -40°C bis 150°C, DSO-8
tariffCode: 85423390
Schaltfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, typ.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 60V
Bauform - Treiber: DSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIRXTMA1 TCIRXTMA1 INFINEON 4758628.pdf Description: INFINEON - TCIRXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe, DSOSP-14
tariffCode: 90271010
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sensortyp/-technologie: Wärmeleitfähigkeitsdetektor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP-84
Messbereich: -
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Abtastmethode: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Medium: Gas
Ausgangsschnittstelle: I2C
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.99 EUR
10+23.45 EUR
11+20.13 EUR
50+16.98 EUR
100+15.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIXTMA1 TCIXTMA1 INFINEON 4536208.pdf Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.67 EUR
11+19.9 EUR
50+18.29 EUR
100+17.67 EUR
250+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1 INFINEON 2882461.pdf Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON 2354729.pdf Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
135+1.73 EUR
173+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.52 EUR
31+7.62 EUR
50+6.1 EUR
200+5.19 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N040HATMA1 INFINEON 4782327.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N040HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 82 A, 4010 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 82A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4010µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
76+3.06 EUR
112+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
51+4.57 EUR
67+3.21 EUR
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON 1302215.pdf Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 4900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.47 EUR
42+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF INFINEON INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 4045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
43+5.52 EUR
100+4.31 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 INFINEON 3208414.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.02 EUR
5+53.54 EUR
10+43.93 EUR
50+40.97 EUR
100+38 EUR
250+37.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
88+2.64 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ120N75EH7XKSA1 IKQ120N75EH7XKSA1 INFINEON 4603901.pdf Description: INFINEON - IKQ120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.26 EUR
14+17.4 EUR
17+13.04 EUR
50+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY120N75EH7XKSA1 IKY120N75EH7XKSA1 INFINEON 4603902.pdf Description: INFINEON - IKY120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD122U1W0201E6327XTSA1 ESD122U1W0201E6327XTSA1 INFINEON 4607655.pdf Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 2.1V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
1178+0.2 EUR
1643+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
1989+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD122U1W0201E6327XTSA1 ESD122U1W0201E6327XTSA1 INFINEON 4607655.pdf Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
1178+0.2 EUR
1643+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
1989+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S407ATMA2 INFINEON Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Description: INFINEON - IPB80N06S407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD520N22KOFXPSA1 TD520N22KOFXPSA1 INFINEON 4760975.pdf Description: INFINEON - TD520N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A If, 250mA Igt, 2.2kV Vr, 2.2Vgt, 5-polig, Panelmontage
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 520A
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TD Series
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+888.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
77+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS724GFUMA1 ITS724GFUMA1 INFINEON 2333305.pdf Description: INFINEON - ITS724GFUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 4 Ausgänge, 15A, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 15A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 6757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.59 EUR
250+5.31 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGMFI013 S25FL256SAGMFI013 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.09 EUR
23+10.48 EUR
25+9.38 EUR
50+9.16 EUR
100+9.1 EUR
250+9.06 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGMFI013 S25FL256SAGMFI013 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Speichergröße: 256Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.09 EUR
23+10.48 EUR
25+9.38 EUR
50+9.16 EUR
100+9.1 EUR
250+9.06 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGNFV003 S25FL256SAGNFV003 INFINEON 3947064.pdf Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.29 EUR
21+11.48 EUR
25+10.31 EUR
50+10.07 EUR
100+9.81 EUR
250+9.51 EUR
500+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGNFV003 S25FL256SAGNFV003 INFINEON 3947064.pdf Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.b.1.a
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.29 EUR
21+11.48 EUR
25+10.31 EUR
50+10.07 EUR
100+9.81 EUR
250+9.51 EUR
500+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKCM30F60GDXKMA1 IKCM30F60GDXKMA1 INFINEON Infineon-IKCM30F60GD-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb9626d07936 Description: INFINEON - IKCM30F60GDXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/30A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 600V
Bauform - IPM: DIP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
Bauform - Treiber: DIP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.89 EUR
7+37.08 EUR
10+29.11 EUR
50+27.61 EUR
100+26.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4 Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.32 EUR
62+3.78 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4 Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALMTR48V150AGANTOBO1 EVALMTR48V150AGANTOBO1 INFINEON INFN-S-A0026284740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVALMTR48V150AGANTOBO1 - Evaluationsboard, IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972, FOC-Motortreiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motortreiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+970.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRSM807-105MH IRSM807-105MH INFINEON INFN-S-A0008996933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRSM807-105MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 500V/10A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10A
Motortyp: Halbbrücke
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 500V
Bauform - IPM: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
Versorgungsspannung, min.: 7.4V
Bauform - Treiber: PQFN
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 9.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.45 EUR
25+9.5 EUR
26+8.41 EUR
50+8.06 EUR
100+6.53 EUR
500+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0011580666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 236W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0011580666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R190CFD7XTMA1 IPT65R190CFD7XTMA1 INFINEON 3968274.pdf Description: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 106W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60T065S7XTMA1 IPT60T065S7XTMA1 INFINEON 4013790.pdf Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.74 EUR
19+12.55 EUR
23+9.66 EUR
50+8.84 EUR
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 IPF026N15NM6ATMA1 INFINEON 4406511.pdf Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.81 EUR
23+10.46 EUR
100+7.77 EUR
500+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 IPF026N15NM6ATMA1 INFINEON 4406511.pdf Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 239A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.81 EUR
23+10.46 EUR
100+7.77 EUR
500+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60T065S7XTMA1 IPT60T065S7XTMA1 INFINEON 4013790.pdf Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+1.29 EUR
321+0.73 EUR
506+0.43 EUR
676+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70KL1282GABHV020 S70KL1282GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.42 EUR
15+15.95 EUR
25+14.29 EUR
50+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUMN08S5N012GAUMA1 IAUMN08S5N012GAUMA1 INFINEON 4395755.pdf Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.32 EUR
25+9.52 EUR
100+6.34 EUR
500+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW89072BRFB5GT INFINEON Description: INFINEON - CYW89072BRFB5GT - RF MCU
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.42 EUR
22+10.89 EUR
25+9.27 EUR
50+8.84 EUR
100+8.4 EUR
250+7.98 EUR
500+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW89072BRFB5GT INFINEON Description: INFINEON - CYW89072BRFB5GT - RF MCU
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.4 EUR
250+7.98 EUR
500+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 INFINEON 4334668.pdf Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.82 EUR
50+9.21 EUR
100+7.52 EUR
500+6.58 EUR
1000+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 INFINEON 4334668.pdf Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.82 EUR
50+9.21 EUR
100+7.52 EUR
500+6.58 EUR
1000+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL127SABMFB100 S25FL127SABMFB100 INFINEON CYPR-S-A0011121127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL127SABMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+11.9 EUR
25+10.73 EUR
50+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
55+4.27 EUR
58+3.75 EUR
60+3.58 EUR
100+3.38 EUR
250+3.27 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.97 EUR
37+6.43 EUR
40+5.41 EUR
50+5.09 EUR
100+4.84 EUR
250+4.65 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD046N08N5ATMA1 2882461.pdf
IPD046N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.52 EUR
60+3.93 EUR
100+2.52 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12W2T4B11BOMA1 1926745.pdf
FP25R12W2T4B11BOMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T4B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 39 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 175W
Verlustleistung: 175W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 39A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 39A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+110.8 EUR
5+88.52 EUR
10+68.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 INFNS28353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.05kW
Verlustleistung: 1.05kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 295A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 295A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+317.75 EUR
5+270.45 EUR
10+226.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ3600R17HP4B2BOSA2 2577545.pdf
FZ3600R17HP4B2BOSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FZ3600R17HP4B2BOSA2 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85415100
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 19.5kW
Verlustleistung: 19.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 3.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3696.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84IXUSA1 Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e
BSS84IXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.56 EUR
736+0.32 EUR
1176+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84IXUSA1 Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e
BSS84IXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
447+0.56 EUR
736+0.32 EUR
1176+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.45 EUR
250+3.27 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.65 EUR
51+4.59 EUR
56+3.86 EUR
100+3.45 EUR
250+3.27 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.13 EUR
2500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP034N08N5XKSA1 infineon-ipp034n08n5-ds-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP034N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.32 EUR
60+3.93 EUR
100+3.26 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD6150XUMA1 2117688.pdf
ILD6150XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ILD6150XUMA1 - LED-Treiber, Buck, 1MHz, 4.5V bis 60V Versorgung, 1 Ausgang, -40°C bis 150°C, DSO-8
tariffCode: 85423390
Schaltfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, typ.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 60V
Bauform - Treiber: DSO
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIRXTMA1 4758628.pdf
TCIRXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIRXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe, DSOSP-14
tariffCode: 90271010
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sensortyp/-technologie: Wärmeleitfähigkeitsdetektor
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP-84
Messbereich: -
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Abtastmethode: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Medium: Gas
Ausgangsschnittstelle: I2C
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+29.99 EUR
10+23.45 EUR
11+20.13 EUR
50+16.98 EUR
100+15.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCIXTMA1 4536208.pdf
TCIXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TCIXTMA1 - Gassensor, Wärmeleitfähigkeitsdetektor (TCD), I2C, DSOSP-14, 3.3V, Oberflächenmontage, XENSIV-Reihe
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.67 EUR
11+19.9 EUR
50+18.29 EUR
100+17.67 EUR
250+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD046N08N5ATMA1 2882461.pdf
IPD046N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD046N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 2354729.pdf
IRF40R207
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.8 EUR
135+1.73 EUR
173+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1 Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae
IPB110P06LMATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.52 EUR
31+7.62 EUR
50+6.1 EUR
200+5.19 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N040HATMA1 4782327.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N040HATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 82 A, 4010 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 82A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4010µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.18 EUR
76+3.06 EUR
112+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1405STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.62 EUR
51+4.57 EUR
67+3.21 EUR
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1405STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.87 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405ZPBF 1302215.pdf
IRF1405ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 150 A, 4900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.47 EUR
42+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4110GPBF INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI4110GPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 4045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.7 EUR
43+5.52 EUR
100+4.31 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R010S7XTMA1 3208414.pdf
IPDQ60R010S7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+64.02 EUR
5+53.54 EUR
10+43.93 EUR
50+40.97 EUR
100+38 EUR
250+37.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
IPN95R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
IPN95R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPN95R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.55 EUR
88+2.64 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ120N75EH7XKSA1 4603901.pdf
IKQ120N75EH7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.26 EUR
14+17.4 EUR
17+13.04 EUR
50+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY120N75EH7XKSA1 4603902.pdf
IKY120N75EH7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKY120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD122U1W0201E6327XTSA1 4607655.pdf
ESD122U1W0201E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 2.1V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
870+0.29 EUR
1178+0.2 EUR
1643+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
1989+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD122U1W0201E6327XTSA1 4607655.pdf
ESD122U1W0201E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
870+0.29 EUR
1178+0.2 EUR
1643+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
1989+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80N06S407ATMA2 Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.7 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD520N22KOFXPSA1 4760975.pdf
TD520N22KOFXPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TD520N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A If, 250mA Igt, 2.2kV Vr, 2.2Vgt, 5-polig, Panelmontage
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 520A
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TD Series
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+888.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF 107908.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.07 EUR
77+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF 107908.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ITS724GFUMA1 2333305.pdf
ITS724GFUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ITS724GFUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 4 Ausgänge, 15A, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 15A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
auf Bestellung 6757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.59 EUR
250+5.31 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGMFI013 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGMFI013
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.09 EUR
23+10.48 EUR
25+9.38 EUR
50+9.16 EUR
100+9.1 EUR
250+9.06 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGMFI013 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGMFI013
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Speichergröße: 256Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.09 EUR
23+10.48 EUR
25+9.38 EUR
50+9.16 EUR
100+9.1 EUR
250+9.06 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGNFV003 3947064.pdf
S25FL256SAGNFV003
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.29 EUR
21+11.48 EUR
25+10.31 EUR
50+10.07 EUR
100+9.81 EUR
250+9.51 EUR
500+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL256SAGNFV003 3947064.pdf
S25FL256SAGNFV003
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.b.1.a
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.29 EUR
21+11.48 EUR
25+10.31 EUR
50+10.07 EUR
100+9.81 EUR
250+9.51 EUR
500+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKCM30F60GDXKMA1 Infineon-IKCM30F60GD-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb9626d07936
IKCM30F60GDXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKCM30F60GDXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/30A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 600V
Bauform - IPM: DIP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
Bauform - Treiber: DIP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+45.89 EUR
7+37.08 EUR
10+29.11 EUR
50+27.61 EUR
100+26.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDK04G65C5XTMA2 Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4
IDK04G65C5XTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+6.32 EUR
62+3.78 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDK04G65C5XTMA2 Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4
IDK04G65C5XTMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVALMTR48V150AGANTOBO1 INFN-S-A0026284740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EVALMTR48V150AGANTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALMTR48V150AGANTOBO1 - Evaluationsboard, IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972, FOC-Motortreiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motortreiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+970.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRSM807-105MH INFN-S-A0008996933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRSM807-105MH
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM807-105MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 500V/10A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10A
Motortyp: Halbbrücke
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 500V
Bauform - IPM: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
Versorgungsspannung, min.: 7.4V
Bauform - Treiber: PQFN
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 9.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.45 EUR
25+9.5 EUR
26+8.41 EUR
50+8.06 EUR
100+6.53 EUR
500+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R055CFD7XTMA1 INFN-S-A0011580666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT60R055CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 236W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60R055CFD7XTMA1 INFN-S-A0011580666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT60R055CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT65R190CFD7XTMA1 3968274.pdf
IPT65R190CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 106W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.8 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60T065S7XTMA1 4013790.pdf
IPT60T065S7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.74 EUR
19+12.55 EUR
23+9.66 EUR
50+8.84 EUR
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 4406511.pdf
IPF026N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+16.81 EUR
23+10.46 EUR
100+7.77 EUR
500+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 4406511.pdf
IPF026N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 239A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+16.81 EUR
23+10.46 EUR
100+7.77 EUR
500+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT60T065S7XTMA1 4013790.pdf
IPT60T065S7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
196+1.29 EUR
321+0.73 EUR
506+0.43 EUR
676+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70KL1282GABHV020 INFN-S-A0015373672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S70KL1282GABHV020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.42 EUR
15+15.95 EUR
25+14.29 EUR
50+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUMN08S5N012GAUMA1 4395755.pdf
IAUMN08S5N012GAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.32 EUR
25+9.52 EUR
100+6.34 EUR
500+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW89072BRFB5GT
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW89072BRFB5GT - RF MCU
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.42 EUR
22+10.89 EUR
25+9.27 EUR
50+8.84 EUR
100+8.4 EUR
250+7.98 EUR
500+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYW89072BRFB5GT
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW89072BRFB5GT - RF MCU
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+8.4 EUR
250+7.98 EUR
500+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 4334668.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.82 EUR
50+9.21 EUR
100+7.52 EUR
500+6.58 EUR
1000+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 4334668.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.82 EUR
50+9.21 EUR
100+7.52 EUR
500+6.58 EUR
1000+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FL127SABMFB100 CYPR-S-A0011121127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL127SABMFB100
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL127SABMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+11.9 EUR
25+10.73 EUR
50+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF description 59961.pdf
IR2104SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.75 EUR
55+4.27 EUR
58+3.75 EUR
60+3.58 EUR
100+3.38 EUR
250+3.27 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF description 59961.pdf
IR2104PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+8.97 EUR
37+6.43 EUR
40+5.41 EUR
50+5.09 EUR
100+4.84 EUR
250+4.65 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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