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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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HGTG12N60A4D Produktcode: 31158 |
Fairchild |
 Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,7 V Ic 25: 54 A Ic 100: 23 A Pd 25: 167 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 17/96 |
auf Bestellung 7 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HGTP12N60C3D Produktcode: 122684 |
Fairchild |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,65 V Ic 25: 24 A Ic 100: 12 А Pd 25: 104 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270 |
auf Bestellung 13 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 12N60 |
auf Bestellung 4653 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| AOT12N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF12N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOTF12N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF12N60FD | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDPF12N60NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE |
auf Bestellung 2555 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| HGTG12N60A4D | Fairchild |
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| HGTG12N60A4D | ON-Semicoductor |
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHA12N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB12N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 2688 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHF12N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHF12N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 3625 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP12N60E-BE3 | Vishay |
MOSFET 600V N-CH |
auf Bestellung 3974 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP12N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 2956 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP12N60E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP12N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD12N60DM6 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF12N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STL12N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 126-140 Tag (e) |
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| STP12N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP12N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 1719 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FQA12N60 | FAIRCHILD |
TO-3P 05+ |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB12N60 | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB12N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB12N60 | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB12N60 | FAIRCHILD | TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB12N60C | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB12N60C | FAIRCHILD | TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB12N60C | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQB12N60CTM | Fairchild |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQPF12N60 |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQPF12N60C51W | Fairchild |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G12N60A4D |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| HGT1S12N60A4DS | On Semiconductor/Fairchild |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HGT1S12N60A4S9A | FAIRCHILD |
07+ TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| HGT1S12N60A4S9A | FAIRCHILD |
TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| HGTG12N60A4 |
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auf Bestellung 9826 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MF12N60 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MP12N60 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| P12N60 |
auf Bestellung 4130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| S12N60C3 |
auf Bestellung 4222 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SM12N60F |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SPA12N60C3 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSP12N60 | Fairchild |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SSS12N60 |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STH12N60 |
auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STH12N60FI |
auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STP12N60 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Транзистор польовий SiHF12N60E 12A 650V N-ch TO-220F |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CS121WF100MT2E | ROYAL OHM |
Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C Type of resistor: thick film Kind of resistor: sensing Mounting: SMD Case - inch: 2512 Case - mm: 6432 Resistance: 10mΩ Power: 1W Tolerance: ±1% Max. operating voltage: 500V Operating temperature: -55...155°C Temperature coefficient: 600ppm/°C Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CS121WF160MT2E | ROYAL OHM |
Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 16mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C Power: 1W Mounting: SMD Operating temperature: -55...155°C Resistance: 16mΩ Tolerance: ±1% Temperature coefficient: 600ppm/°C Kind of resistor: sensing Case - mm: 6432 Case - inch: 2512 Type of resistor: thick film Max. operating voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CS121WJ010LT2E | ROYAL OHM |
Category: SMD resistors Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±5%; -55÷155°C Power: 1W Mounting: SMD Operating temperature: -55...155°C Resistance: 10mΩ Tolerance: ±5% Temperature coefficient: 600ppm/°C Kind of resistor: sensing Case - mm: 6432 Case - inch: 2512 Type of resistor: thick film Max. operating voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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12n60c Produktcode: 142479 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
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AOTF12N60 Produktcode: 129208 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQP12N60C Produktcode: 166497 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQPF12N60C Produktcode: 92801 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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FQPF12N60C Produktcode: 92799 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
| HGTG12N60A4D Produktcode: 31158 |
|
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 17/96
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 17/96
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| HGTP12N60C3D Produktcode: 122684 |
|
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270
auf Bestellung 13 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| AOT12N60 |
|
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 278W; -55°C ~ 150°C; AOT12N60 TAOT12n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 3.27 EUR |
| AOTF12N60 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 34+ | 2.12 EUR |
| 42+ | 1.72 EUR |
| 47+ | 1.53 EUR |
| 53+ | 1.36 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 59+ | 1.22 EUR |
| AOTF12N60 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 34+ | 2.12 EUR |
| 42+ | 1.72 EUR |
| 47+ | 1.53 EUR |
| 53+ | 1.36 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 59+ | 1.22 EUR |
| AOTF12N60FD |
|
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF12N60FD TAOTF12n60fd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 3.27 EUR |
| FDPF12N60NZ |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
auf Bestellung 2555 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 13+ | 4.26 EUR |
| 15+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 3.28 EUR |
| 250+ | 3.22 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |
| HGTG12N60A4D |
|
Hersteller: Fairchild
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 15.9 EUR |
| HGTG12N60A4D |
|
Hersteller: ON-Semicoductor
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 15.9 EUR |
| SIHA12N60E-E3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 5.88 EUR |
| 11+ | 4.73 EUR |
| 100+ | 3.87 EUR |
| 250+ | 3.61 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| 1000+ | 2.76 EUR |
| 2000+ | 2.6 EUR |
| SIHB12N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 11+ | 4.84 EUR |
| 13+ | 4 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 250+ | 2.94 EUR |
| 500+ | 2.6 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 2000+ | 2.24 EUR |
| SIHF12N60E-E3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 6.71 EUR |
| 10+ | 5.56 EUR |
| 100+ | 4.42 EUR |
| 1000+ | 3.09 EUR |
| 2000+ | 2.94 EUR |
| 5000+ | 2.86 EUR |
| SIHF12N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 6.55 EUR |
| 10+ | 5.46 EUR |
| 100+ | 4.34 EUR |
| 250+ | 4.13 EUR |
| 500+ | 3.64 EUR |
| 1000+ | 3.22 EUR |
| 2000+ | 3.15 EUR |
| SIHP12N60E-BE3 |
|
Hersteller: Vishay
MOSFET 600V N-CH
MOSFET 600V N-CH
auf Bestellung 3974 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 6.27 EUR |
| 11+ | 5.04 EUR |
| 100+ | 4.13 EUR |
| 250+ | 3.93 EUR |
| 500+ | 3.48 EUR |
| 1000+ | 2.89 EUR |
| 2000+ | 2.76 EUR |
| SIHP12N60E-E3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 6.27 EUR |
| 15+ | 3.54 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 250+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.96 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |
| 2000+ | 2.73 EUR |
| SIHP12N60E-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SIHP12N60E-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 12+ | 4.65 EUR |
| 13+ | 4.11 EUR |
| 100+ | 3.54 EUR |
| 250+ | 3.33 EUR |
| 500+ | 3.17 EUR |
| 1000+ | 2.94 EUR |
| 2000+ | 2.81 EUR |
| STD12N60DM6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 11+ | 5.02 EUR |
| 13+ | 4.19 EUR |
| 100+ | 3.33 EUR |
| 250+ | 3.07 EUR |
| 500+ | 2.81 EUR |
| 1000+ | 2.39 EUR |
| 2500+ | 2.26 EUR |
| STF12N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 14+ | 3.8 EUR |
| 17+ | 3.07 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 250+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2.1 EUR |
| 1000+ | 1.8 EUR |
| 2000+ | 1.71 EUR |
| STL12N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 13+ | 4.03 EUR |
| 16+ | 3.38 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 250+ | 2.63 EUR |
| 500+ | 2.27 EUR |
| 1000+ | 1.92 EUR |
| 3000+ | 1.81 EUR |
| STP12N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 36+ | 2.03 EUR |
| 40+ | 1.82 EUR |
| 45+ | 1.59 EUR |
| STP12N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 1719 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 13+ | 4.13 EUR |
| 16+ | 3.43 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 1.96 EUR |
| 2000+ | 1.82 EUR |
| 5000+ | 1.77 EUR |
| FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild |
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| HGT1S12N60A4DS |
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Hersteller: On Semiconductor/Fairchild
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| HGT1S12N60A4S9A |
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Hersteller: FAIRCHILD
07+ TO-263
07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Транзистор польовий SiHF12N60E 12A 650V N-ch TO-220F |
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CS121WF100MT2E |
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Hersteller: ROYAL OHM
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Kind of resistor: sensing
Mounting: SMD
Case - inch: 2512
Case - mm: 6432
Resistance: 10mΩ
Power: 1W
Tolerance: ±1%
Max. operating voltage: 500V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Kind of resistor: sensing
Mounting: SMD
Case - inch: 2512
Case - mm: 6432
Resistance: 10mΩ
Power: 1W
Tolerance: ±1%
Max. operating voltage: 500V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 280+ | 0.26 EUR |
| 320+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| CS121WF160MT2E |
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Hersteller: ROYAL OHM
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 16mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C
Power: 1W
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 16mΩ
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Kind of resistor: sensing
Case - mm: 6432
Case - inch: 2512
Type of resistor: thick film
Max. operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 16mΩ; 1W; ±1%; -55÷155°C
Power: 1W
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 16mΩ
Tolerance: ±1%
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Kind of resistor: sensing
Case - mm: 6432
Case - inch: 2512
Type of resistor: thick film
Max. operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 180+ | 0.41 EUR |
| 250+ | 0.29 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 4000+ | 0.22 EUR |
| CS121WJ010LT2E |
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Hersteller: ROYAL OHM
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±5%; -55÷155°C
Power: 1W
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 10mΩ
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Kind of resistor: sensing
Case - mm: 6432
Case - inch: 2512
Type of resistor: thick film
Max. operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; sensing; SMD; 2512; 10mΩ; 1W; ±5%; -55÷155°C
Power: 1W
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 10mΩ
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 600ppm/°C
Kind of resistor: sensing
Case - mm: 6432
Case - inch: 2512
Type of resistor: thick film
Max. operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 220+ | 0.34 EUR |
| 300+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
| 4000+ | 0.16 EUR |
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