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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMG564030RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564040RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
auf Bestellung 3450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564040RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564050RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564050RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564060RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564060RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG5640N0RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG5640N0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564H20RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564H20RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564H30RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG564H30RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SMINI6
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 1kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Supplier Device Package: W-DFN5020-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 980mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG5802LFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Supplier Device Package: W-DFN5020-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 980mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG600LOVATODescription: LOVATO - DMG600 - Einbauinstrument, Multifunktion, 25mA-6A, 50-720V, 45-66Hz, 50-720V Versorgung
tariffCode: 90283019
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Funktionsumfang: Strom, Spannung, Frequenz, Leistung, Energie, Leistungsfaktor
Höhe des Frontplattenausschnitts: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 50V
Breite des Frontplattenausschnitts: -
euEccn: NLR
Messbereich: 25mA bis 6A, 50V bis 720V, 45Hz bis 66Hz
Ziffernhöhe: -
Produktpalette: DMG Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 720V
Betriebstemperatur, max.: 60°C
Anzahl der Ziffern / Zeichen: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+779.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG611R0100LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD
Mounting: on panel
Standard equipment: Rogowski coil
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
AC current measuring range: 10...100A
Diameter: 50mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
Mounting hole diameter: 92x92mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Cable length: 2m
AC voltage measuring range: 50...415V
Maximum current: 100A
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Frequency measuring range: 45...65Hz
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP8000
Measuring instrument features: multilanguage menu
Kind of measurement: with a rogowski coil
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
Communictions protocol: Modbus ASCII; Modbus RTU
Type of meter: network parameters
Interface: optical port; RS485
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG611R6300LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; LCD
Mounting: on panel
Communictions protocol: Modbus ASCII; Modbus RTU
Measuring instrument features: multilanguage menu
Type of meter: network parameters
Interface: optical port; RS485
Standard equipment: Rogowski coil
Kind of network: three-phase
True effective value measurement: True RMS
Kind of measurement: with a rogowski coil
Diameter: 240mm
Mounting hole diameter: 92x92mm
Dimensions (W x H x D): 96x96x73.5mm
AC voltage measuring accuracy: ±0.5%
AC current measuring accuracy: ±0.5%
Active power measuring accuracy: ±1%
Cable length: 2m
Frequency measuring range: 45...65Hz
AC voltage measuring range: 50...415V
Supply voltage: 100...440V AC; 120...250V DC
Maximum current: 6300A
AC current measuring range: 315...6.3kA
Measurement: active power; AC voltage; apparent power; energy; frequency; power factor; reactive power
Kind of meter: digital; mounting
Related items: EXP8000
IP rating: IP20 at terminal side; IP54 (from the front)
Kind of display used: LCD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 190mA; Idm: 1.5A; 370mW; SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 5Ω
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.37W
Gate charge: 0.36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W; SOT363; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 5Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.22A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6301UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
auf Bestellung 8481 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6302UDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 340pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
auf Bestellung 9763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
43+0.5 EUR
100+0.33 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 30V 5.3A 27mΩ 1.12W DMG6402LDM-7 Diodes TDMG6402ldm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.61 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: TSOT26
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.58 EUR
188+0.45 EUR
223+0.38 EUR
306+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.086 EUR
24000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
532+0.44 EUR
1031+0.2 EUR
1112+0.19 EUR
1640+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2189+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
518+0.33 EUR
531+0.32 EUR
545+0.3 EUR
559+0.27 EUR
574+0.26 EUR
590+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 518 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
auf Bestellung 21577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2189+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+0.3 EUR
590+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
auf Bestellung 9722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
441+0.52 EUR
685+0.31 EUR
962+0.23 EUR
1087+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6402LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
auf Bestellung 128382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+1.02 EUR
397+0.58 EUR
676+0.32 EUR
893+0.24 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7DIODES/ZETEXMosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.93 EUR
506+0.46 EUR
1038+0.2 EUR
1134+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7DiodesMOSFET N/P-CH 30V 26TSOT Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6601LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 2.8 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.88 EUR
428+0.55 EUR
572+0.38 EUR
758+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 2246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
auf Bestellung 405643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
415+0.56 EUR
730+0.3 EUR
878+0.25 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.58 EUR
218+0.39 EUR
327+0.26 EUR
388+0.21 EUR
562+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
1500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1578+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1578 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
415+0.56 EUR
730+0.3 EUR
878+0.25 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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1578+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1578 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVT-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 840mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+1.21 EUR
335+0.69 EUR
521+0.42 EUR
705+0.31 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.61 EUR
204+0.42 EUR
291+0.3 EUR
338+0.25 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+1.21 EUR
335+0.69 EUR
521+0.42 EUR
705+0.31 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 2781000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
432+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG6602SVTX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
21000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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