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SiHF530S-E3VishayMOSFETs
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SiHF530S-E3Vishay SiliconixSiHF530S-E3 SiHA25N50E-E3 MOSFET 500V 26A 145mOhm TO-220FP Транзистори
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SIHF530S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiHF530STL-E3Vishay SiliconixSiHF530STL-E3 IRF530STRLPBF HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF530STRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHF530STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
50+1.46 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SIHF530STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHF530STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiHF540Vishay SiliconixSiHF540 IRF540 N-CH 100V 28A TO-220AB Транзистори
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SiHF540-E3Vishay SiliconixSiHF540-E3 IRF540PBF N-CH 100V 28A TO-220AB Транзистори
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SiHF540S-E3Vishay SiliconixSiHF540S-E3 100 В 28 А (TO-263) D2PAK Транзистори
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SIHF540S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF540S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF540S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.33 EUR
10000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF540STRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHF540STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF540STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHF540STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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SIHF5N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF5N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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SIHF5N50D-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 28.8W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 28.8W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
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SIHF5N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.59 EUR
100+1.7 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.09 EUR
5000+1.06 EUR
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SIHF5N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF5N50D-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF5N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
96+2.44 EUR
124+1.73 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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SIHF620S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
auf Bestellung 801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+3.27 EUR
100+3.12 EUR
1000+1.09 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.76 EUR
10000+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF620STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF620STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF630S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF630S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF630STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF630STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHF634S-E3Vishay SiliconixSiHF634S-E3 IRF634SPBF D2Pak (TO-263) Транзистори
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SIHF634S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF634STRR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
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SIHF634STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF640L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF640S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF640S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF640S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF640STRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.24 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N40D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF6N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF720L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF720STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730AL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 22A; 74W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730AS-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730ASTRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730ASTRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730ASTRR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730ASTRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF730S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
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SIHF730STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF730STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF740-E3VishayMOSFETs
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SIHF740-E3Vishay SiliconixSiHF740-E3 400 В 10 А (TO-220) (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
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SiHF740AVishay SiliconixSiHF740A IRF740A (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
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SiHF740AL-E3Vishay SiliconixSiHF740AL-E3 IRF740AL Транзистори
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SIHF740AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SiHF740AS-E3Vishay SiliconixSiHF740AS-E3 IRF740ASPBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
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SIHF740AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF740ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF740ASTRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SiHF740S-E3Vishay SiliconixSiHF740S-E3 400 В 10 А (TO-263) (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
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SIHF740S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SiHF740STL-E3Vishay SiliconixSiHF740STL-E3 IRF740STRLPBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
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SIHF740STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF740STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF7N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 40nC
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SIHF7N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHF7N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF7N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
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SIHF7N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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SiHF7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF820AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHF820AS-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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SIHF820L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHF830S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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SIHF830STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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SIHF830STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHF840AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840AS-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHF840AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840LCL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840LCS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF840LCS-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF840LCS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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