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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHF644S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 475 Stücke:
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SIHF6N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
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SIHF6N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHF6N40D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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SIHF6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHF6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 35 Stücke:
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SIHF6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
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SIHF6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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2000+2.05 EUR
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SIHF6N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHF720L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF720STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHF730AL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 22A; 74W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF730AS-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHF730ASTRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHF730ASTRR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
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SIHF730ASTRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730ASTRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHF730S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF730STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
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SIHF730STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF730STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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SIHF740-E3VishayMOSFETs
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SIHF740-E3Vishay SiliconixSiHF740-E3 400 В 10 А (TO-220) (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
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SiHF740AVishay SiliconixSiHF740A IRF740A (MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
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SiHF740AL-E3Vishay SiliconixSiHF740AL-E3 IRF740AL Транзистори
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SIHF740AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SiHF740AS-E3Vishay SiliconixSiHF740AS-E3 IRF740ASPBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
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SIHF740AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF740ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF740ASTRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SiHF740S-E3Vishay SiliconixSiHF740S-E3 400 В 10 А (TO-263) (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
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SIHF740S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SiHF740STL-E3Vishay SiliconixSiHF740STL-E3 IRF740STRLPBF (MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
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SIHF740STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF740STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF7N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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SIHF7N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 40nC
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SIHF7N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHF7N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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SIHF7N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHF7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SiHF7N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHF820AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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SIHF820AS-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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SIHF820L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHF830S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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SIHF830STRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHF830STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
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SIHF840AL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840ASTRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840LCL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840LCS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF840LCS-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.85Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF840LCS-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF840S-E3VishayMOSFET
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SIHF840S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF840STR-E3VishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHF840STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHF840STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
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SIHF8N50D-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF8N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF8N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF8N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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SIHF8N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHF8N50L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SIHF8N50L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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10+2.81 EUR
100+1.93 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.4 EUR
2000+1.36 EUR
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SiHF9510S-E3Vishay SiliconixSiHF9510S-E3 IRF9510SPBF Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
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SiHF9510STL-E3Vishay SiliconixSiHF9510STL-E3 IRF9510STRLPBF Транзистори
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SIHF9520S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SIHF9520S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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SIHF9520S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.07 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiHF9530-E3Vishay SiliconixSiHF9530-E3 IRF9530PBF TO-220 Транзистори
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SiHF9530S-E3 : IRF9530S RoHSVishay SiliconixSiHF9530S-E3 : IRF9530S RoHS IRF9530SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
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SIHF9530S-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.3Ω
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.11 EUR
92+0.93 EUR
105+0.82 EUR
116+0.74 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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SIHF9530S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.34 EUR
144+1.19 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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SIHF9530S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
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SiHF9530STL-E3Vishay SiliconixSiHF9530STL-E3 IRF9530STRLPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
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SiHF9530STR-E3Vishay SiliconixSiHF9530STR-E3 IRF9530STRRPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
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SiHF9540-E3Vishay SiliconixSiHF9540-E3 IRF9540PBF TO-220AB Транзистори
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SIHF9540PBFVishay / SiliconixMOSFETs -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF9540PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
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SiHF9540S-E3Vishay SiliconixSiHF9540S-E3 -100 В -19 А (TO-263) D2PAK=TO-263 Транзистори
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHF9540S-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF9540S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF9540S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF9540S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF9540S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHF9540STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
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SIHF9540STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9610S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9620S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9620S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SIHF9620S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHF9620STL-E3Vishay SiliconixSiHF9620STL-E3 IRF9620STRLPBF D2PAK Транзистори
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