Produkte > DMG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMG6602SVTQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Mounting: SMD Pulsed drain current: 25...-20A Power dissipation: 0.84W Polarisation: unipolar Drain current: 2.7/-2.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30/-30V Application: automotive industry Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: TSOT26 On-state resistance: 0.06/0.095Ω | auf Bestellung 647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6602SVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6602SVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6602SVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6602SVTQ-7-52 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6602SVTQ-7-52 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6602SVTX-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2.4A Pulsed drain current: 25...-20A Power dissipation: 0.8W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 100/140mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13/9nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6602SVTX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6602SVTX-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6602SVTX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 39023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6602SVTX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6602SVTX-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6602SVTX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6602SVTX-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 37809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6898LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.28W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6898LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET N-CHAN | auf Bestellung 31461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6898LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.28W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active | auf Bestellung 11806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6898LSD-13 | Diodes Inc./Zetex | Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 9.5A 8-Pin SOIC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6898LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss | auf Bestellung 10546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6898LSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.28W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6898LSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6898LSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.28W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA | auf Bestellung 24984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6898LSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6898LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.28W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.28W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.5A, 1.8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968U | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968U-7 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 6.5A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V | auf Bestellung 66826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968U-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 6.5A 1.3W 25mΩ DMG6968U-7 Diodes TDMG6968u Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | auf Bestellung 23549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 6.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 1.3W Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968UDM-7 Produktcode: 190714
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 850mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968UDM-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 850mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 850mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 27 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes | MOSFET DUAL N-CHANNEL Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs DUAL N-CHANNEL | auf Bestellung 1021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968UDM-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A Power dissipation: 0.85W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Semiconductor structure: common drain | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968UDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 850mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968UDM-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 850mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 850mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968UQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain current: 6.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Application: automotive industry Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 1.3W Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968UQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG6968UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | auf Bestellung 2446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968UTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM | auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG6968UTS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG6968UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG6968UTS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7401SFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10.8A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V | auf Bestellung 49415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V | auf Bestellung 6426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | auf Bestellung 6952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7401SFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.8A; Idm: -80A; 1.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10.8A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7401SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss | auf Bestellung 3999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7401SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8 Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | auf Bestellung 272574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7408SFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W Mounting: SMD Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI3333-8 On-state resistance: 33mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V | auf Bestellung 272574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2 | auf Bestellung 1691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V | auf Bestellung 272000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7430LFG | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7430LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7430LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K | auf Bestellung 100977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 7000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V | auf Bestellung 50385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG7430LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.5 A, 7000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFGQ | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7430LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7430LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7430LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7430LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 3753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7430LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG7430LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMG7702SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMG7702SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |