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IMBG65R039M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

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IMBG65R039M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R039M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 538 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	29.16 EUR
50+	26.91 EUR
100+	24.61 EUR
250+	24.15 EUR

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IMBG65R039M1HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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IMBG65R039M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1619 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	10.41 EUR
100+	9.75 EUR
500+	9.03 EUR
1000+	8.34 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

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IMBG65R040M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.04 EUR
17+	14.39 EUR
20+	11.09 EUR
50+	10.22 EUR
100+	7.52 EUR
250+	7.37 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IMBG65R040M2HXTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IMBG65R040M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R040M2HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG65R040M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.04 EUR
17+	14.39 EUR
20+	11.09 EUR
50+	10.22 EUR
100+	7.52 EUR
250+	7.37 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IMBG65R040M2HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 1398 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.83 EUR
10+	12.23 EUR
100+	9.65 EUR
500+	8.57 EUR
1000+	7.75 EUR
2000+	7.71 EUR

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IMBG65R040M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R040M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBG65R040M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R040M2HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.03 EUR
10+	12.35 EUR
100+	9.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBG65R048M1HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.55 EUR
10+	10.61 EUR
100+	9.26 EUR
500+	8.65 EUR
1000+	8.07 EUR

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IMBG65R048M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R048M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.66 EUR
10+	12.79 EUR
100+	9.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBG65R048M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R048M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R048M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R048M1HXTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

auf Bestellung 1018 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.29 EUR
10+	11.1 EUR
100+	8.16 EUR
500+	8.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.09 EUR
19+	12.63 EUR
21+	10.34 EUR
50+	9.37 EUR
100+	8.38 EUR
250+	8.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.54 EUR
10+	11.65 EUR
100+	9.45 EUR
500+	8.4 EUR
1000+	7.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	7.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.09 EUR
19+	12.63 EUR
21+	10.34 EUR
50+	9.37 EUR
100+	8.38 EUR
250+	8.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R057M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R057M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	13.3 EUR
20+	8.69 EUR
100+	6.91 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R057M1HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R057M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.28 EUR
10+	11.8 EUR
100+	8.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBG65R057M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

auf Bestellung 546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.34 EUR
18+	13.58 EUR
22+	10.2 EUR
50+	9.15 EUR
100+	8.09 EUR
250+	7.93 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IMBG65R057M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	13.3 EUR
20+	8.88 EUR
100+	7.19 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IMBG65R057M1HXTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG65R057M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG65R057M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

auf Bestellung 546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.34 EUR
18+	13.58 EUR
22+	10.2 EUR
50+	9.15 EUR
100+	8.09 EUR
250+	7.93 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IMBG65R060M2H

Infineon Technologies

Description: IMBG65R060M2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG65R060M2H

Infineon Technologies

Description: IMBG65R060M2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.59 EUR
10+	9.69 EUR
25+	8.96 EUR
100+	8.16 EUR
250+	7.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBG65R060M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.54 EUR
25+	9.5 EUR
100+	7.45 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IMBG65R060M2HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG65R060M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG65R060M2HXTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R060M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R060M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.54 EUR
25+	9.5 EUR
100+	7.45 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R060M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.19 EUR
45+	3.75 EUR
100+	3.52 EUR
250+	3.46 EUR
500+	3.37 EUR
1000+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IMBG65R060M2HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.93 EUR
10+	9.57 EUR
100+	7.98 EUR
500+	7.22 EUR
1000+	5.9 EUR

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IMBG65R060M2HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.74 EUR
10+	9.98 EUR
100+	7.29 EUR
500+	7.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R060M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.19 EUR
45+	3.61 EUR
100+	3.33 EUR
250+	3.2 EUR
500+	3.02 EUR
1000+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	7.18 EUR
100+	6.72 EUR
500+	6.22 EUR
1000+	5.76 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	32.53 EUR
9+	28.14 EUR
10+	24.07 EUR
50+	22.02 EUR
100+	19.97 EUR
250+	19.55 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 861 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.47 EUR
10+	9.47 EUR
100+	8.08 EUR
500+	8.02 EUR
1000+	6.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.29 EUR
21+	8.35 EUR
100+	6.44 EUR
500+	5.85 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.29 EUR
21+	8.53 EUR
100+	6.69 EUR
500+	6.18 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 752 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	7.18 EUR
100+	6.72 EUR
500+	6.22 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	24.07 EUR
50+	22.02 EUR
100+	19.97 EUR
250+	19.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

auf Bestellung 959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.79 EUR
10+	10.73 EUR
100+	7.88 EUR
500+	7.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R075M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R075M2HXTMA1

Infineon Technologies

Description: IMBG65R075M2HXTMA1

auf Bestellung 642 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.39 EUR
10+	9.02 EUR
100+	6.56 EUR
500+	6.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R075M2HXTMA1

Infineon Technologies

Description: IMBG65R075M2HXTMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R075M2HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R075M2HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 728 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.59 EUR
10+	8.85 EUR
100+	6.37 EUR
500+	5.62 EUR
1000+	5.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 4100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	6.22 EUR
500+	5.81 EUR
1000+	5.37 EUR

Mindestbestellmenge: 105 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R083M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.69 EUR
11+	22.88 EUR
12+	19.36 EUR
50+	17.72 EUR
100+	16.04 EUR
250+	15.72 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 626 Stücke:

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97+	1.8 EUR
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IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

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IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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99+	1.7 EUR
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IMBG65R083M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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11+	22.88 EUR
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100+	16.04 EUR
250+	15.72 EUR

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IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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IMBG65R083M1HXTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG65R107M1H

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SILICON CARBIDE MOSFET

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IMBG65R107M1H

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IMBG65R107M1H

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100+	12.94 EUR
250+	12.35 EUR
500+	11.83 EUR
1000+	11.27 EUR

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IMBG65R107M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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25+	6.88 EUR
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IMBG65R107M1HXTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IMBG65R107M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG65R107M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm

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IMBG65R107M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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117+	5.59 EUR
500+	5.21 EUR
1000+	4.82 EUR

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IMBG65R107M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 784 Stücke:

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2+	13.53 EUR
10+	9.13 EUR
100+	6.63 EUR
500+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBG65R107M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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25+	6.74 EUR
100+	5.14 EUR

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IMBG65R107M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IMBG65R107M1HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 753 Stücke:

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1+	13.61 EUR
10+	8.29 EUR
100+	7.02 EUR
500+	6.53 EUR
1000+	5.81 EUR
2000+	5.78 EUR

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IMBG65R107M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R107M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R163M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.82 EUR
93+	1.75 EUR
100+	1.68 EUR
250+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 92 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R163M1HXTMA1

Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R163M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 10439 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	4.13 EUR
500+	3.86 EUR
1000+	3.56 EUR
10000+	3.28 EUR

Mindestbestellmenge: 158 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R163M1HXTMA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R163M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R163M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 928 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.79 EUR
15+	15.95 EUR
17+	13.3 EUR
50+	12.16 EUR
100+	11.01 EUR
250+	10.79 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R163M1HXTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 104 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.59 EUR
32+	5.47 EUR
100+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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