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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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35+	18.93 EUR
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IMBG65R022M1HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IMBG65R022M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG65R022M1HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IMBG65R022M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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22+	7.85 EUR
23+	7.62 EUR
25+	7.33 EUR
100+	7.04 EUR
250+	6.83 EUR

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IMBG65R022M1HXTMA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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10+	20.28 EUR
100+	20.25 EUR
500+	19.23 EUR
1000+	19.18 EUR

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IMBG65R022M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 288 Stücke:

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22+	7.85 EUR
23+	7.45 EUR
25+	7.06 EUR
100+	6.68 EUR
250+	6.3 EUR

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IMBG65R022M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm

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10+	22.06 EUR
50+	20.48 EUR
100+	18.9 EUR
250+	18.5 EUR

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IMBG65R022M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG65R026M2H

Description: IMBG65R026M2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V

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IMBG65R026M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG65R026M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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1+	25.63 EUR
10+	19.52 EUR
100+	16.28 EUR
500+	14.49 EUR
1000+	13.72 EUR

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IMBG65R026M2HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET

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IMBG65R026M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

auf Bestellung 275 Stücke:

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10+	26.81 EUR
12+	21.1 EUR
14+	15.96 EUR
50+	14.35 EUR
100+	12.72 EUR
250+	12.47 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IMBG65R026M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG65R026M2HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET

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1+	25.8 EUR
10+	18.04 EUR
100+	14.77 EUR

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IMBG65R026M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm

auf Bestellung 275 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	26.81 EUR
12+	21.1 EUR
14+	15.96 EUR
50+	14.35 EUR
100+	12.72 EUR
250+	12.47 EUR

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IMBG65R030M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 400 Stücke:

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9+	19.66 EUR
13+	13.89 EUR
100+	11.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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IMBG65R030M1HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.28 EUR
10+	17.64 EUR
100+	14.38 EUR

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IMBG65R030M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	36.52 EUR
50+	33.69 EUR
100+	30.84 EUR
250+	30.23 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IMBG65R030M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R030M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 861 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	13.2 EUR
100+	12.35 EUR
500+	11.46 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R030M1HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R030M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	41.33 EUR
10+	36.52 EUR
50+	33.69 EUR
100+	30.84 EUR
250+	30.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R030M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	19.66 EUR
13+	13.58 EUR
100+	11.22 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R030M1HXTMA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R030M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	13.2 EUR
100+	12.35 EUR
500+	11.46 EUR
1000+	10.58 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R030M1HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R033M2H

Description: IMBG65R033M2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V

auf Bestellung 423 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	19.59 EUR
10+	15.27 EUR
25+	14.2 EUR
100+	13.01 EUR
250+	12.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R033M2H

Description: IMBG65R033M2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R033M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R033M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	22.37 EUR
13+	18.49 EUR
15+	14.97 EUR
50+	13.92 EUR
100+	12.77 EUR
250+	12.59 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R033M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21 EUR
10+	15.04 EUR
100+	12.84 EUR
500+	11.96 EUR
1000+	10.25 EUR

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IMBG65R033M2HXTMA1

Description: IMBG65R033M2H

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.13 EUR
10+	17.54 EUR
50+	14.29 EUR
100+	14.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R033M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	22.37 EUR
13+	18.49 EUR
15+	14.97 EUR
50+	13.92 EUR
100+	12.77 EUR
250+	12.59 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R033M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R033M2HXTMA1

Description: IMBG65R033M2H

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R039M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R039M1HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

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IMBG65R039M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R039M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R039M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R039M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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10+	29.16 EUR
50+	26.91 EUR
100+	24.61 EUR
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IMBG65R039M1HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IMBG65R039M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R039M1HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

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IMBG65R039M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R039M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 538 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	33.39 EUR
10+	29.16 EUR
50+	26.91 EUR
100+	24.61 EUR
250+	24.15 EUR

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IMBG65R039M1HXTMA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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IMBG65R040M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.77 EUR
16+	14.97 EUR
19+	11.54 EUR
50+	10.02 EUR
100+	8.48 EUR
250+	8.31 EUR

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IMBG65R040M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IMBG65R040M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5 Stücke:

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IMBG65R040M2HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IMBG65R040M2HXTMA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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10+	12.23 EUR
100+	9.65 EUR
500+	8.57 EUR
1000+	7.75 EUR
2000+	7.71 EUR

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IMBG65R040M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R040M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	18.77 EUR
16+	14.97 EUR
19+	11.54 EUR
50+	10.02 EUR
100+	8.48 EUR
250+	8.31 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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IMBG65R040M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R040M2HXTMA1

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10+	12.35 EUR
100+	9.23 EUR

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IMBG65R040M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBG65R048M1HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.66 EUR
10+	12.79 EUR
100+	9.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IMBG65R048M1HXTMA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.78 EUR
10+	11.13 EUR
100+	9.23 EUR
500+	9.12 EUR
1000+	8.33 EUR
2000+	8.07 EUR

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IMBG65R048M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IMBG65R048M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG65R048M1HXTMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R048M1HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R048M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.09 EUR
19+	12.63 EUR
21+	10.34 EUR
50+	9.37 EUR
100+	8.38 EUR
250+	8.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

auf Bestellung 1018 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.29 EUR
10+	11.1 EUR
100+	8.16 EUR
500+	8.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 172W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

auf Bestellung 580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.09 EUR
19+	12.63 EUR
21+	10.34 EUR
50+	9.37 EUR
100+	8.38 EUR
250+	8.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R050M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R050M2HXTMA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 1039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.54 EUR
10+	11.65 EUR
100+	9.45 EUR
500+	8.4 EUR
1000+	7.52 EUR

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IMBG65R050M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	7.41 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R057M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

auf Bestellung 546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.34 EUR
18+	13.58 EUR
22+	10.2 EUR
50+	9.15 EUR
100+	8.09 EUR
250+	7.93 EUR

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IMBG65R057M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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IMBG65R057M1HXTMA1

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

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IMBG65R057M1HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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10+	12.48 EUR
50+	10.01 EUR
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IMBG65R057M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

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14+	13.15 EUR
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IMBG65R057M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 161W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

auf Bestellung 546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.34 EUR
18+	13.58 EUR
22+	10.2 EUR
50+	9.15 EUR
100+	8.09 EUR
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IMBG65R057M1HXTMA1

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IMBG65R057M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 175 Stücke:

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100+	7.1 EUR

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IMBG65R057M1HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IMBG65R060M2H

Description: IMBG65R060M2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V

auf Bestellung 380 Stücke:

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2+	12.59 EUR
10+	9.69 EUR
25+	8.96 EUR
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250+	7.78 EUR

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IMBG65R060M2H

Description: IMBG65R060M2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V

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IMBG65R060M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.14 EUR
45+	3.7 EUR
100+	3.47 EUR
250+	3.43 EUR
500+	3.33 EUR
1000+	3.09 EUR

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IMBG65R060M2HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET

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IMBG65R060M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.14 EUR
45+	3.57 EUR
100+	3.3 EUR
250+	3.17 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.73 EUR

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IMBG65R060M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.54 EUR
25+	9.5 EUR
100+	7.45 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IMBG65R060M2HXTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IMBG65R060M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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IMBG65R060M2HXTMA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.74 EUR
10+	9.98 EUR
100+	7.29 EUR
500+	7.07 EUR

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IMBG65R060M2HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 148W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.54 EUR
25+	9.5 EUR
100+	7.45 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IMBG65R060M2HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IMBG65R060M2HXTMA1

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.93 EUR
10+	9.57 EUR
100+	7.98 EUR
500+	7.22 EUR
1000+	5.9 EUR

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IMBG65R072M1HXTMA1

Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	32.53 EUR
9+	28.14 EUR
10+	24.07 EUR
50+	22.02 EUR
100+	19.97 EUR
250+	19.55 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IMBG65R072M1HXTMA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R

auf Bestellung 953 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.17 EUR
21+	8.44 EUR
100+	6.6 EUR
500+	6.1 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IMBG65R072M1HXTMA1