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NVTR4502PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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NVTR4502PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1864+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1864 Stücke

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NVTR4502PT1G

Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 610 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	1.46 EUR
230+	1.01 EUR
333+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 171 Stücke

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NVTR4502PT1G

Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVTR4503NT1G

Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm

auf Bestellung 5315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

272+	0.92 EUR
530+	0.44 EUR
705+	0.31 EUR
944+	0.23 EUR
1500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 272 Stücke

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NVTR4503NT1G

Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVTR4503NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

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4519+	0.14 EUR
10000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4519 Stücke

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NVTR4503NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.11 EUR
12000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVTR4503NT1G

Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm

auf Bestellung 5315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

272+	0.92 EUR
530+	0.44 EUR
705+	0.31 EUR
944+	0.23 EUR
1500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 272 Stücke

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NVTR4503NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVTR4503NT1G

MOSFETs NFET SOT23 30V 2A 0.110R

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Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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NVTR4503NT1G

Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

auf Bestellung 15128 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.77 EUR
44+	0.48 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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NVTR4503NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 11730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

847+	0.2 EUR
955+	0.18 EUR
965+	0.17 EUR
1142+	0.14 EUR
1173+	0.13 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 847 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR4503NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 11730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

256+	0.68 EUR
830+	0.2 EUR
847+	0.19 EUR
955+	0.17 EUR
965+	0.15 EUR
1142+	0.12 EUR
1173+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.086 EUR

Mindestbestellmenge: 256 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR4503NT1G Transistor
Produktcode: 199485

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTS4409NT1G

Description: MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS002N03CLTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS002N03CLTWG

Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS002N03CLTWG

Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N03CLTWG

Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N03CLTWG

Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3 EUR
12+	1.9 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N03CLTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel LFPAK33 (Pb-Free)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N04CLTWG

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N04CLTWG

MOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N04CLTWG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 106A; Idm: 498A; 34W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 498A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N04CLTWG

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.22 EUR
11+	2.05 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N04CTWG

Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.2 EUR
11+	2.03 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N04CTWG

MOSFETs T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N04CTWG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 99A; Idm: 465A; 34W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 465A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS003N04CTWG

Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS004N03CLTWG

Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.84 EUR
12+	1.81 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS004N03CLTWG

Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS004N03CLTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVTYS004N04CLTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, 40 V, 4.3 mohm, 85 A

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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NVTYS004N04CLTWG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 84A; Idm: 371A; 27W; LFPAK33
Drain current: 84A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 371A
Power dissipation: 27W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar

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NVTYS004N04CTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS005N04CLTWG

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2714 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.01 EUR
11+	1.92 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS005N04CLTWG

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 75A (Tc)

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS005N04CTWG

Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS005N04CTWG

Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS005N06CLTWG

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS005N06CLTWG

MOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS005N06CLTWG

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 75µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS006N06CLTWG

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS006N06CLTWG

MOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS006N06CLTWG

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS007N04CLTWG

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS007N04CTWG

Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS008N06CLTWG

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2766 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.17 EUR
11+	2 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS008N06CLTWG

MOSFETs T6 60V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS008N06CLTWG

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N04CLTWG

MOSFETs T6 40V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 122-126 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N04CLTWG

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.56 EUR
14+	1.61 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N04CLTWG

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N04CTWG

Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N04CTWG

Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.53 EUR
14+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N04CTWG

MOSFETs T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N06CLTWG

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N06CLTWG

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N06CLTWG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 217A; 23W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 217A
Power dissipation: 23W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N06CLTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, 60 V, 9.8 mohm, 51 A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS010N06CLTWG

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.92 EUR
12+	1.83 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS014N08HLTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel,

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS014N08HLTWG

Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS014N08HLTWG

Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS014P04M8LTWG

Description: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.58 EUR
10+	2.44 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS014P04M8LTWG

MOSFETs MV8 40V LL, SINGLE PCH, LFPAK 13 MOHMS MAX

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS014P04M8LTWG

Description: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 53A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS020N08HLTWG

MOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.89 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.04 EUR
3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS020N08HLTWG

Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610.5 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS020N08HLTWG

Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610.5 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS025P04M8LTWG

Description: MV8 40V P-CH LL IN LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 255µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS025P04M8LTWG

MOSFET MV8 40V P-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.96 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.82 EUR
6000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS027N10MCLTWG

Description: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS027N10MCLTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel,

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS027N10MCLTWG

Description: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS029N08HLTWG

onsemi T8 80V N-CH LL IN LFPAK33

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS029N08HLTWG

Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.45 EUR
14+	1.54 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS029N08HLTWG

Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS029N08HTWG

Description: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS029N08HTWG

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel,

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS029N08HTWG

Description: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.51 EUR
14+	1.58 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS040N10MCLTWG

MOSFETs PTNG 100V LL SINGLE NCH LFPAK33 40 MOHMS MAX

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS040N10MCLTWG

Description: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 27µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS040N10MCLTWG

Description: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 27µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.75 EUR
13+	1.74 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTYS9D6P04M8LTWG

Description: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2368 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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