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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT29XV-190-1R9A012JVKEMETDescription: CMC 480UH 19A 2LN TH AEC-Q200
Packaging: Tray
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Filter Type: Power Line
Size / Dimension: 1.634" L x 1.043" W (41.50mm x 26.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 1.524" (38.70mm)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Current Rating (Max): 19A
DC Resistance (DCR) (Max): 3.28mOhm
Inductance @ Frequency: 480 µH @ 100 kHz
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.5 EUR
10+20.16 EUR
30+18.36 EUR
60+17.31 EUR
120+16.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-200-2R0A011JHKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-200-2R0A011JH - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 400µH, 20A, horizontal
tariffCode: 85045000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 400µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 2840µohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 20A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT-XV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-200-2R0A011JHKemetCommon Mode SCT-XV Coils, Automotive AEC-Q200 Grade
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-200-2R0A011JHKEMETDescription: CMC 400UH 20A 2LN TH AEC-Q200
Inductance @ Frequency: 400 µH @ 100 kHz
Part Status: Active
DC Resistance (DCR) (Max): 2.84mOhm
Current Rating (Max): 20A
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Height (Max): 1.524" (38.70mm)
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Lines: 2
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.634" L x 1.043" W (41.50mm x 26.50mm)
Filter Type: Power Line
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Packaging: Tray
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.82 EUR
10+24.43 EUR
25+21.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-200-2R0A011JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.4mH 20A ESR=2.84mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.39 EUR
10+22.54 EUR
20+20.84 EUR
60+19.65 EUR
100+19.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-200-2R0A011JVKEMETDescription: CMC 400UH 20A 2LN TH AEC-Q200
Inductance @ Frequency: 400 µH @ 100 kHz
Part Status: Active
DC Resistance (DCR) (Max): 2.73mOhm
Current Rating (Max): 20A
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Height (Max): 1.524" (38.70mm)
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Lines: 2
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.634" L x 1.043" W (41.50mm x 26.50mm)
Filter Type: Power Line
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Packaging: Tray
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.82 EUR
10+24.43 EUR
25+21.65 EUR
40+20.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-200-2R0A011JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.4mH 20A ESR=2.73mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.7 EUR
10+19.56 EUR
30+17.83 EUR
60+16.23 EUR
120+15.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-200-2R0A011JVKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-200-2R0A011JV - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 400µH, 20A, vertikal
tariffCode: 85045000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 400µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 2730µohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 20A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT-XV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-210-2R1A010JHKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-210-2R1A010JH - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 330µH, 21A, horizontal
tariffCode: 85045000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 330µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 2330µohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 21A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT-XV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.89 EUR
20+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-210-2R1A010JHKEMETDescription: CMC 0.33MH, 21A, 2.33MOHM
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.98 EUR
10+26.48 EUR
25+23.44 EUR
40+22.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-210-2R1A010JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.33mH 21A ESR=2.33mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-210-2R1A010JHKemetCommon Mode SCT-XV Coils, Automotive AEC-Q200 Grade
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-210-2R1A010JVKEMETDescription: CMC 330UH 21A 2LN TH AEC-Q200
Packaging: Tray
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Filter Type: Power Line
Size / Dimension: 1.634" L x 1.043" W (41.50mm x 26.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 1.524" (38.70mm)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Current Rating (Max): 21A
DC Resistance (DCR) (Max): 2.3mOhm
Inductance @ Frequency: 330 µH @ 100 kHz
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.22 EUR
10+19.91 EUR
30+18.14 EUR
60+17.1 EUR
120+16.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-210-2R1A010JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.33mH 21A ESR=2.3mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.39 EUR
10+22.54 EUR
30+20.86 EUR
60+19.65 EUR
120+19.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-210-2R1A010JVKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-210-2R1A010JV - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 330µH, 21A, vertikal
tariffCode: 85045000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 330µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 2300µohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 21A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT-XV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-250-2R2A008JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.21mH 25A ESR=1.68mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.03 EUR
10+18.33 EUR
20+17.41 EUR
60+16.37 EUR
100+15.96 EUR
500+15.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-250-2R2A008JHKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-250-2R2A008JH - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 210µH, 25A, horizontal
tariffCode: 85045000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 210µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 1680µohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 25A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT-XV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.89 EUR
20+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-250-2R2A008JHKEMETDescription: CMC 210UH 25A 2LN TH AEC-Q200
Inductance @ Frequency: 210 µH @ 100 kHz
DC Resistance (DCR) (Max): 1.68mOhm
Current Rating (Max): 25A
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Height (Max): 1.524" (38.70mm)
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Lines: 2
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.634" L x 1.043" W (41.50mm x 26.50mm)
Filter Type: Power Line
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Packaging: Tray
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-250-2R2A008JVKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-250-2R2A008JV - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 210µH, 25A, vertikal
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Induktivität: 210µH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 25A
isCanonical: Y
DC-Widerstand, max.: 1680µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: SCT-XV Series
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.67 EUR
30+18.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-250-2R2A008JVKEMETDescription: CMC 0.21MH, 25A, 1.68MOHM
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.98 EUR
10+26.48 EUR
25+23.44 EUR
40+22.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-250-2R2A008JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.21mH 25A ESR=1.68mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.78 EUR
10+19.56 EUR
30+17.83 EUR
60+16.23 EUR
120+16.02 EUR
270+15.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-270-2R3A006JHKEMETDescription: CMC 120UH 27A 2LN TH AEC-Q200
Packaging: Tray
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Filter Type: Power Line
Size / Dimension: 1.634" L x 1.043" W (41.50mm x 26.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 1.524" (38.70mm)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Current Rating (Max): 27A
DC Resistance (DCR) (Max): 1.18mOhm
Inductance @ Frequency: 120 µH @ 100 kHz
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.26 EUR
20+20.28 EUR
40+19.28 EUR
80+18.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-270-2R3A006JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.12mH 27A ESR=1.18mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.03 EUR
10+19.52 EUR
20+16.92 EUR
60+16.37 EUR
100+15.92 EUR
260+15.84 EUR
500+15.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-270-2R3A006JHKemetCommon Mode SCT-XV Coils, Automotive AEC-Q200 Grade
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-270-2R3A006JHKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-270-2R3A006JH - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 120µH, 27A, horizontal
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Induktivität: 120µH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 27A
isCanonical: Y
DC-Widerstand, max.: 1180µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: SCT-XV Series
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-270-2R3A006JVKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-270-2R3A006JV - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 120µH, 27A, vertikal
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Induktivität: 120µH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SCT-XV Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.87 EUR
30+22.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-270-2R3A006JVKEMETDescription: CMC 120UH 27A 2LN TH AEC-Q200
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.88 EUR
10+24.5 EUR
25+21.69 EUR
40+21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-270-2R3A006JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 0.12mH 27A ESR=1.19mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-300-2R4A005JHKemetCommon Mode SCT-XV Coils, Automotive AEC-Q200 Grade
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-300-2R4A005JHKEMETDescription: CMC 83UH 30A 2LN TH AEC-Q200
Packaging: Tray
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Filter Type: Power Line
Size / Dimension: 1.634" L x 1.043" W (41.50mm x 26.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 1.524" (38.70mm)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Current Rating (Max): 30A
DC Resistance (DCR) (Max): 0.92mOhm
Part Status: Active
Inductance @ Frequency: 83 µH @ 100 kHz
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.82 EUR
10+24.43 EUR
25+21.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-300-2R4A005JHKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 83mH 30A ESR=0.92mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.88 EUR
10+19.31 EUR
20+18.2 EUR
60+17.58 EUR
100+17.14 EUR
260+16.89 EUR
500+16.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-300-2R4A005JHKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-300-2R4A005JH - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 83µH, 30A, horizontal
tariffCode: 85045000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Induktivität: 83µH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 30A
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SCT-XV Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-300-2R4A005JVKEMETCommon Mode Chokes / Filters 1000V 83mH 30A ESR=0.93mOhms AEC-Q200
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.72 EUR
10+20.47 EUR
30+18.64 EUR
60+16.98 EUR
120+16.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-300-2R4A005JVKEMETDescription: KEMET - SCT29XV-300-2R4A005JV - Gleichtaktdrossel, stromkompensierte Drossel, AEC-Q200, 83µH, 30A, vertikal
tariffCode: 85480090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 83µH
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Widerstand, max.: 930µohm
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
DC-Nennstrom: 30A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: SCT-XV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT29XV-300-2R4A005JVKEMETDescription: CMC 83UH 30A 2LN TH AEC-Q200
Inductance @ Frequency: 83 µH @ 100 kHz
Part Status: Active
DC Resistance (DCR) (Max): 0.93mOhm
Current Rating (Max): 30A
Voltage Rating - DC: 1000V (1kV)
Voltage Rating - AC: 1000V (1kV)
Height (Max): 1.524" (38.70mm)
Ratings: AEC-Q200
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Number of Lines: 2
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 1.634" L x 1.043" W (41.50mm x 26.50mm)
Filter Type: Power Line
Package / Case: Vertical, 4 PC Pin
Packaging: Tray
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.82 EUR
10+24.43 EUR
25+21.65 EUR
40+20.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NWBTL1Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 197 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-263CA-7LSHYAD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NWBTL1Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-263CA-7LSHYAD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 197 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NWBTL1ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 1.7KV N-CH 3.9A
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+7.19 EUR
100+5.15 EUR
500+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NYTBRohmSICFET N-CH 1700V 4A TO-268 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NYTBROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NYTBRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NYTBROHMDescription: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
MOSFET-Konfiguration: Eins
Transistormontage: Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NYTBRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NYTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-268L T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NYTBROHMDescription: ROHM - SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 18
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NZROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NZGC11ROHMDescription: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.74 EUR
27+8.84 EUR
100+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NZGC11
Produktcode: 194772
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NZGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.89 EUR
25+7.44 EUR
50+7 EUR
100+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NZGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NZGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.81 EUR
30+9.82 EUR
120+8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2H12NZGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT2W08J30020CR7HHCNTaiwanТримач для 2х SIM-карт,... Роз'єми Корпус: ... Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT300-300Panduit CorpDescription: CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT300-300PanduitTerminals Copper Compression T Splice, Long Barrel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3001FAR2
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALGC11Rohm SemiconductorDescription: 650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+173.64 EUR
30+169.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALGC11ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+177.61 EUR
10+175.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 118A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+171.81 EUR
25+169.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+216.52 EUR
10+188.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3017ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 118
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 427
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 427
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 118A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+171.81 EUR
25+169.35 EUR
50+165.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA
Power Dissipation (Max): 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+194.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3017ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 118A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+175.24 EUR
5+164.59 EUR
10+147.6 EUR
25+137.14 EUR
50+132.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.51 EUR
30+68.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.5 EUR
10+66.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+110.22 EUR
3+104.89 EUR
5+99.48 EUR
10+94.64 EUR
20+90.96 EUR
50+87.64 EUR
100+83.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+80.36 EUR
5+74.76 EUR
10+64.9 EUR
25+61 EUR
50+54.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+110.22 EUR
3+104.89 EUR
5+99.48 EUR
10+94.64 EUR
20+90.96 EUR
50+87.64 EUR
100+83.95 EUR
250+82.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 339W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.61 EUR
30+118.67 EUR
120+110.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+110.22 EUR
3+104.89 EUR
5+99.48 EUR
10+94.64 EUR
20+90.96 EUR
50+87.64 EUR
100+83.95 EUR
250+82.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+190.36 EUR
2+180.89 EUR
3+171.32 EUR
5+162.77 EUR
10+156.26 EUR
20+150.38 EUR
50+143.88 EUR
100+141.26 EUR
250+138.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.78 EUR
30+73.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+99.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+190.36 EUR
2+180.89 EUR
3+171.32 EUR
5+162.77 EUR
10+156.26 EUR
20+150.38 EUR
50+143.88 EUR
100+141.26 EUR
250+138.94 EUR
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SCT3022KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Nch 1200V 95A SiC TO-247N
auf Bestellung 267 Stücke:
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1+93.62 EUR
10+74.08 EUR
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SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+194.27 EUR
10+191.47 EUR
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SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+203.45 EUR
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SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+194.27 EUR
10+191.47 EUR
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SCT3022KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+236.71 EUR
10+222.76 EUR
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SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+193.07 EUR
5+186.88 EUR
10+179.46 EUR
25+158.75 EUR
50+152.14 EUR
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SCT3022KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+209.99 EUR
5+191.09 EUR
10+172.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SCT3030ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.01 EUR
10+40.09 EUR
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SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.14 EUR
10+32.5 EUR
50+28.7 EUR
100+26.64 EUR
200+25.64 EUR
900+24.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.93 EUR
5+43.7 EUR
10+41.45 EUR
20+39.44 EUR
50+37.91 EUR
100+36.54 EUR
250+35.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SCT3030ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 262W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.19 EUR
10+40.46 EUR
50+40.44 EUR
100+40.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
auf Bestellung 8797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.3 EUR
30+38.6 EUR
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SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+41.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247N
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 70
Rds(on)-Messspannung Vgs: 18
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 262
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.57 EUR
30+68.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ALHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.97 EUR
10+66.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ARC14ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ARC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.7 EUR
10+70.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+66.41 EUR
5+62.99 EUR
10+59.93 EUR
20+57.6 EUR
50+55.5 EUR
100+53.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ARC14ROHMDescription: ROHM - SCT3030ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+67.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT3030ARC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87 EUR
30+61.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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