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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXMN6A08KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.09 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN/A
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN8TAZETEXSOP8
auf Bestellung 3922 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
auf Bestellung 5897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.14 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Logic Level Gate
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+1.68 EUR
1000+1.55 EUR
1500+1.49 EUR
2500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 1K
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+2.59 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+2.63 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
200+1.92 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTAZetexN-MOSFET 60V 6.9A ZXMN6A09GTA DIODES TZXMN6a09g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
91+1.86 EUR
94+1.73 EUR
116+1.34 EUR
250+1.23 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
77+3.03 EUR
91+2.36 EUR
200+1.92 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADiodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 60V 7.5A
auf Bestellung 5439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
94+1.83 EUR
116+1.45 EUR
250+1.34 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.12 EUR
2000+0.99 EUR
3000+0.98 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.95 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09KZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09KQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09KQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09KTC
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A09KTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CH 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A10N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11
auf Bestellung 13870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A110
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DZETEX09+ SO-8
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.46 EUR
142+1.19 EUR
143+1.13 EUR
195+0.8 EUR
250+0.74 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 44373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
401+0.44 EUR
406+0.42 EUR
408+0.39 EUR
412+0.38 EUR
472+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 401 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
123+1.9 EUR
186+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
199+1.17 EUR
275+0.79 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
171+1.36 EUR
247+0.87 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.54 EUR
12000+0.48 EUR
24000+0.44 EUR
36000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.61 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 325000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
3000+0.5 EUR
5000+0.48 EUR
7000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
10000+0.37 EUR
25000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 142000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 325393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 142000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
25000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
144+1.62 EUR
174+1.24 EUR
218+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
auf Bestellung 21728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 6039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
150+1.56 EUR
236+0.9 EUR
258+0.83 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTAZETEX
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
3000+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DZETEX2004
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
auf Bestellung 127449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
103+1.64 EUR
104+1.56 EUR
132+1.19 EUR
250+1.13 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 127000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
1500+1 EUR
2500+0.94 EUR
3500+0.92 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25DN8TC
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
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ZXMN6A25GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
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ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
auf Bestellung 3506 Stücke:
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2+3.28 EUR
10+2.05 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
auf Bestellung 9843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.94 EUR
2000+0.87 EUR
3000+0.82 EUR
5000+0.79 EUR
7000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXMN6A25GTA
auf Bestellung 3080 Stücke:
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ZXMN6A25GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ZXMN6A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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ZXMN6A25K
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ZXMN6A25KDiodes IncorporatedMOSFET
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ZXMN6A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMN6A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
auf Bestellung 5560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+2 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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ZXMN6A25N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8SO
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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ZXMN6A25N8TADiodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ZXMN7A11SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
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