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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STPS8L30BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30BY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
12+1.81 EUR
100+1.4 EUR
500+1.19 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A POWERFLAT
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Current - Average Rectified (Io): 8A
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30DEE-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPS8L30DEE-TR - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 8 A, 570 mV, 100 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 570mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STPS8
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
89+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.07 EUR
161+1.06 EUR
185+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Switch Mode REC 8A 30V Vrrm 0.34V VF
auf Bestellung 10316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.59 EUR
10+1.24 EUR
100+1.06 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30DEE-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPS8L30DEE-TR - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 8 A, 570 mV, 100 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 570mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STPS8
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30DEE-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.19 EUR
160+1.04 EUR
161+1 EUR
185+0.83 EUR
250+0.8 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPS8L30HSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 8A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA42STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA42
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA42STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA42 (MPSA42) (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 2797
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 50 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A
Stromverstärkung h21: 40
Montage: THT
verfügbar: 180 St.
  • 180 St. - stock Köln
erwartet: 42 St.
  • 42 St. - erwartet
auf Bestellung: 99 St.
  • 99 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.098 EUR
10+0.082 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.055 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA42-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92AP
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92AP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA42-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA42-APonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA42NSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PWR BIP/S.SIGNAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA92STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 11501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA92STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA92STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA92-APSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSA92-APSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92AP
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92AP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSBH10OF
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.64 EUR
10+5.02 EUR
50+3.88 EUR
100+3.52 EUR
500+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 900uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Leakage current: 0.9mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.5 EUR
56+4.18 EUR
100+3.69 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+3.83 EUR
100+3.47 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.83 EUR
5000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
10+5.69 EUR
50+4.43 EUR
100+4.02 EUR
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.48 EUR
10+5.59 EUR
100+3.96 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.01 EUR
6000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 42A
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.4 EUR
55+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.29 EUR
10+5.46 EUR
50+4.25 EUR
100+3.86 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+3.2 EUR
100+2.89 EUR
500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
auf Bestellung 14 Stücke:
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3+7.54 EUR
10+4.94 EUR
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STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 1133 Stücke:
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1+6.89 EUR
10+4.52 EUR
100+3.19 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.37 EUR
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STPSC10065GY-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.79 EUR
39+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.21 EUR
10+5.4 EUR
100+3.92 EUR
500+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065GY-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.52 EUR
10+5.55 EUR
100+4.06 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STPSC1006D
Produktcode: 108577
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STDioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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STPSC1006DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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STPSC1006DSTMDIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1006DSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
auf Bestellung 1206 Stücke:
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1+7.64 EUR
10+6.33 EUR
100+5.32 EUR
250+5.15 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.32 EUR
2000+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1006DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1006G-TRSTMDIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1006G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: I2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+3.8 EUR
100+3.45 EUR
500+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10C065RYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10C065RY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 26.4 nC, TO-262
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-262
Kapazitive Gesamtladung: 26.4nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.47 EUR
65+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10G065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+3.72 EUR
100+3.14 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.4 EUR
2000+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.36 EUR
50+3.34 EUR
100+3.02 EUR
500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK
auf Bestellung 5499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.81 EUR
100+3.14 EUR
2500+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065B-TRSTMDIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A DPAK Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+4.94 EUR
100+3.56 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.09 EUR
2500+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.27 EUR
10+5.45 EUR
50+4.24 EUR
100+3.84 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDescription: 650 V 10 A power Schottky silico
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+3.42 EUR
100+2.95 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 470A
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.25 EUR
48+4.91 EUR
100+4.12 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.46 EUR
10+7.19 EUR
25+3.97 EUR
100+3.96 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.25 EUR
2000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
10+5.64 EUR
50+4.39 EUR
100+3.99 EUR
500+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.47 EUR
37+6.38 EUR
100+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+7.2 EUR
100+5.38 EUR
500+4.5 EUR
1000+4.19 EUR
3000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+5.75 EUR
100+4.64 EUR
500+4.13 EUR
1000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+6.43 EUR
100+5.28 EUR
500+4.49 EUR
1000+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
47+5.03 EUR
100+3.24 EUR
500+3.13 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbid T2PAK
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+3.67 EUR
100+3.31 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+3.13 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
10+5.19 EUR
100+3.67 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+4.21 EUR
100+3.83 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
10+5.58 EUR
100+4.52 EUR
500+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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