Produkte > CSD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| CSD17579Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A Power dissipation: 36W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | auf Bestellung 2404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT | auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,7mOhm; 101A; 63W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q3AT CSD17581Q3A TCSD17581q3a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | auf Bestellung 8963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | auf Bestellung 8750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A | auf Bestellung 1428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q3AT Produktcode: 177865
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD17581Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17581Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,2mOhm; 123A; 83W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q5AT CSD17581Q5A TCSD17581q5a Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT | auf Bestellung 1491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17581Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Ch NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD17581Q5A | auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17581Q5AT Produktcode: 162889
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD17581Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17581Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17585F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17585F5 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD17585F5T | auf Bestellung 24365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17585F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V | auf Bestellung 72211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17585F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; Idm: 34A; 1.4W; PICOSTAR3 Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 5.9A Pulsed drain current: 34A Drain-source voltage: 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17585F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): 20V | auf Bestellung 18434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17585F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17585F5T | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17585F5 | auf Bestellung 1168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17585F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17585F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V | auf Bestellung 18250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD17585F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17585F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD17585F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD17C00A | CS | 0 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD1848 | C&K | C&K Components | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18501Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18501Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18501Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18501Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18501Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 20 V | auf Bestellung 1344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18501Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18501Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 150W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18501Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18501Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502KCS | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs | auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18502KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18502KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 212 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 212A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 259W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NexFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18502KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18502KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18502KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3 Kind of package: tube Case: TO220-3 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Power dissipation: 259W Gate charge: 52nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18502KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 259W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 20 V | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18502KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18502Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502Q5B | TI | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD18502Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 26A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18502Q5BT | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18502Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502Q5B | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5070 @ 20, Qg, нКл = 68 @ 10, Rds = 2,3 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | verfügbar 3 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Dimensions: 5x6mm Kind of package: reel; tape Case: VSON-CLIP8 On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 156W Gate charge: 25nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18502Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18502Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V | auf Bestellung 1201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18502Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18502Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18502Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 20 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18502Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 26A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18503KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18503KCS | National Semiconductor | Description: CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18503KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18503KCS | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 20 V | auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18503Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18503Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18503Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 121A; 120W; -55°C ~ 150°C; CSD18503Q5AT CSD18503Q5A TCSD18503q5a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| CSD18503Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18503Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 120 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8 Case: VSONP8 Mounting: SMD Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 8SON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18503Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm Dimensions: 5x6mm Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 120W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD18503Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD18503Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD18503Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 40V CSD18503Q5A 8-VS ONP A 595-CSD18503Q A 595-CSD18503Q5A | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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