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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.15 EUR
25+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6025JNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.23 EUR
10+9.01 EUR
300+7.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.52 EUR
18+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6025JNZC17ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.182 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.06 EUR
20+11.82 EUR
100+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6025JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 25A POWER
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6025JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6025JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.37 EUR
10+13.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.5 EUR
25+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.22 EUR
19+9.28 EUR
50+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.46 EUR
10+7.7 EUR
100+5.57 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.81 EUR
50+4.56 EUR
100+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+8.79 EUR
25+8.32 EUR
100+7.12 EUR
250+6.75 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6027YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 245W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.38 EUR
32+7.43 EUR
100+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.63 EUR
18+9.63 EUR
50+8.89 EUR
100+7.44 EUR
200+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+9.13 EUR
25+8.6 EUR
100+7.38 EUR
250+6.97 EUR
500+6.58 EUR
1000+5.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6027YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.135 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.52 EUR
36+6.57 EUR
100+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.76 EUR
32+5.43 EUR
50+5.11 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.96 EUR
10+8.72 EUR
100+6.32 EUR
500+5.3 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.85 EUR
10+9.95 EUR
25+9.4 EUR
100+8.07 EUR
250+7.63 EUR
600+6.47 EUR
1200+5.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.15 EUR
30+5.8 EUR
50+5.46 EUR
100+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.11 EUR
34+7.01 EUR
100+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.67 EUR
16+11.23 EUR
50+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6027YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.54 EUR
30+7.21 EUR
120+6.03 EUR
510+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R602A-US915NetvoxDescription: R602A LORAWAN SIREN SENSOR
Packaging: Bulk
Function: Sensor
Frequency: 915MHz
Modulation or Protocol: LoRaWAN
Part Status: Active
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+286.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603-000-001Hammond Manufacturing ORING GASKET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R603-000-001HammondR603-000-001
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.24 EUR
100+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030PHILIPS04+
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+333.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030-NISTREED InstrumentsDescription: TEMP./HUMIDITY DATA LOGGER W/CER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+908.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 200V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 200V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 200V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 400V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 600V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 250A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Current - Average Rectified (Io): 250A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 350A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Current - Average Rectified (Io): 350A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.9 EUR
10+6.5 EUR
100+5.95 EUR
500+5.84 EUR
1000+5.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.87 EUR
27+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.49 EUR
50+7.82 EUR
100+7.18 EUR
500+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6030ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.84 EUR
26+9.04 EUR
100+6.69 EUR
500+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.19 EUR
10+6.94 EUR
100+6.5 EUR
500+5.82 EUR
1000+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.74 EUR
27+6.49 EUR
50+6.13 EUR
100+5.75 EUR
250+5.46 EUR
500+5.13 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZ1C9
Produktcode: 169489
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A Power MOSFET. R6030ENZ4 is a power MOSFET for switching applications.
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.27 EUR
10+17.3 EUR
25+11.44 EUR
100+10.58 EUR
250+9.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.87 EUR
50+11.57 EUR
100+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.9 EUR
30+6.56 EUR
120+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.05 EUR
32+5.36 EUR
50+4.02 EUR
200+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.9 EUR
25+7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.41 EUR
27+6.58 EUR
50+5.34 EUR
200+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.97 EUR
50+3.45 EUR
100+3.28 EUR
250+3.12 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.21 EUR
50+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.63 EUR
30+11.5 EUR
60+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.81 EUR
30+11.82 EUR
120+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.85 EUR
26+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.63 EUR
30+11.5 EUR
60+10.13 EUR
120+9.38 EUR
270+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.11 EUR
10+12.57 EUR
100+10.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 370W
Gate charge: 74nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 143mΩ
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.16 EUR
9+9.78 EUR
10+9.1 EUR
30+8.34 EUR
60+7.76 EUR
120+7.16 EUR
150+7.01 EUR
300+6.64 EUR
510+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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R6030JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
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R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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29+6 EUR
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R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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R6030JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.58 EUR
10+12.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+12.07 EUR
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R6030JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 30A POWER
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R6030JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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20+8.83 EUR
25+8.33 EUR
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R6030KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A Si MOSFET
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1+8.44 EUR
10+6.01 EUR
100+4.27 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.42 EUR
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R6030KNX
Produktcode: 203153
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Transistoren > MOSFET N-CH
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R6030KNXROHMDescription: ROHM - R6030KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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R6030KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
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 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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R6030KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 490 Stücke:
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3+9.64 EUR
10+6.4 EUR
100+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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R6030KNXC7Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
359+0.49 EUR
365+0.46 EUR
371+0.44 EUR
377+0.42 EUR
383+0.39 EUR
389+0.37 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 359 Stücke
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R6030KNXC7Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.36 EUR
10+6.89 EUR
100+4.91 EUR
500+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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R6030KNXC7Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.48 EUR
371+0.46 EUR
377+0.44 EUR
383+0.43 EUR
389+0.42 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
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R6030KNXC7ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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R6030KNXC7RohmN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 14,5 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 86, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FM Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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R6030KNXC7Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.05 EUR
50+3.83 EUR
100+3.62 EUR
250+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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R6030KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
50+3.57 EUR
100+3.24 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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