Produkte > RD3
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L07BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 101W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 85 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L07BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -70A Power MOSFET | auf Bestellung 54362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L07BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V | auf Bestellung 1822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L07BBGTL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L07BBGTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L07BBGTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L07BBGTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive) | auf Bestellung 4487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L07BBGTL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L080SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | auf Bestellung 4848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L080SNFRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L080SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252 | auf Bestellung 5291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L080SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L080SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L080SNFRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L080SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L080SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 8A TO-252 (DPAK) | auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L080SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L080SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L080SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L080SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L080SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L080SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08BBJHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RD3L08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 142W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08BBJHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BBKHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BBKHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BBKHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BBKHRTTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L08BBLHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BBLHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BBLHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BBLHRTTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L08BGNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L08BGNTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08BGNTL | ROHM | Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 119W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08BGNTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications. | auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BGNTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08BGNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 | auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08BGNTL | ROHM | Description: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 119W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 119W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08CBKHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08CBKHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RD3L08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08CBKHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L08CBKHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08CBLHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08CBLHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L08CBLHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08CBLHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08CBLHRTTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L08DBKHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 N-CH 60V 80A | auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08DBKHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08DBKHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L08DBKHRTTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L08DBLHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08DBLHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08DBLHRBTL | ROHM | Description: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08DBLHRBTL | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L08DBLHRTTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L140SP | ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252 | auf Bestellung 8343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L140SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L140SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L140SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | auf Bestellung 7787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L140SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L140SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V | auf Bestellung 8870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L140SPTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L140SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V | auf Bestellung 8430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L140SPTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -14A TO-252(DPAK) | auf Bestellung 1291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L140SPTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L150SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252 | auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L150SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L150SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | auf Bestellung 6260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L150SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L150SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | auf Bestellung 6260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L150SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 24538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L150SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 15A TO-252 (DPAK) | auf Bestellung 3728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L150SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L220SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3L220SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L220SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252 | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L220SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L220SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | auf Bestellung 2327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L220SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 22A TO-252(DPAK) | auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L220SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3L220SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L220SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L220SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | auf Bestellung 3993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3N01BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3N03BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 P-CH 80V 30A | auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3N03BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3N03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 30 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3N045ATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 P-CH 80V 4.5A | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3N06BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3N06BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3N06BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET | auf Bestellung 1821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3N06BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3N06BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3N07BBHTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 N-CH 80V 105A | auf Bestellung 3182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3P01BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3P01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3P01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RD3P01BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) | auf Bestellung 2370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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