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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RD3L050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
128+1.82 EUR
154+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 5A TO-252(DPAK)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 15A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.47 EUR
116+2.01 EUR
145+1.49 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
auf Bestellung 5818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.28 EUR
50+1.71 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
116+2.01 EUR
145+1.49 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+4.02 EUR
50+3.59 EUR
100+3.09 EUR
200+2.81 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
auf Bestellung 1822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.71 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -70A Power MOSFET
auf Bestellung 54362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+3.07 EUR
100+2.24 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
61+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.49 EUR
100+2.34 EUR
250+2.2 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 4342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+3.15 EUR
100+2.86 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.33 EUR
2500+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.15 EUR
10+5.52 EUR
100+4.44 EUR
500+3.65 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1 EUR
195+0.9 EUR
201+0.86 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
92+2.53 EUR
131+1.64 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.86 EUR
104+1.69 EUR
250+1.5 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
131+1.64 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 5291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.26 EUR
10+2.05 EUR
100+1.44 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
2500+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 4848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
10+2.48 EUR
100+1.93 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L080SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
114+2.05 EUR
152+1.42 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 10371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.11 EUR
50+1.58 EUR
100+1.42 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L080SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
114+2.05 EUR
152+1.42 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 3654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.99 EUR
10+1.42 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
7500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L080SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 109mΩ
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 15W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Pch -60V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.96 EUR
10+3.02 EUR
100+2.73 EUR
500+2.21 EUR
2500+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.25 EUR
47+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+4.62 EUR
50+3.57 EUR
100+3.22 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.19 EUR
10+4.02 EUR
100+2.83 EUR
500+2.31 EUR
2500+2.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBKHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+4.62 EUR
50+3.57 EUR
100+3.22 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.19 EUR
10+4.02 EUR
100+2.83 EUR
500+2.31 EUR
2500+2.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTLROHM SemiconductorMOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+3.68 EUR
100+2.93 EUR
250+2.7 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.11 EUR
2500+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTLROHMDescription: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 119W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.66 EUR
50+4.41 EUR
100+4.18 EUR
250+3.96 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
10+5.47 EUR
100+4.4 EUR
500+3.62 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTLROHMDescription: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.9 EUR
50+4.78 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.66 EUR
50+4.41 EUR
100+4.18 EUR
250+3.96 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.82 EUR
57+4.08 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+2.33 EUR
100+2.07 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+3.46 EUR
50+2.64 EUR
100+2.38 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.37 EUR
50+2.57 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
55+4.25 EUR
100+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08CBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
50+2.2 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 60V 80A
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.95 EUR
10+1.94 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBKHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
50+2.2 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.95 EUR
10+1.94 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
68+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L08DBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
97+2.42 EUR
122+1.76 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.23 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
122+1.76 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
10+2.44 EUR
100+1.89 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
80+2.93 EUR
112+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
auf Bestellung 8430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.29 EUR
7500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
112+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
auf Bestellung 8870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
50+2.17 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L140SPTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.96 EUR
10+2.26 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+3.19 EUR
100+2.49 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 6260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
83+2.81 EUR
103+2.08 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 1536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+1.86 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 6260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
103+2.08 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 15A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 3608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.45 EUR
100+1.27 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 10917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
50+1.63 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 51mΩ
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.94 EUR
7500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
110+1.95 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+3.95 EUR
100+3.18 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
80+2.93 EUR
110+1.95 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L220SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+2.89 EUR
100+2.08 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.65 EUR
2500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.37 EUR
7500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L220SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
104+2.08 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3L220SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 22A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.95 EUR
10+1.94 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH