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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHFR020NT-E3
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR024-E3Vishay SiliconixSiHFR024-E3 IRFR024PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 2568 Stücke:
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2+2.45 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
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3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.56 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIHFR024NT-E3
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFR024T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFR024TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR110-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR110-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR110NT-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR110TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR110TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR110TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120-E3VishayMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120-E3Vishay SiliconixSiHFR120-E3 IRFR120PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 7.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR120NT-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFR120T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
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SIHFR120TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR120TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiHFR1N60A-E3Vishay SiliconixSiHFR1N60A-E3 IRFR1N60APBF DPAK=TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK
auf Bestellung 3893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.24 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.99 EUR
6000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+0.48 EUR
375+0.45 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR1N60AT-E3Vishay SiliconixSiHFR1N60AT-E3 IRFR1N60ATRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60ATR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60ATR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60ATR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.74 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60ATRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60ATRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60ATRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR210-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR210T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR210TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR210TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR210TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR214-E3Vishay SiliconixSiHFR214-E3 IRFR214PBF DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR214T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR220-E3Vishay SiliconixSiHFR220-E3 IRFR220PBF DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR220TRVishay SiliconixSiHFR220TR IRFR220TRR DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHFR224T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SiHFR310-E3Vishay SiliconixSiHFR310-E3 IRFR310PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR310-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
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SIHFR310-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR310T-E3Vishay SiliconixSiHFR310T-E3 IRFR310TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR310T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
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SiHFR310TR-E3Vishay SiliconixSiHFR310TR-E3 IRFR310TRRPBF N-CH 400V 1.7A DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR310TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
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SIHFR310TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 1.7A N-CH MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR310TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR310TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR310TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR310TRR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK; TO252
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR320-E3Vishay SiliconixSiHFR320-E3 IRFR320PBF 400V 3.1A DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR320-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.14 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.7 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIHFR320-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.56 EUR
50+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320T-E3Vishay SiliconixSiHFR320T-E3 IRFR320TRPBF 400V 3.1A DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR320T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.56 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR320TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.61 EUR
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR420-E3Vishay SiliconixSiHFR420-E3 IRFR420PBF N-CH 500V 2.4A DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.86 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420A-GE3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420ATR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR420T-E3Vishay SiliconixSiHFR420T-E3 IRFR420TRPBF N-CH 500V 2.4A DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
50+1.23 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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