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SiHFP360LC-E3VishayMOSFETs
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SiHFP360LC-E3Vishay SiliconixSiHFP360LC-E3 IRFP360LCPBF TO-247AC Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.52 EUR
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SiHFP450Vishay SiliconixSiHFP450 IRFP450 Транзистори
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SIHFP450-E3Vishay SiliconixSiHFP450-E3 IRFP450PBF N-MOSFET HEXFET 500V 190W TO-247 Транзистори
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SIHFP450-E3VishayVishay
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SIHFP450A-E3VishayVishay
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SIHFP450A-E3Vishay SiliconixSiHFP450A-E3 IRFP450APBF MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Транзистори
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SIHFP450LC-E3VishayVishay
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SIHFPC60-E3VishayVishay
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SIHFPC60LC-E3VishayVishay
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SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
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 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
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SIHFPS37N50A-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS37N50A-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 446W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.31 EUR
17+14.29 EUR
21+10.66 EUR
50+9.1 EUR
100+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.14 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SIHFPS37N50A-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5579 pF @ 25 V
auf Bestellung 4090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.14 EUR
30+8.77 EUR
60+8.02 EUR
120+7.38 EUR
510+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFPS37N50A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 500V 36A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.53 EUR
10+7.18 EUR
100+6.6 EUR
480+6.35 EUR
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SIHFPS37N50A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
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 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
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SIHFPS37N50A-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 144A; 446W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 446W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS38N60L-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS38N60L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 600V 38A N-CH MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
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SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SIHFPS38N60L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin Super-247
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SIHFPS38N60L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS38N60L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.12 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.17 EUR
26+9.07 EUR
31+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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SIHFPS40N50L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS40N50L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 46 A, 0.1 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS40N50L-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS40N50L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 500V 46A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.17 EUR
10+10.33 EUR
25+9.02 EUR
100+8.26 EUR
250+7.51 EUR
480+7.28 EUR
960+7.04 EUR
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SIHFPS40N60K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.95 EUR
250+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS40N60K-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS40N60K-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.11 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS40N60K-GE3Vishay SiliconixDescription: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.36 EUR
30+9.53 EUR
60+8.72 EUR
120+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS40N60K-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SPR247 600V 470 N-CH
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.26 EUR
10+7.63 EUR
100+7.01 EUR
480+6.99 EUR
960+6.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS40N60K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS40N60K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFPS43N50KVishay SiliconixSiHFPS43N50K IRFPS43N50KPBF TO-247AA(Super) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS43N50K-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin Super-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS43N50K-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V SUPER-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFPS43N50K-GE3VishayMOSFETs SPR247 500V 47A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR010-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR014-E3Vishay SiliconixSiHFR014-E3 IRFR014PBF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR014-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR014NT-
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR014NT-E3
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFR014TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR014TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR014TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR020-E3Vishay SiliconixSiHFR020-E3 IRFR020PBF DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR020NT-
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR020NT-E3
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR024-E3Vishay SiliconixSiHFR024-E3 IRFR024PBF DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
auf Bestellung 2568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024NT-E3
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR024TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
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SIHFR024TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
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SIHFR024TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
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SIHFR110-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHFR110-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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SIHFR110NT-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
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SIHFR110TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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SIHFR110TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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SIHFR110TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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SIHFR120-E3Vishay SiliconixSiHFR120-E3 IRFR120PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR120-E3VishayMOSFETs
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SIHFR120-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SIHFR120-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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SIHFR120-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
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SIHFR120NT-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
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SIHFR120T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
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SIHFR120TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
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SIHFR120TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR120TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
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SIHFR120TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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SIHFR120TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
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SiHFR1N60A-E3Vishay SiliconixSiHFR1N60A-E3 IRFR1N60APBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR1N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2647 Stücke:
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367+0.49 EUR
375+0.46 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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SIHFR1N60A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
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SIHFR1N60A-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds TO-252 DPAK
auf Bestellung 3343 Stücke:
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1+3.2 EUR
10+2 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
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6000+0.73 EUR
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SIHFR1N60A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SIHFR1N60A-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 5.6A
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR1N60AT-E3Vishay SiliconixSiHFR1N60AT-E3 IRFR1N60ATRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR1N60ATR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 1961 Stücke:
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2+2.5 EUR
10+1.55 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.55 EUR
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SIHFR1N60ATR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SIHFR1N60ATR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR1N60ATRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60ATRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHFR1N60ATRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHFR210-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR210T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFR210TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR210TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR210TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiHFR214-E3Vishay SiliconixSiHFR214-E3 IRFR214PBF DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHFR214T-E3
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR220-E3Vishay SiliconixSiHFR220-E3 IRFR220PBF DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIHFR220-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 14nC
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH