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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
842+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 842 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TR2PBF
Produktcode: 157383
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1095+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1095 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
159+1.46 EUR
217+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
auf Bestellung 3335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.39 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.61 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
31+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 10387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1095+0.6 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1095 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.48 EUR
507+0.33 EUR
655+0.25 EUR
1005+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
159+1.46 EUR
217+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1095+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1095 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
264+0.65 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+0.73 EUR
366+0.46 EUR
369+0.44 EUR
507+0.31 EUR
512+0.3 EUR
655+0.21 EUR
1005+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
285+0.57 EUR
286+0.55 EUR
287+0.52 EUR
288+0.5 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
233+1 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
233+1 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.61 EUR
288+0.6 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
auf Bestellung 4058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.07 EUR
100+0.73 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC
auf Bestellung 6012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.25 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1605+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
246+0.94 EUR
319+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 999A SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
227+1.02 EUR
304+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 11453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1581+0.42 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.57 EUR
100+0.45 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.87 EUR
351+0.49 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
227+1.02 EUR
304+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
32+0.65 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
425+0.4 EUR
453+0.37 EUR
454+0.36 EUR
520+0.3 EUR
525+0.29 EUR
590+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
454+0.38 EUR
520+0.33 EUR
525+0.32 EUR
590+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 454 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBF
Produktcode: 98279
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8337TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TR
Produktcode: 99498
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: PQFN5*6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 21 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,6 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5250/58
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInternational RectifierP-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
83+2.81 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.14 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.19 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 14944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
75+2.3 EUR
103+1.64 EUR
200+1.5 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
2000+0.98 EUR
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHE4250DTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 25V,60 A Power Block PQFN 6x6
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHE4250DTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
136+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHE4250DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFHE4250DTRPBF
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
143+1.63 EUR
218+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 29715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1259+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 572000 Stücke:
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4000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
143+1.63 EUR
218+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1676000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.69 EUR
200+1.06 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.54 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.33 EUR
250+1.26 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
auf Bestellung 5875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.12 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM3911TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4226TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4226TRPBFInfineon
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4231TRPBF/BKNInfineon TechnologiesDescription: IRFHM4231TRPBF/BKN
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4234TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.92 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4234TRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
525+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFHM4234TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
729+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 729 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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