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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFH80N30P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N60X2AIXYSMOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
auf Bestellung 3060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.3 EUR
30+22.54 EUR
60+20.9 EUR
120+19.53 EUR
510+18.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+18.14 EUR
6+16.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.51 EUR
7+36.08 EUR
10+29.35 EUR
50+25.36 EUR
100+23.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.68 EUR
10+20.9 EUR
120+20.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.83 EUR
7+38.31 EUR
10+31.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4LittelfuseX2-Class HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4IXYSMOSFETs 650V/80A TO-247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4Ixys CorporationX2-Class HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+28.79 EUR
10+25.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.32 EUR
30+23.36 EUR
60+21.69 EUR
120+20.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2-4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.9 EUR
10+16.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2WIXYSDescription: MOSFET DISCRETE
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.31 EUR
10+21.38 EUR
50+17.58 EUR
300+14.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2WIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH80N65X2WLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH86N30TIXYSMOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.43 EUR
10+16.09 EUR
120+15.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH86N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N20QTO-247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N20QIXYSMOSFET 88 Amps 200V 0.03 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.91 EUR
10+14.4 EUR
30+13.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.71 EUR
10+21.19 EUR
120+21.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH88N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH88N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH8N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH8N80IXYSMOSFETs 8 Amps 800V 1.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.38 EUR
30+13.4 EUR
60+12.33 EUR
120+11.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 90A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.69 EUR
10+14.55 EUR
120+13.47 EUR
510+11.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3N-Channel 200 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.72 EUR
7+13.21 EUR
10+11.76 EUR
20+10.69 EUR
30+10.04 EUR
60+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH90N20X3. - MOSFET, N-CH, 200V, 90A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3IXYSMOSFETs Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.24 EUR
10+24.42 EUR
120+21.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3IXYSDescription: MOSFET 90A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.71 EUR
30+20.41 EUR
120+18.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH90N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.78 EUR
8+30.63 EUR
10+25.01 EUR
50+24.53 EUR
100+24.01 EUR
250+23.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 94A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.04 EUR
30+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.92 EUR
10+22.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.45 EUR
10+18.74 EUR
120+18.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3 Transistor
Produktcode: 208477
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30TIXYSMOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 94A TO247AD
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.95 EUR
25+10.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 96A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15PIXYSMOSFETs 96 Amps 150V 0.024 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 96A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.22 EUR
8+10.65 EUR
10+9.73 EUR
20+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.77 EUR
10+16.09 EUR
30+11.1 EUR
120+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH98N60X3IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.22 EUR
10+31.44 EUR
100+26.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH98N60X3IXYSMOSFETs TO247 600V 98A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH9N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH9N80IXYSMOSFETs 9 Amps 800V 0.9 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH9N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFI7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ13N50IXYSMOSFETs 13 Amps 500V 0.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+23.18 EUR
30+22.22 EUR
120+19.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: ISO247™
On-state resistance: 0.36Ω
Reverse recovery time: 190ns
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3IXYSMOSFETs TO247 500V 14A N-CH POLAR3
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.71 EUR
10+31.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 78A; 180W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 180W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ32N50IXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ32N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ40N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ80N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISO TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ80N25X3IXYSMOSFETs 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N10IXYSMOSFETs 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N25IXYSMOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK100N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 100 A, 0.03 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04kW
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+49.49 EUR
10+38.37 EUR
50+31.01 EUR
100+29.02 EUR
250+28.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 183nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.33 EUR
25+28.02 EUR
50+26.05 EUR
100+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2MOSFET, N-CH, 650V, 100A, TO-246P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
auf Bestellung 334 Stücke:
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1+42.63 EUR
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IXFK102N30PIXYSMOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
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IXFK102N30PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXFK102N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Power dissipation: 700W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
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IXFK102N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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IXFK102N30PMOSFET N-CH 300V 102A TO-264 Транзистори
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IXFK110N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
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IXFK110N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXFK110N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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IXFK110N07
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