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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFH90N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 90A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.46 EUR
10+13.17 EUR
120+11.16 EUR
510+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.16 EUR
30+10.77 EUR
120+9.14 EUR
510+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N20X3N-Channel 200 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3IXYSDescription: MOSFET 90A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.71 EUR
30+20.41 EUR
120+18.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH90N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.78 EUR
8+30.63 EUR
10+25.01 EUR
50+24.53 EUR
100+24.01 EUR
250+23.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH90N65X3IXYSMOSFETs Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.24 EUR
10+24.42 EUR
120+21.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.53 EUR
10+23.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.66 EUR
10+22.02 EUR
30+15.84 EUR
60+15.82 EUR
120+15.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 94A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.04 EUR
30+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30P3 Transistor
Produktcode: 208477
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30TIXYSMOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH94N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 94A TO247AD
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.2 EUR
25+10.57 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15PIXYSMOSFETs 96 Amps 150V 0.024 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 96A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 96A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 96A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.22 EUR
8+10.65 EUR
10+9.73 EUR
20+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.77 EUR
10+16.09 EUR
30+11.1 EUR
120+11.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH96N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH98N60X3IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.22 EUR
10+31.44 EUR
100+26.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH98N60X3IXYSMOSFETs TO247 600V 98A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH9N80IXYSMOSFETs 9 Amps 800V 0.9 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH9N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH9N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFI7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO262
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ13N50IXYSMOSFETs 13 Amps 500V 0.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ20N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+23.18 EUR
30+22.22 EUR
120+19.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ26N50P3IXYSMOSFETs TO247 500V 14A N-CH POLAR3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ32N50IXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ32N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ40N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ80N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISO TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFJ80N25X3IXYSMOSFETs 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N10IXYSMOSFETs 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N25IXYSMOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2MOSFET, N-CH, 650V, 100A, TO-246P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK100N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK100N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.44 EUR
25+28.08 EUR
100+24.44 EUR
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IXFK100N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.63 EUR
10+27.94 EUR
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IXFK100N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 183nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFK102N30PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+36.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXFK102N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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IXFK102N30PIXYSMOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
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IXFK102N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFK102N30PMOSFET N-CH 300V 102A TO-264 Транзистори
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IXFK110N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.47 EUR
25+26.39 EUR
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IXFK110N07
auf Bestellung 1073 Stücke:
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IXFK110N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK110N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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IXFK110N07IXYSMOSFETs 70V 110A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK110N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 TO2
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK110N65X3LittelfuseMOSFETs TO264 650V 110A N-CH X3CLASS
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IXFK120N20IXYSMOSFETs 200V 120A
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IXFK120N20
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IXFK120N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK120N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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IXFK120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
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IXFK120N20PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+21.81 EUR
150+20.03 EUR
300+18.5 EUR
450+17.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
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IXFK120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 152nC
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 714W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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IXFK120N25IXYSMOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK120N25Power MOSFET, 250V, 120A, 22mOhm, TO-264AA Транзистори
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IXFK120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.97 EUR
300+19.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.97 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXFK120N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+30.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFK120N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.05 EUR
10+20.15 EUR
25+18.92 EUR
50+17.7 EUR
100+17.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXFK120N25PIXYSMOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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IXFK120N30P3IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 120 А, Ptot, Вт = 1 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 8630 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 27 мОм @ 60A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 4 мА,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IXFK120N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30TIXYSMOSFETs 120A 300V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30TMOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Транзистори
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IXFK120N30T
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N30TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK120N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 TO2
Packaging: Tube
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IXFK120N60X3LittelfuseMOSFETs TO264 600V 120A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK120N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
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IXFK120N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
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IXFK120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.54 EUR
25+36.01 EUR
100+31.64 EUR
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