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SIHFR220-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 14nC
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIHFR220-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 21696 Stücke:
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2+2.01 EUR
10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
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3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiHFR220TRVishay SiliconixSiHFR220TR IRFR220TRR DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR220TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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SIHFR220TRL-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR224T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
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SiHFR310-E3Vishay SiliconixSiHFR310-E3 IRFR310PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR310-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
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SIHFR310-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR310T-E3Vishay SiliconixSiHFR310T-E3 IRFR310TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR310T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SiHFR310TR-E3Vishay SiliconixSiHFR310TR-E3 IRFR310TRRPBF N-CH 400V 1.7A DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR310TR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
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SIHFR310TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 1.7A N-CH MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR310TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR310TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR310TRR-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK; TO252
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR310TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SiHFR320-E3Vishay SiliconixSiHFR320-E3 IRFR320PBF 400V 3.1A DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR320-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 8025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.5 EUR
10+1.01 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.63 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
50+1.13 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SIHFR320T-E3Vishay SiliconixSiHFR320T-E3 IRFR320TRPBF 400V 3.1A DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR320T-E3
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFR320TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.17 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR320TRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR320TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR420-E3Vishay SiliconixSiHFR420-E3 IRFR420PBF N-CH 500V 2.4A DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420A-GE3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420A-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420A-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420ATR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420ATRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR420T-E3Vishay SiliconixSiHFR420T-E3 IRFR420TRPBF N-CH 500V 2.4A DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
13+1.62 EUR
50+1.2 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 4698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.3 EUR
10+1.08 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.74 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR420TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR430A-GE3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR430A-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR430ATR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR430ATR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR430ATRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR430ATRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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SIHFR430ATRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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SIHFR430ATRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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SiHFR9010-E3Vishay SiliconixSiHFR9010-E3 IRFR9010PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR9010-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 50V
auf Bestellung 2979 Stücke:
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2+1.86 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
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SiHFR9014-E3Vishay SiliconixSiHFR9014-E3 IRFR9014PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR9014-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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SIHFR9014-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
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SIHFR9014NT-E3
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFR9014TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
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SIHFR9014TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
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SIHFR9020-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SiHFR9020T-E3Vishay SiliconixSiHFR9020T-E3 IRFR9020TRPBF MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR9020TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHFR9020TRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SiHFR9024-E3Vishay SiliconixSiHFR9024-E3 IRFR9024PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR9024-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2175+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2175 Stücke
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SIHFR9024-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR9024-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHFR9024NT-E3
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SiHFR9024T-E3Vishay SiliconixSiHFR9024T-E3 IRFR9024TRPBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SiHFR9024TL-E3Vishay SiliconixSiHFR9024TL-E3 IRFR9024TRLPBF DPAK=TO-252 Транзистори
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SIHFR9024TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR9024TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR9024TR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHFR9024TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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SIHFR9024TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SIHFR9024TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR9024TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHFR9024TRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9024TRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9024TRR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR9110-E3Vishay SiliconixSiHFR9110-E3 IRFR9110PBF DPAK=TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR9110T-E3Vishay SiliconixSiHFR9110T-E3 IRFR9110TRPBF MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9110TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9110TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR9120-E3Vishay SiliconixSiHFR9120-E3 IRFR9120PBF P-CH. 100V 6.6A DPAK=TO-252 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9120-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9120-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
50+1.01 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9120-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9120-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 7936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.94 EUR
10+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9120TR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9120TR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9120TRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9210-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9210TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR9214-E3Vishay SiliconixSiHFR9214-E3 IRFR9214PBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR9214-E3VishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFR9214-E3VBSEMISiHFR9214-E3 IRFR9214PBF P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 Транзистори
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR9214-GE3VishayТранзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH