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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STL260N4LF7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 850 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N30M8STMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL26N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.215 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.29 EUR
24+9.89 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
100+4.11 EUR
500+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 206mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.182 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
auf Bestellung 2086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.6 EUR
10+7.79 EUR
100+5.62 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.61 EUR
3000+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.82 EUR
10+7.93 EUR
100+5.71 EUR
500+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Pulsed drain current: 76A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL270N6LF7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel logic level 60 V, 1.3 mOhm max., 268 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL270N6LF7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL270N6LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 268 A, 0.0013 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 268A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
97+2.42 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL283Belden Inc.Description: 909283 CABLE
Length: 328.1' (100.0m)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL283Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables 909283 CABLE(1PC=100 METERS)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL285N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL285N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL285N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL287N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V PWRFLAT 8X8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL287N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 1231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.65 EUR
10+6.33 EUR
100+4.71 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.67 EUR
3000+3.5 EUR
6000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.175 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.04 EUR
38+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.140 Ohm typ 19 A MDmesh M2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 72A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL28NF3LLST09+
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL295/100Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL295/500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E1-53Carling TechnologiesToggle Switches 2-pole, (ON) - OFF - (ON), 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with .250 Tab (Q.C.)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.44 EUR
10+62.37 EUR
20+59.39 EUR
50+56.8 EUR
100+54.31 EUR
200+51.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E1-53Carling TechnologiesSwitch Toggle (ON) OFF (ON) DPDT Bat Lever Quick Conn 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+125.31 EUR
5+81.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E1-53/HDW ASSMCarling TechnologiesToggle Switches STL2E1-53/HDW ASSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E1-53/HDW ASSMCarling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E1-58Carling TechnologiesSwitch Toggle (ON) OFF (ON) DPDT Bat Lever Quick Conn 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive Bulk
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+77.17 EUR
5+68.38 EUR
10+65.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E1-58Carling TechnologiesToggle Switches 16A 12/24VDC 2P (ON)OFF(ON) QC IP68
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+104.07 EUR
10+64.63 EUR
100+58.35 EUR
250+54.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E4-53Carling TechnologiesToggle Switches 2-pole, (ON) - OFF - (ON), 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with Screw with Cage Clamps
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.29 EUR
10+63.65 EUR
20+58.54 EUR
100+54.23 EUR
200+51.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E4-53Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2E4-53Carling TechnologiesSwitch Toggle (ON) OFF (ON) DPDT Bat Lever Screw 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive
auf Bestellung 21 Stücke:
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2+89.95 EUR
5+85.58 EUR
10+67.34 EUR
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STL2E4-53/HDW ASSMCarling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STL2E4-53/HDW ASSMCarling TechnologiesToggle Switches STL2E4-53/HDW ASSM
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STL2E4-58Carling TechnologiesToggle Switches STL2E4-58
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1+121.39 EUR
10+74.52 EUR
100+65.53 EUR
200+61.04 EUR
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STL2E4-58Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 16A (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 14.25mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STL2H-15-21-1-CTE Connectivity STL2H-15-21-1-C
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STL2H-19-25-1-CTE Connectivity Aerospace, Defense and MarineDescription: STL2H-19-25-1-C
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STL2H-23-25-1-CTE Connectivity STL2H-23-25-1-C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STL2H-D09-13-1-B-LPTE ConnectivitySTL2H-D09-13-1-B-LP
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2+136.06 EUR
4+131.8 EUR
8+126.68 EUR
16+121.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2H-D17-21-1-C-LPTE ConnectivityCircular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters STL2H-D17-21-1-C-LP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STL2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STL2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.7 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL2N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.5A; Idm: 6A; 33W
Case: PowerFLAT 5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 33W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
131+1.64 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
auf Bestellung 3444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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STL2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STL2N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
auf Bestellung 5323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+1.58 EUR
100+1.14 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STL2N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.7 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL2N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
96+2.44 EUR
131+1.64 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL300N4F8STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 5988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.78 EUR
3000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL300N4LF8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL300N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
58+4.01 EUR
100+2.65 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL300N4LF8STMicroelectronicsDescription: POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL300N4LF8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL300N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL300N4LF8STMicroelectronicsDescription: POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL300N4LF8STMicroelectronicsMOSFETs N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
3000+1.45 EUR
6000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL305N4F8AGSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+3.39 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.74 EUR
3000+1.65 EUR
6000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL305N4LF8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+3.69 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.98 EUR
3000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL305N4LF8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.07 EUR
55+4.27 EUR
100+2.83 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL305N4LF8AGSTMicroelectronicsDescription: POWERFLAT 5X6 WF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL305N4LF8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL305N4LF8AGSTMicroelectronicsDescription: POWERFLAT 5X6 WF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STL3065ST
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL30N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 4.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 4.8W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL30N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
auf Bestellung 4101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL30N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL30N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL30N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
auf Bestellung 5705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.87 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STL30NF3LLSTBGA
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STL30P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL30P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
127+1.83 EUR
163+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL30P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.76 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL30P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ 30 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
auf Bestellung 6422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.64 EUR
100+1.29 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL30P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL30P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
127+1.83 EUR
163+1.32 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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STL30P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin Power Flat T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL30P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 9338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL30P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin Power Flat T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.17 EUR
10+6.09 EUR
100+4.36 EUR
500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STL31N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL31N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.162 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.75 EUR
34+7.03 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.95 EUR
10+6.62 EUR
100+4.74 EUR
500+4.21 EUR
1000+3.92 EUR
3000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL320N4F8STMicroelectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL320N4LF8STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL320N4LF8STMicroelectronicsMOSFETs N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+3.81 EUR
100+2.64 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.05 EUR
3000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL320N4LF8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 360A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL320N4LF8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL320N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
auf Bestellung 4775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
40+5.87 EUR
100+3.75 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STL320N4LF8STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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