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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
10+4.16 EUR
50+3.2 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+5.21 EUR
100+4.41 EUR
250+4.4 EUR
500+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+5.63 EUR
100+4.61 EUR
500+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
50+2.52 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R310DEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6Infineon
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.57 EUR
5000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+2.24 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R380C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 10.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.38Ω
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.43 EUR
37+2.34 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380E6
Produktcode: 162611
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380E6Infineon technologies
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+2.56 EUR
100+2.31 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.4 EUR
50+2.59 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R380E6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
80+2.93 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEInfineon technologies
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
169+1 EUR
177+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 31W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.36Ω
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.09 EUR
52+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
50+1.48 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1InfineonMOSFET N-CH 650V TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.18 EUR
120+1.94 EUR
151+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
483+1.36 EUR
537+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 483 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.01 EUR
100+1.75 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.05 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R400CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
177+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R420CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 8.7A TO220FP CoolMOS CFD2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R420CFDInfineon TechnologiesDescription: IPA65R420 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
262+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R420CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R420CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.59 EUR
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R420CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs Y
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.58 EUR
100+2.59 EUR
500+2.34 EUR
2500+2.32 EUR
5000+2.31 EUR
10000+2.26 EUR
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IPA65R600C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 186 Stücke:
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IPA65R600C6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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IPA65R600C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 467 Stücke:
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IPA65R600C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPA65R600E6Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
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IPA65R600E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6
auf Bestellung 207 Stücke:
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1+4.21 EUR
10+2.26 EUR
100+1.87 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R600E6Infineon TechnologiesDescription: IPA65R600 - 650V AND 700V COOLMO
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
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IPA65R600E6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R600E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 7.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 63
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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IPA65R600E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
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IPA65R600E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R600E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPA65R600E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPA65R650CEInfineon technologies
auf Bestellung 404 Stücke:
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IPA65R650CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
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IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V TO-220FP-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
137+1.7 EUR
168+1.27 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R650CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+4.16 EUR
100+3.36 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
2500+2.4 EUR
5000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
105+1.64 EUR
129+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA65R660CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SInfineon
auf Bestellung 20500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
593+1.11 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.54 EUR
385+0.44 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 4101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
141+1.65 EUR
165+1.3 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.45 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
593+1.11 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 34A
Kind of package: tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.01 EUR
44+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R360P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
auf Bestellung 31924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
396+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA70R450P7SXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.32 EUR
100+1.23 EUR
500+1.19 EUR
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IPA70R450P7SXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA70R450P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 22.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IPA70R600P7SInfineon / IRMOSFET CONSUMER
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IPA70R600P7SInfineon
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IPA70R600P7SXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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