Produkte > STL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| STL40C30H3LL | STMicroelectronics | Description: MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 60W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 24V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40C30H3LL | STMicroelectronics | MOSFET LGS LV MOSFET | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 60W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFETs Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V | auf Bestellung 23154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 60W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL40N10F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII | auf Bestellung 511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL40N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V | auf Bestellung 2586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL40N10F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL40N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | auf Bestellung 4117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL40N10F7 | STMicroelectronics | STL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N10F7 | STMicroelectronics | STL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N10F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL40N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | auf Bestellung 4117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL40N10F7 | STMicroelectronics | STL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N10F7 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 70W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N10F7 | STM | MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N75LF3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N75LF3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 75V 40A 8-Pin Power Flat T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N75LF3 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 75 V, 16 mOhm 10 A STripFET III | auf Bestellung 1128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL40N75LF3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4164 | SANYO | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STL42N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 34A 5-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 2770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 34A 5-Pin Power Flat T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL42P4LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V | auf Bestellung 7551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL42P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL42P4LLF6 | STMicroelectronics | P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 42 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 27 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL42P4LLF6 | STMicroelectronics | MOSFET P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ 42 A STripFET F6 Power MOSFET | auf Bestellung 11543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL42P4LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P4LLF6 | STMicroelectronics | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -42A; Idm: -168A; 75W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -42A Pulsed drain current: -168A Power dissipation: 75W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P4LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL42P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL42P4LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 4886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 4386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL42P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 42 A, 0.023 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STM | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 | auf Bestellung 4648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL42P6LLF6 | STMicroelectronics | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; -60V; -42A; 100W Type of transistor: P-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -42A Power dissipation: 100W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45N10F7AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in | auf Bestellung 11297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL45N10F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45N10F7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45N10F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V | auf Bestellung 2114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL45N60DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45N60DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45N60DM6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 | auf Bestellung 2662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL45N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL45N65M5 | STM | MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL45N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL45P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 | auf Bestellung 2867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL45P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 75W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4600BCV | 07+ | auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| STL47N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V | auf Bestellung 2161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL47N60M6 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 124A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 124A Power dissipation: 190W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL47N60M6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL47N60M6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV | auf Bestellung 1763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL4LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4LN80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 8-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4LN80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4N10F7 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 35.7W Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4N10F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL4N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4N10F7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL4N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4N10F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3 | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL4N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL4N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.5 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL4N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL4N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4N80K5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 10A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 38W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4P2UH7 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | auf Bestellung 5606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4P2UH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4P2UH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL4P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL4P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL4P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL4P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 pack | auf Bestellung 7258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL4P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V | auf Bestellung 6302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL5-450-6M-01 | Essentra | Cable Mounting & Accessories | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL50552F21S100 | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STL50DN6F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 62.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STL50DN6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL50DN6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STL50DN6F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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