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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMTH4007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
154+1.51 EUR
219+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1017500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
12+1.77 EUR
100+1.25 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.61 EUR
100+1.13 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
154+1.51 EUR
219+0.98 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 17.6A/76A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2082 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.75 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 17.6A/76A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2082 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
14+1.61 EUR
100+1.12 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
71+3.3 EUR
114+1.88 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
auf Bestellung 24268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.24 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
114+1.88 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
auf Bestellung 5913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.56 EUR
100+1.56 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 415399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 402500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
Power dissipation: 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
auf Bestellung 861 Stücke:
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1+4.41 EUR
10+2.83 EUR
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2500+1.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 415000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
86+2.71 EUR
128+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.32 EUR
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DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH4007SPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 13.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
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2+2.09 EUR
10+1.71 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
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DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH4007SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH4007SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506
Produkt ist nicht verfügbar
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DMTH4007SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH4007SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH4007SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 2.8W; PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007SPSWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DMTH4008LFDFW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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DMTH4008LFDFW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
488+0.51 EUR
496+0.46 EUR
498+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
488+0.51 EUR
496+0.46 EUR
498+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K
auf Bestellung 9868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
203+1.14 EUR
294+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
203+1.14 EUR
294+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Grade: Automotive
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LFDFWQ-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDW-13Diodes Zetex40V 175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 46.2 A, 46.2 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 46.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 39.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 39.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.82 EUR
117+1.99 EUR
180+1.19 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
auf Bestellung 5470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 46.2 A, 46.2 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 46.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 39.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 39.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
117+1.99 EUR
180+1.19 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.59 EUR
10+1.39 EUR
100+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.08 EUR
10+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 55.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
148+1.57 EUR
210+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
15+1.4 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 55.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.5 EUR
148+1.57 EUR
210+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.98 EUR
10+1.38 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.57 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
146+1.59 EUR
232+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V 40V
auf Bestellung 7778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+1.3 EUR
100+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMTH4011SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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