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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGP12NB60HDSTMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP12NB60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A TO-220
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 68 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 210µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 5ns/91ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP12NB60KSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W TO220
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 258µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/96ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 54 nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP12NB60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W TO220
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 54 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 258µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/96ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14HF60KDSTMicroelectronicsIGBTs 14 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14N60DSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 95 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KD
Produktcode: 181150
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.51 EUR
100+1.21 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KDSTTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220   STGP14NC60KD TSTGP14nc60kd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.32 EUR
102+1.63 EUR
114+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP14NC60KD - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
50+1.76 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KDSTMTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mWTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP14NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.69 EUR
114+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.06 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
88+2.64 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
50+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.12 EUR
84+1.99 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+2.57 EUR
100+2.2 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M120F3STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/122ns
Switching Energy: 550µJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.17 EUR
50+7.08 EUR
100+6.5 EUR
500+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M120F3STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M120F3STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M65DF2STMIGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 136 W Through Hole TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+2.03 EUR
100+1.83 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP18N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP18N40LZSTMIGBT 420V 30A 150W TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP18N40LZSTMicroelectronicsIGBT Modules 400V INTRN CLMP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60HSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
auf Bestellung 2067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.75 EUR
10+3.47 EUR
100+2.92 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
50+3.56 EUR
100+3.21 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.44 EUR
2000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60HDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.09 EUR
31+2.8 EUR
33+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60HD
Produktcode: 183916
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KSTMicroelectronicsIGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KD
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KD
Produktcode: 171429
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.52 EUR
67+2.49 EUR
69+2.34 EUR
100+2.05 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.52 EUR
67+2.53 EUR
69+2.44 EUR
100+2.15 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KDSTMIGBT 600V 35A 125W TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60SSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Power - Max: 130 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 54.5 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.75 EUR
44+1.94 EUR
53+1.63 EUR
59+1.46 EUR
100+1.39 EUR
200+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsIGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60SDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Power - Max: 130 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 54.5 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 135µJ (on), 815µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17.5ns/175ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
50+2.99 EUR
100+2.7 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60WSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-CH 600V Ultra fast PowerMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60WSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 130 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60WDSTMicroelectronicsIGBT Transistors N Ch 600V 19A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP19NC60WDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A TO-220
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Supplier Device Package: TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+2.73 EUR
100+2.12 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
50+2.09 EUR
100+1.88 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20H60DF - IGBT, 40 A, 1.6 V, 167 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
93+2.51 EUR
102+2.12 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H65DFB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H65FB2STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20H65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 159W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsGalvanically Isolated Gate Drivers Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20IH65DFSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 159 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.77 EUR
79+2.17 EUR
100+1.93 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20M65DF2STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+2.57 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
50+2.68 EUR
100+2.42 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.07 EUR
75+2.28 EUR
100+2.02 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.77 EUR
79+2.12 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20NC60V - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NC60VSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NC60VSTMIGBT 600V 60A 200W TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NC60VSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NC60VSTMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.9 EUR
50+4.56 EUR
100+4.14 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NT60STMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20NT60DSTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20V60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.45 EUR
39+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
50+2.83 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20V60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
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STGP20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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STGP20V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20V60F - IGBT, 40 A, 1.8 V, 167 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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36+7.02 EUR
54+4.37 EUR
100+2.83 EUR
500+2.76 EUR
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STGP30H60DFSTMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 105nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.65 EUR
28+3.13 EUR
39+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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STGP30H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP30H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
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STGP30H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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