Produkte > Si4
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SI4421-A0-FTR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transceiver | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A0-FTR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Sensitivity: -110dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 7dbm Current - Receiving: 11mA ~ 13mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA Supplier Device Package: 16-TSSOP Modulation: FSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FT | Silicon Labs | TSSOP 16/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4421 Anzahl je Verpackung: 96 Stücke | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FT | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 59 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FT Produktcode: 209368
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI4421-A1-FT | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4421-A1-FT | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transceiver | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2016 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FT | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Sensitivity: -110dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 7dbm Current - Receiving: 11mA ~ 13mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA Supplier Device Package: 16-TSSOP Modulation: FSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4421-A1-FT | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4421-A1-FT1 | Silicon Labs | Description: IC RF RECEIVER FSK TSSOP Packaging: Tube Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2016 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FT1 | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2016 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FT1R | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FT1R | Silicon Labs | Description: IC RF RECEIVER FSK TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FTR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transceiver | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FTR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Sensitivity: -110dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 7dbm Current - Receiving: 11mA ~ 13mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA Supplier Device Package: 16-TSSOP Modulation: FSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FTR | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4421 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421-A1-FTR | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421/AI4421 | auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4421A0FTR | auf Bestellung 2357 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4421A1FT | Silicon Labs | ФМ приймопередатчик, Uживл, В = 2.2...3.8, F, МГц = 315...915, Iпер, мА = 20, Iпр, мА = 12, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 96 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421DY-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI4421DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | auf Bestellung 8798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20 Volt 14 Amp | auf Bestellung 5783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 10 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 800 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 14A 3.0W 8.75mohm @ 4.5V | auf Bestellung 10369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4421DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4421DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.007 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4421DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V | auf Bestellung 13609 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4421DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI4422 | SIEMENS | 01+ SOP | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423 | SI | SOP-8 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423DY | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423DY | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423DY-T1 | VISHAY | auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI4423DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W | auf Bestellung 5531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4423DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4423DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 14A 3.0W 7.5mohm @ 4.5V | auf Bestellung 2442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4423DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4423DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| si4424BM | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4425 | SI | SOP-8 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425-T1-E3 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI44258BDY-T1-E3 | auf Bestellung 2392 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4425B | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4425BDY | SILICON | 2003 SMD | auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425BDY | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425BDY ROHS | VISHAY | 0621+ SOP8 | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425BDY-E3 | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4425BDY-T1 | auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4425BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 11A 2.5W | auf Bestellung 55815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | ДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. ИСП. Si4425DDY Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2716 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-E3-S | VISHAY | SOP8 | auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4425BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 11.4A 2.5W 12mohm @ 10V | auf Bestellung 2876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4425BDYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI4425D | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4425DDY-T1-E3 | auf Bestellung 13200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.7A Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 97500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | auf Bestellung 1197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 Produktcode: 179533
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 16273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V | auf Bestellung 99577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4425DY | Vishay Semiconductor | P-канальный ПТ (Vds=-30V, Id=8.5A , Rds=0.023R).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DY | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DY | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DY | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4425DY-T1 | VISHAY | auf Bestellung 6295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI4425DY-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DYT1 | VISHAY | SO-8 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI4425DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
