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Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

736+	0.24 EUR
748+	0.23 EUR
773+	0.21 EUR
785+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 736 Stücke

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IKD06N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

auf Bestellung 2390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.37 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2291 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	3.09 EUR
156+	1.49 EUR
214+	1 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

220+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 220 Stücke

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IKD06N60RFATMA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 2087 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	0.96 EUR
5000+	0.92 EUR

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IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

293+	0.6 EUR
725+	0.23 EUR
736+	0.21 EUR
748+	0.2 EUR
760+	0.19 EUR
785+	0.18 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 293 Stücke

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IKD06N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IKD06N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

741+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 741 Stücke

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IKD06N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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IKD06N65ET6ARMA1

IGBTs HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 5568 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.3 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.77 EUR
3000+	1.7 EUR
6000+	1.68 EUR

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IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2268 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.61 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2268 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.3 EUR
106+	2.21 EUR
118+	1.83 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD06N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Power - Max: 31 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Gate Charge: 13.7 nC
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Part Status: Not For New Designs
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0800000

DIP Switches/SIP Switches

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD0800000

APEM

Description: APEM - IKD0800000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 334 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.55 EUR
52+	4.5 EUR
63+	3.45 EUR
64+	3.38 EUR
100+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

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IKD0803000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

auf Bestellung 1271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.3 EUR
10+	4.99 EUR
22+	4.55 EUR
110+	3.94 EUR
264+	3.56 EUR
506+	3.28 EUR
1012+	3.06 EUR

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IKD0803000

APEM

Description: APEM - IKD0803000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	4.15 EUR
69+	3.37 EUR
84+	2.57 EUR
85+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0803101

DIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.99 EUR
10+	5.38 EUR
22+	5.07 EUR
44+	4.86 EUR
110+	4.58 EUR
264+	4.4 EUR
506+	4.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD0803101

APEM Inc.

Description: SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
Number of Positions: 8
Contact Material: Phosphor Bronze
Washable: No
Actuator Level: Raised
Height Above Board: 0.118" (3.00mm)
Actuator Type: Slide (Standard)
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Circuit: SPST
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 25mA
Voltage Rating: 24VDC
Contact Finish: Gold
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 264 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	5.97 EUR
65+	3.62 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD08N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD08N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD08N65ET6ARMA1

IGBTs HOME APPLIANCES 14

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.64 EUR
250+	2.53 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	2.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.88 EUR
1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD08N65ET6ARMA1

IGBT with Anti-parallel Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD08N65ET6ARMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

auf Bestellung 2982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.37 EUR
10+	4.14 EUR
100+	2.88 EUR
500+	2.33 EUR
1000+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60R

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60R

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60R

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RAATMA2

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RAATMA2

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 64nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.3 EUR
83+	2.03 EUR
84+	1.93 EUR
100+	1.58 EUR
250+	1.48 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 1046 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.56 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RATMA1

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A

auf Bestellung 2293 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.89 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	3.38 EUR
127+	1.83 EUR
185+	1.17 EUR
500+	0.93 EUR
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IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IKD10N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.88 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IKD10N60RC2ATMA1

IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

auf Bestellung 4950 Stücke:

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1+	3.37 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.98 EUR
2500+	0.84 EUR

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IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	2.28 EUR
84+	2 EUR
85+	1.9 EUR
105+	1.49 EUR
250+	1.4 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 77 Stücke

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IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.38 EUR
127+	1.83 EUR
185+	1.17 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IKD10N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 1970 Stücke:

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84+	2.07 EUR
85+	2.02 EUR
105+	1.61 EUR
250+	1.54 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 84 Stücke

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IKD10N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

auf Bestellung 7384 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.2 EUR
11+	2.03 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IKD10N60RC2ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 18.8A; 79W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18.8A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 48nC
Pulsed collector current: 30A

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IKD10N60RF

Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

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IKD10N60RF
Produktcode: 113379

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Infineon

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-252-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,2 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 10 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 150 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 12/168

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1+	1.64 EUR

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IKD10N60RF

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

auf Bestellung 4571 Stücke:

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2500+	1.17 EUR
5000+	1.12 EUR

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IKD10N60RFAATMA1

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 64 nC
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5577 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.2 EUR
105+	2.21 EUR
147+	1.46 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.11 EUR
5000+	1.07 EUR

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IKD10N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5577 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.2 EUR
105+	2.21 EUR
147+	1.46 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.11 EUR
5000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 186ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 64nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 6311 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.02 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.25 EUR
2500+	1.17 EUR
5000+	1.12 EUR

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IKD10N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

auf Bestellung 2339 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.96 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD10N60RFATMA1

Infineon

IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD1204100

DIP Switches/SIP Switches

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60R

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Produkt ist nicht verfügbar

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IKD15N60R

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RA

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RAATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.2 EUR
5000+	1.12 EUR
7500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 1866 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	2.82 EUR
40+	2.14 EUR
46+	1.89 EUR
53+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.49 EUR
125+	1.71 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A

auf Bestellung 19450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.33 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.34 EUR
2500+	1.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	4.65 EUR
94+	2.49 EUR
125+	1.71 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 9234 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.19 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RBTMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

209+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 209 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.86 EUR
99+	1.7 EUR
100+	1.62 EUR
111+	1.42 EUR
250+	1.32 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 94 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

auf Bestellung 1706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.77 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.18 EUR
2500+	1.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 115.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	2.84 EUR
125+	1.87 EUR
159+	1.34 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

94+	1.86 EUR
99+	1.74 EUR
100+	1.69 EUR
111+	1.49 EUR
250+	1.44 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 94 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

auf Bestellung 567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.8 EUR
10+	2.4 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

auf Bestellung 571 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 115.4W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Pulsed collector current: 45A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
Verlustleistung: 115.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.84 EUR
125+	1.87 EUR
159+	1.34 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RF

Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RF

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

auf Bestellung 1629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.71 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.55 EUR
2500+	1.46 EUR
5000+	1.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFAATMA1

IGBTs IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 4914 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.66 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.39 EUR
2500+	2.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFAATMA1

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 14306 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	4.65 EUR
85+	2.76 EUR
122+	1.76 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.33 EUR
5000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 2387 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.66 EUR
10+	3 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A Automotive DPAK Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.84 EUR
107+	1.57 EUR
108+	1.5 EUR
109+	1.43 EUR
250+	1.36 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 95 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 14306 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.76 EUR
122+	1.76 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.33 EUR
5000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.84 EUR
107+	1.61 EUR
108+	1.56 EUR
109+	1.51 EUR
250+	1.46 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 95 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RFATMA1