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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMD2AT108RohmIMD2A Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-74 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD2AT108ROHMDescription: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: IMD2A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
338+0.69 EUR
519+0.42 EUR
685+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD2AT108SOT163-D2ROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD2A\D2ROHMSOT-163
auf Bestellung 6100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD2T108
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3ROHM
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3AROHMSOT163
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3A T108ROHMSOT26
auf Bestellung 4241 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3A-TLB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin SMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL DIGITAL PNP/NPN
auf Bestellung 16781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
auf Bestellung 4597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
35+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3T108
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD3T109
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD40203N/A
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD42C455S-13AHARCDIP
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6ROHM02+ SOT163
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6AROHM06+ SOT-163
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6A-T108ROH07+;
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
auf Bestellung 5745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
auf Bestellung 4861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6T108
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6T109
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD6T109SOT163-D6ROHM
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.9 EUR
16+15.34 EUR
25+13.49 EUR
50+11.48 EUR
100+9.98 EUR
250+9.51 EUR
500+8.68 EUR
1000+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
10+6.18 EUR
25+5.69 EUR
100+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.9 EUR
16+15.34 EUR
25+13.49 EUR
50+11.48 EUR
100+9.98 EUR
250+9.51 EUR
500+8.68 EUR
1000+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CONTROLLER
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.21 EUR
10+13.76 EUR
25+13.11 EUR
100+11.39 EUR
250+10.86 EUR
500+9.9 EUR
1000+8.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.3 EUR
10+8.62 EUR
25+7.95 EUR
100+7.21 EUR
250+6.87 EUR
500+6.65 EUR
1000+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
auf Bestellung 1639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+6.85 EUR
25+6.31 EUR
100+5.71 EUR
250+5.45 EUR
500+5.28 EUR
1000+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.52 EUR
31+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD8ROHM
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD8AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD8AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD9ROHMSOT163
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD9AROHMSOT163
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD9AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
auf Bestellung 2813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.61 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMD9T108
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.31 EUR
10+42.89 EUR
100+37.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R007M2HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.43 EUR
10+48.94 EUR
25+46.08 EUR
100+44.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R007M2HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 722 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R010M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 651W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.36 EUR
10+35.44 EUR
25+33.21 EUR
100+30.76 EUR
250+29.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R010M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.46 EUR
6+42.53 EUR
10+33.57 EUR
50+31.32 EUR
100+29.05 EUR
250+28.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.08 EUR
10+36.08 EUR
100+31.2 EUR
500+29.54 EUR
750+27.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R010M2HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 651W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4002 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R010M2HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 154 A, 650 V, 0.091 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 651W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+33.57 EUR
50+31.32 EUR
100+29.05 EUR
250+28.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.07 EUR
10+22.49 EUR
100+19.46 EUR
750+19.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R015M2HXUMA1InfineonSiC MOSFET N-Channel 650 V 94A (Tc) 499W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.17 EUR
10+16.98 EUR
100+15.52 EUR
750+14.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R020M2HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R020M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.9 EUR
10+17.99 EUR
25+16.77 EUR
100+15.42 EUR
250+15.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R004M2HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R004M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+106.86 EUR
10+91.15 EUR
100+75.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R004M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 357A 22-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.42 EUR
10+46.3 EUR
100+40.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.57 EUR
10+40.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.33 EUR
10+43.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+62.52 EUR
5+55.16 EUR
10+37.33 EUR
50+35.28 EUR
100+33.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.48 EUR
10+63.52 EUR
25+61.05 EUR
50+59.61 EUR
100+55.56 EUR
250+53.41 EUR
500+50.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+84.67 EUR
5+74.23 EUR
10+64.47 EUR
50+60.45 EUR
100+56.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.33 EUR
10+23.01 EUR
100+21.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.65 EUR
10+34.53 EUR
50+33.95 EUR
100+31.68 EUR
250+29.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+17.78 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+34.53 EUR
50+33.95 EUR
100+31.68 EUR
250+29.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.16 EUR
10+27.73 EUR
100+23.98 EUR
500+22.24 EUR
750+19.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.69 EUR
8+29.92 EUR
10+22.9 EUR
50+21.63 EUR
100+20.35 EUR
250+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.32 EUR
10+24.3 EUR
100+21.03 EUR
500+21 EUR
750+20.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R020M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.03 EUR
8+29.36 EUR
10+22.44 EUR
50+20.65 EUR
100+17.75 EUR
250+17.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.04 EUR
10+21.94 EUR
100+18.87 EUR
500+16.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.96 EUR
10+21.78 EUR
100+21.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R020M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.44 EUR
50+20.65 EUR
100+17.75 EUR
250+17.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.78 EUR
10+16.92 EUR
100+14.09 EUR
500+12.57 EUR
750+10.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R027M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.71 EUR
10+23.76 EUR
12+19.25 EUR
50+18.23 EUR
100+17.18 EUR
250+16.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.26 EUR
10+17.72 EUR
100+14.52 EUR
500+14.22 EUR
750+13.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.49 EUR
10+16.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.54 EUR
12+21.07 EUR
13+17.01 EUR
50+16.33 EUR
100+15.61 EUR
250+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.17 EUR
10+13.03 EUR
100+10.86 EUR
500+9.47 EUR
750+8.63 EUR
2250+8.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.45 EUR
10+11.97 EUR
100+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.54 EUR
12+21.07 EUR
13+17.01 EUR
50+16.33 EUR
100+15.61 EUR
250+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.09 EUR
10+14.2 EUR
100+11.82 EUR
500+10.53 EUR
750+9.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.86 EUR
10+12.19 EUR
100+10.06 EUR
500+8.96 EUR
750+8.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R060M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.03 EUR
10+10.02 EUR
100+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R060M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R060M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.2 EUR
17+14.14 EUR
19+11.35 EUR
50+10.52 EUR
100+9.66 EUR
250+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.71 EUR
10+10.34 EUR
100+7.79 EUR
500+7.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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