Produkte > IMW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R007M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 171 A, 650 V, 0.0085 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R007M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R010M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 440W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMW65R010M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 440W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V | auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R010M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R015M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R015M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 93 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R020M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R026M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMW65R026M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W Mounting: THT Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 35mΩ Drain current: 39A Pulsed drain current: 185A Power dissipation: 189W Drain-source voltage: 650V Case: TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 298800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R027M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 Produktcode: 193216
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R030M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IMW65R033M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V | auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 | auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 23520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R033M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R039M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +20V, -2V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R040M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R040M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R048M1H | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R048M1H | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R048M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R050M2HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R050M2HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 153W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R050M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +20V, -2V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R057M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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