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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NE3503M04-T2-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503M04-T2-A
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503M04-T2B
auf Bestellung 600000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503M04-T2B-A
auf Bestellung 17990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503M04-T2B-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
auf Bestellung 163494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
365+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503M04-T2B-ANEC/CELNEC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503M04-T2B-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503M04-T2B-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503M04V75
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3503MO4-T2
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3505M0-T2-A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3505M04-T2
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3505M04-T2-A
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3505M04-T2-ARenesas Electronics America IncDescription: NE3505M04 TRANSISTOR
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
459+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3505M04T2NEC
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-07-T2-ARochester Electronics, LLCDescription: NE3505M04 TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-A
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 120mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 18dBm
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-EVNF23-ACELRF Development Tools L to S band LNA Eval Brd
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-EVNF23-ACELDescription: EVAL DEV RF NE3508M04
Supplied Contents: Board(s)
Type: FET
For Use With/Related Products: NE3508M04
Packaging: Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-T1-A
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-T2
auf Bestellung 36500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-T2-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Noise Figure: 0.45dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 14dB
Power - Output: 18dBm
Frequency: 2GHz
Current Rating (Amps): 120mA
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3508M04-T2-ARenesasHETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04nec10+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04-A
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04-EVNF24-ACELRF Development Tools For NE3509M04-A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04-EVNF24-ACELDescription: EVAL DEV RF NE3509M04
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NE3509M04
Type: FET
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NE3509M04
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04-T1-A
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04-T2
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04-T2-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3509M04-T2-ANEC08+
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3510M04-07-T2-ARenesas Electronics America IncDescription: RF SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 62655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
677+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3510M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 97mA
Frequency: 4GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 15 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3510M04-A
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3510M04-T1-A
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3510M04-T2-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans RF FET 4V 0.097A 4-Pin Case M04 T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3510M04-T2-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans RF FET 4V 0.097A 4-Pin Case M04 T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3510M04-T2-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 97mA
Frequency: 4GHz
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 15 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3511S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.3dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3511S02-ACalifornia Eastern LaboraHJ-FET NCH 13.5DB S02 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3511S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3511S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02NECTO-50
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.35dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02-ARenesas ElectronicsArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02-ACELRF JFET Transistors C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02-T1C-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02-T1DNEC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3512S02-T1D-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V S02
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.35dB
Technology: HFET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 14041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3513M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: M04
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13dB
Power - Output: 125mW
Configuration: N-Channel
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 60mA
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3513M04-T2-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 125mW
Gain: 13dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3513M04-T2B-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13dB
Power - Output: 125mW
Configuration: N-Channel
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 60mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4755000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3514S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Gain: 10dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Strip
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.75dB
Technology: GaAs HJ-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3514S02-T1C-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans RF FET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3514S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.75dB
Technology: GaAs HJ-FET
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Gain: 10dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3514S02-T1C-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans RF FET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3514S02-T1D
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3514S02-T1D-ARenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.75dB
Technology: HFET
Gain: 10dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3515S02-A
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3515S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.3dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12.5dB
Power - Output: 14dBm
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 88mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3515S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 88mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 14dBm
Gain: 12.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3515S02-T1C-ACELRF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3515S02-T1D-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 88mA
Frequency: 12GHz
Power - Output: 14dBm
Gain: 12.5dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.3dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
auf Bestellung 617215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
284+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3516S02-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 165mW
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3516S02-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 165mW
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3517S03-ACELDescription: FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3517S03-ACalifornia Eastern LaboraFET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3517S03-T1C-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3517S03-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.7dB
Supplier Device Package: S03
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3517S03-T1D-ARochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 117799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE3520S03-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S03
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
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NE3520S03-ACalifornia Eastern LaboratoriesTrans FET N-CH 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S-03
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NE3520S03-T1C-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: S03
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NE3521M04-ACELDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Current - Test: 6 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 3 V
Noise Figure: 0.85dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 10.5dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Strip
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NE3521M04-T2-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
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NE3521M04-T2-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Current - Test: 6 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Obsolete
Noise Figure: 0.85dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 11dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 27000 Stücke:
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1402+0.42 EUR
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NE3521M04-T2-ACELCEL N-Channel GaAs HJ-FET, K-Band Low Noise and High Gain
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NE3521M04-T2-A
Produktcode: 191034
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Transistoren > MOSFET N-CH
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NE3560M06-T2
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NE3706NP35MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.062"THICK RND
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Round
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.062" H (9.53mm x 1.57mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N35
Part Status: Active
auf Bestellung 190 Stücke:
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10+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NE3710NP35MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.100"THICK RND
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Round
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.100" H (9.53mm x 2.54mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N35
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NE3720NP35MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.200"THICK RND
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Round
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.200" H (9.53mm x 5.08mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N35
Part Status: Active
auf Bestellung 480 Stücke:
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4+7.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NE3737NP42MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.375"THICK CYL
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Cylindrical
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.375" H (9.53mm x 9.53mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N42
Part Status: Active
auf Bestellung 100 Stücke:
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5+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NE3750NP42MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.500"THICK CYL
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Cylindrical
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.500" H (9.53mm x 12.70mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N42
Part Status: Active
auf Bestellung 200 Stücke:
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4+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NE3750NP52MAG-MATE®Description: MAGNET 0.375"D X 0.500"THICK CYL
Packaging: Bag
Material: Neodymium Iron Boron (NdFeB)
Shape: Cylindrical
Operating Temperature: 82.2°C
Size: 0.375" Dia x 0.500" H (9.53mm x 12.70mm)
Finish: NiCuNi
Magnetization: Axial
Grade: N52
Part Status: Active
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NE38018
Produktcode: 168456
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NE38018CELRF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
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NE38018
auf Bestellung 36000 Stücke:
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NE38018-EVCD19NEC/CELNEC
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NE38018-EVNF19NEC/CELNEC
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NE38018-T1
Produktcode: 47992
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NE38018-T1NECSOT343
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NE38018-T1 SOT343-V68NEC
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NE38018-T1 SOT343-V68NEC
auf Bestellung 812 Stücke:
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NE38018-T1(68)
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NE38018-T1-67
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