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NTTFS010N10MCLTAG

ON Semiconductor

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS012N10MDTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS012N10MDTAG

Description: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0144 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	4.59 EUR
76+	3.06 EUR
111+	1.95 EUR
500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS012N10MDTAG

Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

auf Bestellung 4161 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.24 EUR
10+	2.71 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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NTTFS012N10MDTAG

ON Semiconductor

N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 45 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 965 @ 50, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 14,4 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 62, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerWDFN Очікується: 6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke

verfügbar 48 Stücke:

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NTTFS012N10MDTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NTTFS012N10MDTAG

MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

auf Bestellung 8055 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.3 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.25 EUR

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NTTFS012N10MDTAG

Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.2 EUR
3000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NTTFS012N10MDTAG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 217A
Power dissipation: 62W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015N04CTAG

Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015N04CTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015N04CTAG

MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

auf Bestellung 301 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.62 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015N04CTAG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 7.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015N04CTAG

Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

auf Bestellung 2365 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.11 EUR
31+	0.69 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTAG

MOSFETs PFET U8FL 30V 15MO

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTAG

Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTAG

ON Semiconductor

auf Bestellung 1490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTAG

Description: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTAG

Description: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.18 EUR
16+	1.36 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTWG

Description: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 8580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.26 EUR
15+	1.42 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR
2000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTWG

Description: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTWG

MOSFETs PFET U8FL 30V 15MO

auf Bestellung 5983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR
2500+	0.58 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS015P03P8ZTWG

Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS016N06CTAG

MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.48 EUR
10+	0.92 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR
1500+	0.32 EUR
3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS016N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V

auf Bestellung 1459 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.51 EUR
23+	0.94 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS016N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS020N06CTAG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS020N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V

auf Bestellung 2367 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.24 EUR
28+	0.76 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS020N06CTAG

MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

auf Bestellung 7405 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.32 EUR
1500+	0.29 EUR
9000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS020N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS022N15MC

Description: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS022N15MC

Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.62 EUR
50+	4.64 EUR
100+	3.02 EUR
500+	2.83 EUR
1000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS022N15MC

MOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33

auf Bestellung 482 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.34 EUR
10+	4.44 EUR
100+	3.52 EUR
250+	3.25 EUR
500+	2.95 EUR
1000+	2.53 EUR
3000+	2.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS022N15MC

Description: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.51 EUR
10+	4.26 EUR
100+	2.98 EUR
500+	2.43 EUR
1000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS024N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.33 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS024N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.4 EUR
25+	0.87 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS024N06CTAG

MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

auf Bestellung 917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.33 EUR
1500+	0.29 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS030N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V

auf Bestellung 1186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.26 EUR
27+	0.77 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS030N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS030N06CTAG

MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	0.77 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.36 EUR
1500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS030N06CTAG

Description: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS030N10GTAG

MOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.19 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS030N10GTAG

Description: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS030N10GTAG

Description: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS034N15MC

Description: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V

auf Bestellung 14849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.24 EUR
10+	3.38 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS034N15MC

MOSFETs Power MOSFET, N Channel, 150V, 27 A, 31m?ohm

auf Bestellung 2956 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	2.83 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.58 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS034N15MC

Description: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS080N10GTAG

ON Semiconductor

Power MOSFET, Single N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS080N10GTAG

Description: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.61 EUR
3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS080N10GTAG

MOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.37 EUR
10+	1.48 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.61 EUR
1500+	0.56 EUR
24000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS080N10GTAG

Description: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V

auf Bestellung 3039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.37 EUR
15+	1.48 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS115P10M5

Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS115P10M5

ON Semiconductor

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS115P10M5

Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V

auf Bestellung 13200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.83 EUR
12+	1.8 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS115P10M5

MOSFETs Power MOSFET, P Channel, -100V, -13 A, 120mohm

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.73 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D2N02P1E

ON Semiconductor

auf Bestellung 2820 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D2N02P1E

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D2N02P1E

Description: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D2N02P1E

MOSFETs 25V 1.2 MOHM PC33

auf Bestellung 4454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.52 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.87 EUR
3000+	1.7 EUR
6000+	1.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D2N02P1E

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; Idm: 195A; 52W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 195A
Power dissipation: 52W
Case: PQFN8
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D2N02P1E

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V

auf Bestellung 6078 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.99 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.69 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D4N04XMTAG

Description: ONSEMI - NTTFS1D4N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
139+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D4N04XMTAG

Description: ONSEMI - NTTFS1D4N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.2 EUR
93+	2.51 EUR
139+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D8N02P1E

MOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.31 EUR
10+	4.11 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.26 EUR
3000+	2.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D8N02P1E

Description: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V

auf Bestellung 1963 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.95 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.69 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D8N02P1E

Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	6.97 EUR
56+	4.2 EUR
100+	3.24 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D8N02P1E

Description: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS1D8N02P1E

Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.24 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D1N04HLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V

auf Bestellung 9094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.06 EUR
10+	2.59 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D1N04HLTWG

Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
117+	1.83 EUR
500+	1.51 EUR
1500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D1N04HLTWG

MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm

auf Bestellung 7030 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.2 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.09 EUR
3000+	0.95 EUR
6000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D1N04HLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V

auf Bestellung 7700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.06 EUR
6000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D1N04HLTWG

auf Bestellung 2110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D1N04HLTWG

Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.84 EUR
93+	2.51 EUR
117+	1.83 EUR
500+	1.51 EUR
1500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D8N04HLTAG

MOSFETs 40V T8 IN U8FL HEFET

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.49 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.96 EUR
1500+	0.93 EUR
3000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D8N04HLTAG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 20 V

auf Bestellung 39161 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.39 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D8N04HLTAG

Description: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS2D8N04HLTAG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.01 EUR
3000+	0.93 EUR
4500+	0.89 EUR
7500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3A08PZTAG

Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3A08PZTAG

ON Semiconductor

auf Bestellung 1851 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3A08PZTAG

ON Semiconductor

MOSFET PFET U8FL 20V 14A 6.7MOHM

auf Bestellung 371 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3A08PZTWG

ON Semiconductor

auf Bestellung 356 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3A08PZTWG

ON Semiconductor

MOSFET Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection

auf Bestellung 3647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3A08PZTWG

Description: MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3D7N06HLTWG

MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3

auf Bestellung 1390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.94 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.78 EUR
3000+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3D7N06HLTWG

Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	5.9 EUR
66+	3.52 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3D7N06HLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTTFS3D7N06HLTWG

Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm

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100+	2.25 EUR
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NTTFS3D7N06HLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V

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100+	2.36 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.75 EUR

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NTTFS4800NTAG

Description: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

395+	1.37 EUR

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NTTFS4800NTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R

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1500+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NTTFS4800NTAG

Description: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V

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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NTTFS4800NTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R

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1500+	0.19 EUR

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NTTFS4800NTWG

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NTTFS4800NTWG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

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5000+	0.27 EUR
5001+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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NTTFS4821NTAG

Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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NTTFS4821NTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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NTTFS4821NTAG

ON Semiconductor

MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm

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NTTFS4821NTAG

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NTTFS4821NTWG

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