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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PMZ370UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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4935+0.13 EUR
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PMZ370UNEYLNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
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PMZ370UNEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
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2500+0.17 EUR
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PMZ370UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
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PMZ370UNEZNexperia USA Inc.Description: PMZ370UNE/SOT883/XQFN3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
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PMZ370UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
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PMZ370UNEZNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
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PMZ390UNNexperiaMOSFET
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PMZ390UN
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PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
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PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
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20000+0.099 EUR
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PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
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PMZ390UN,315NexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 7962 Stücke:
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5+0.74 EUR
10+0.49 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PMZ390UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UN,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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20000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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PMZ390UNENexperiaMOSFET
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PMZ390UNE/S500315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 15655 Stücke:
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1279+0.17 EUR
1734+0.089 EUR
1752+0.086 EUR
1777+0.081 EUR
1802+0.076 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 1279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2041+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 2041 Stücke
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PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 4455 Stücke:
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1027+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1027 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.88 EUR
397+0.58 EUR
725+0.3 EUR
926+0.23 EUR
1405+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2041+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 2041 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .9A
auf Bestellung 24726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.48 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.88 EUR
397+0.58 EUR
725+0.3 EUR
926+0.23 EUR
1405+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5129+0.13 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ420UNYLNexperiaMOSFET Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ420UNYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 6666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6666 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .59A
auf Bestellung 162690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
314+0.74 EUR
603+0.36 EUR
893+0.24 EUR
1330+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 154000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7668+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7668 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
314+0.74 EUR
603+0.36 EUR
893+0.24 EUR
1330+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
641+0.27 EUR
983+0.18 EUR
1541+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.086 EUR
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 641 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
auf Bestellung 11847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
14+0.25 EUR
100+0.14 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
10000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.63 EUR
336+0.5 EUR
641+0.25 EUR
983+0.15 EUR
1541+0.096 EUR
2000+0.088 EUR
5000+0.073 EUR
10000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNELYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
auf Bestellung 80298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.083 EUR
5000+0.071 EUR
10000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
auf Bestellung 12118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
75+0.29 EUR
120+0.18 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
2000+0.084 EUR
5000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
auf Bestellung 22733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
77+0.27 EUR
108+0.19 EUR
124+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
288+0.87 EUR
500+0.46 EUR
814+0.26 EUR
1021+0.21 EUR
1337+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.075 EUR
20000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEZNexperiaMOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
auf Bestellung 11565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.48 EUR
12+0.29 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
2500+0.09 EUR
10000+0.082 EUR
20000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ600UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
288+0.87 EUR
500+0.46 EUR
814+0.26 EUR
1021+0.21 EUR
1337+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 288 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ760SN
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ760SNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ760SN T/RNXP SemiconductorsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ760SN,315NexperiaMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ760SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPE,315Rochester Electronics, LLCDescription: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7608 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 899869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+1.13 EUR
326+0.71 EUR
610+0.36 EUR
910+0.24 EUR
1471+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPELYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 20V .5A
auf Bestellung 114617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
10+0.37 EUR
100+0.19 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+1.13 EUR
326+0.71 EUR
610+0.36 EUR
910+0.24 EUR
1471+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 18908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.67 EUR
355+0.48 EUR
359+0.45 EUR
638+0.24 EUR
646+0.23 EUR
983+0.14 EUR
1484+0.092 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
624+0.27 EUR
951+0.18 EUR
1435+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.092 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.68 EUR
351+0.48 EUR
624+0.26 EUR
951+0.17 EUR
1435+0.1 EUR
2000+0.098 EUR
5000+0.077 EUR
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYLNexperiaMOSFETs PMZ950UPE/SOT883/XQFN3
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.5 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
10000+0.099 EUR
20000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
76+0.27 EUR
100+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ950UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 18908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
638+0.27 EUR
646+0.26 EUR
983+0.17 EUR
1484+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.094 EUR
15000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 638 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB1200UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
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PMZB1200UPEYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 30V .41A
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PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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PMZB1200UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
auf Bestellung 1352 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1352 Stücke
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PMZB1200UPEYLNexperiaP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 410 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43,2, Qg, нКл = 1,2, Rds = 1,4 Ом, Ugs(th) = 650 мВ, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: XFDFN-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 54 Stücke:
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PMZB1200UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB150UNEYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 6A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate charge: 1.6nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB150UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB150UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
83+0.25 EUR
123+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB150UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.5A
auf Bestellung 17272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.6 EUR
50+0.43 EUR
100+0.38 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB170VNEYLNexperia USA Inc.Description: PMZB170VNE/SOT883B/XQFN3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.4 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 820mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNENexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNE315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
auf Bestellung 156850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4522+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4522 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNE315NXPDescription: NXP - PMZB200UNE315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 156850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5773+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5773 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 23966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.46 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
auf Bestellung 5543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
53+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 8136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.48 EUR
489+0.35 EUR
493+0.33 EUR
828+0.19 EUR
829+0.18 EUR
869+0.17 EUR
1345+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 421580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5773+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5773 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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